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不同厂家高频高速铜箔指标对抗剥离强度的影响
1
作者 于洁 白忠波 +3 位作者 孟建龙 刘二勇 张菁丽 蔡辉 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第6期1-7,共7页
随着5G信息技术的不断发展,对5G用高频高速电解铜箔提出了更高的要求和更新的规范。目前我国生产的硬板用电解铜箔有反转铜箔(RTF)和超低轮廓铜箔(HVLP)两种,本文主要分别对国内外6个不同厂家同一批次的12μm反转铜箔(12RTF)与2个不同... 随着5G信息技术的不断发展,对5G用高频高速电解铜箔提出了更高的要求和更新的规范。目前我国生产的硬板用电解铜箔有反转铜箔(RTF)和超低轮廓铜箔(HVLP)两种,本文主要分别对国内外6个不同厂家同一批次的12μm反转铜箔(12RTF)与2个不同厂家同一批次的12μm超轮廓铜箔(12HVLP)随机进行检验,对比了经过粗化的处理面与非处理面的显微形貌、单位面积的铜箔质量、抗拉强度、延伸率、轮廓度、抗剥离强度以及抗氧化等测试数据,并检测了样品的指标达标情况。结果表明:RTF的剥离强度与粗化层形貌有着直接的联系,同时HVLP的剥离强度与轮廓度的增大密切相关,研究结果为生产中改善高频高速铜箔抗剥离性能提供一定的指导依据。 展开更多
关键词 高频高速电解铜箔 反转铜箔 超低轮廓铜箔 抗剥离强度
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附载体极薄铜箔的剥离机制
2
作者 殷光茂 韩俊青 +2 位作者 杨祥魁 王浩然 武玉英 《精密成形工程》 北大核心 2024年第8期11-18,共8页
目的研究一种极薄铜箔制备过程中所需要的新型剥离层结构,以此来实现极薄铜箔的顺利剥离。方法利用两步电沉积法制备了可剥离的极薄铜箔,利用EBSD分析了“载体铜箔-剥离层-极薄铜箔”结构的附载体铜箔截面晶粒分布规律,利用聚焦离子束技... 目的研究一种极薄铜箔制备过程中所需要的新型剥离层结构,以此来实现极薄铜箔的顺利剥离。方法利用两步电沉积法制备了可剥离的极薄铜箔,利用EBSD分析了“载体铜箔-剥离层-极薄铜箔”结构的附载体铜箔截面晶粒分布规律,利用聚焦离子束技术(FIB)制备了TEM样品,通过HRTEM对“载体铜箔-剥离层-极薄铜箔”结构中剥离层/极薄铜箔、剥离层/载体铜箔的界面微观结构进行了研究。结果与单一Ni剥离层相比,通过两步电沉积法制备的复合剥离层(Ni,Cr-O)具有更好的可剥离性,复合剥离层由有序Ni层和无序Cr-O层组成。复合剥离层中的Ni层与载体铜箔相结合,界面完全共格,形成较强的界面结合;复合剥离层中的无序Cr-O层与极薄铜箔相结合,Cr-O层与极薄铜箔界面原子紊乱,形成较弱的界面结合。对制备的极薄铜箔剥离强度进行测试可知,极薄铜箔与载体铜箔能够剥离,极薄铜箔与剥离层之间的剥离强度约为0.01N/mm。结论利用载体铜箔-剥离层、极薄铜箔-剥离层结合界面的差异化实现了界面结合的差异化,复合剥离层内有序和无序的结构分布调控了载体铜箔与剥离层、极薄铜箔与剥离层之间的界面结合,使剥离层与极薄铜箔之间的结合弱于剥离层与载体铜箔之间的结合,有助于极薄铜箔与剥离层分离,同时剥离层与载体铜箔之间不会分离,进而获得可洁净剥离的极薄铜箔。 展开更多
关键词 极薄铜箔 剥离层 界面 载体铜箔 剥离强度
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铜箔衬底对化学气相沉积法制备石墨烯的影响 被引量：1
3
作者 王云鹏 刘宇宁 +3 位作者 王同波 张嘉凝 莫永达 娄花芬 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期173-177,共5页
化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下... 化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下两类铜箔对生长石墨烯的影响。研究表明,电解铜箔的表面粗糙度在预处理与退火后均大于压延铜箔。压延铜箔由于经历变形,退火处理后晶粒尺寸为37μm,Cu(111)面比例约40%,电解铜箔退火后晶粒尺寸约为24μm,Cu(111)面比例约为28%,压延铜箔优于电解铜箔。CVD制备石墨烯后发现压延铜箔上生长的石墨烯岛的面积大于电解铜箔,石墨烯缺陷要少于电解铜箔,即相同制备条件与相同厚度下压延铜箔上制备的石墨烯质量优于电解铜箔上制备的石墨烯。 展开更多
关键词 电解铜箔 压延铜箔 化学气相沉积法 石墨烯
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锂离子电池用电解铜箔产业趋势和标准化建议
4
作者 刘志英 李明茂 +4 位作者 尹宁康 刘奇 王丽丽 胡焱 钟铭为 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第10期73-82,共10页
随着低碳政策的持续实施,作为新能源材料的锂离子电池用电解铜箔(简称锂电铜箔)产能产量呈井喷式发展,国内锂电铜箔制造技术迅速提升至全球领先水平,飞速的发展也带来一系列问题。梳理了国内锂电铜箔的发展历程、厚度变化趋势、装备国... 随着低碳政策的持续实施,作为新能源材料的锂离子电池用电解铜箔(简称锂电铜箔)产能产量呈井喷式发展,国内锂电铜箔制造技术迅速提升至全球领先水平,飞速的发展也带来一系列问题。梳理了国内锂电铜箔的发展历程、厚度变化趋势、装备国产化情况、近七年产能产量,提出了锂电铜箔行业下一步主攻方向和建议,提出了锂电铜箔产品、方法标准和产品碳足迹标准存在的问题及制/修订建议。 展开更多
关键词 锂离子电池 电解铜箔 锂电铜箔 产业趋势 标准化建议
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含硫添加剂对8μm锂电铜箔性能的影响研究 被引量：1
5
作者 李谋翠 樊斌锋 +2 位作者 赵玉龙 王庆福 王绪军 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第2期188-191,共4页
采用线性扫描伏安法和循环伏安剥离法研究了Cu^(2+)、H_(2)SO_(4)、Cl^(-)浓度分别为85 g/L、100 g/L、2 mg/L的电解液中添加光亮剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)和3-巯基-1-丙磺酸钠(MPS)对铜电沉积的影响,并研究了SPS和MPS对锂电铜箔抗拉... 采用线性扫描伏安法和循环伏安剥离法研究了Cu^(2+)、H_(2)SO_(4)、Cl^(-)浓度分别为85 g/L、100 g/L、2 mg/L的电解液中添加光亮剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)和3-巯基-1-丙磺酸钠(MPS)对铜电沉积的影响,并研究了SPS和MPS对锂电铜箔抗拉强度、延伸率、光泽度及粗糙度的影响。结果表明,SPS和MPS对铜电沉积具有促进作用,且SPS的促进作用更强;SPS和MPS分别与胶原蛋白和羟乙基纤维素复配后,对铜电沉积的促进作用减弱;SPS更有利于提高铜箔抗拉强度,MPS更有利于提升铜箔延伸率;SPS浓度1.0 mg/L、MPS浓度1.5 mg/L时,铜箔毛面光泽度和粗糙度均较好,铜箔表面平整且致密。 展开更多
关键词 锂电铜箔 电解铜箔 含硫添加剂 胶原蛋白 光泽度 粗糙度 光亮剂 锂离子电池
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铜冠铜箔公司实现5G通信关键材料技术新突破
6
《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2024年第2期41-41,共1页
日前,安徽铜冠铜箔集团股份有限公司(以下简称铜冠铜箔公司)申请的“一种电解高阶通讯用极低轮廓电子铜箔的制作方法及应用”发明专利获得国家知识产权局授权。该创新成果标志着我国5G通信关键材料技术取得重大突破。随着全球5G通信技... 日前,安徽铜冠铜箔集团股份有限公司(以下简称铜冠铜箔公司)申请的“一种电解高阶通讯用极低轮廓电子铜箔的制作方法及应用”发明专利获得国家知识产权局授权。该创新成果标志着我国5G通信关键材料技术取得重大突破。随着全球5G通信技术的快速发展,高频高速电子铜箔的需求日益增长。然而,目前国际上高频超低轮廓铜箔的生产技术主要被日本企业垄断,我国该领域的发展尚处于起步阶段,主要依赖进口,这无疑成为我国在5G基础材料产业中的“卡脖子”难题。 展开更多
关键词 国家知识产权局 高频高速 超低轮廓铜箔 低轮廓 关键材料 电子铜箔 方法及应用 卡脖子
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新型添加剂提高锂电铜箔高温延伸率的研究
7
作者 樊斌锋 王丽娜 +1 位作者 王庆福 王江帆 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第3期108-113,共6页
针对目前现有铜箔延伸率较低造成锂电池负极出现断带情况,为解决断带造成电池断路及寿命短的问题,采用生产试验系统制备高延伸率锂电铜箔,主要研究了新型添加剂E-P和E-M对锂电铜箔高温延伸率性能的影响。结果表明,添加剂E-M光亮效果良好... 针对目前现有铜箔延伸率较低造成锂电池负极出现断带情况,为解决断带造成电池断路及寿命短的问题,采用生产试验系统制备高延伸率锂电铜箔,主要研究了新型添加剂E-P和E-M对锂电铜箔高温延伸率性能的影响。结果表明,添加剂E-M光亮效果良好,可以作为一种光亮剂来替代常用光亮剂;添加剂E-P或E-M单独作用时,可以一定程度提高延伸率,但作用不明显。然而2种添加剂共同作用时,锂电铜箔的表面形貌更加平整,高温延伸率可提高45%~46%,且表观及其它性能均良好,可以满足客户的要求。 展开更多
关键词 电解铜箔 锂电铜箔 新型添加剂 高温延伸率
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四氢噻唑硫酮对锂电铜箔抗拉强度影响分析
8
作者 付争兵 陈星 +1 位作者 童凯文 王伟 《铜业工程》 CAS 2024年第5期21-26,共6页
高抗拉强度铜箔能满足高能量密度电池的辊压生产工艺要求。在正常生产6μm超薄铜箔的添加剂中加入光亮剂四氢噻唑硫酮,测试所得铜箔的光泽度、抗拉强度和粗糙度等物理性能,并对铜箔进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和3D超景深测试分... 高抗拉强度铜箔能满足高能量密度电池的辊压生产工艺要求。在正常生产6μm超薄铜箔的添加剂中加入光亮剂四氢噻唑硫酮,测试所得铜箔的光泽度、抗拉强度和粗糙度等物理性能,并对铜箔进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和3D超景深测试分析。当四氢噻唑硫酮添加量为原配方中光亮剂聚二硫二丙烷磺酸钠质量的10%时,得到的铜箔抗拉强度最高,达到420 MPa。四氢噻唑硫酮中含有不饱和双键和N原子,吸附在阴极辊表面后,强大的负电场对p电子产生排斥作用,使电子给予体S,N原子能力加强,具有sp^(3)杂化空轨道的Cu^(2+)与之接触时,生成稳定络合物,铜箔抗拉强度提高。 展开更多
关键词 铜箔 电解铜箔 抗拉强度 光亮剂 络合物
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添加剂对5μm电解铜箔性能及形貌的影响
9
作者 樊斌锋 韩田莉 +2 位作者 王庆福 彭肖林 裴晓哲 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2024年第2期63-68,共6页
电解铜箔因其具有强度高、延展性良好等优势被广泛应用于新能源领域,目前对于5μm电解铜箔性能的影响因素研究较少。本文采用单一变量法考察了PEG、HVP和HP等添加剂对Cu电沉积的影响,通过正交试验探究PEG、HVP和HP复合添加剂对5μm电解... 电解铜箔因其具有强度高、延展性良好等优势被广泛应用于新能源领域,目前对于5μm电解铜箔性能的影响因素研究较少。本文采用单一变量法考察了PEG、HVP和HP等添加剂对Cu电沉积的影响,通过正交试验探究PEG、HVP和HP复合添加剂对5μm电解铜箔性能的影响,并对比了不同添加剂对5μm电解铜箔外观形貌的影响,得到如下结论:PEG和HVP具有增强极化的作用,且随着浓度的增加极化作用增强,HP具有去极化的作用,且随着浓度的增加去极化作用增强;通过正交试验得出的最优复合添加剂的浓度为PEG 0.36 g/L、HVP 0.12 g/L、HP 0.05 g/L,在此条件下得到的较佳性能为抗拉强度485.17 MPa、延伸率3.72%、粗糙度1.31;相比于单一添加剂,最优配比复合添加剂下的复合镀层表面更加均匀平整,且颗粒细小。 展开更多
关键词 5μm电解铜箔 铜沉积 复合添加剂 聚乙二醇(PEG) 水解蛋白(HVP) 醇硫基丙烷磺酸钠(HP) 铜箔性能 微观形貌
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2023年国内覆铜板、电子铜箔及电路板立项投建投产项目大盘点(2)——电子铜箔篇
10
作者 董有建 祝大同 《覆铜板资讯》 2024年第1期9-16,共8页
本文主要对2023年我国内地范围电解铜箔企业在电子铜箔产业中发生的签约、项目确立、开工投建和产品投产的项目,作以调查统计和盘点,并概括总结了我国电子电路铜箔产业投建投产方面的新特点。
关键词 电子铜箔 电子电路铜箔(PCB铜箔) 产业发展 签约 立项 投建 投产
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电解铜箔生产装备生箔机技术现状与发展趋势
11
作者 付磊 《中文科技期刊数据库（引文版）工程技术》 2024年第9期0109-0112,共4页
生箔机是电解铜箔生产的核心设备,因此生箔机设备质量以及技术水平都对铜箔生产有着直接影响,为了提高生产效率,推动生箔机技术发展具有重要意义。针对电解铜箔生产装备生箔机技术现状,对生箔机设计制造水平、国产化进程、市场需求与产... 生箔机是电解铜箔生产的核心设备,因此生箔机设备质量以及技术水平都对铜箔生产有着直接影响,为了提高生产效率,推动生箔机技术发展具有重要意义。针对电解铜箔生产装备生箔机技术现状,对生箔机设计制造水平、国产化进程、市场需求与产能进行研究,并提出生箔机发展趋势,期望能够为相关工作者提供参考与帮助。提高生箔机自动化程度,能够降低人工干预,提高生产效率,高精度的控制系统和稳定的运行性能,使得电解铜箔生产更加可靠,从而提升整个生产线的效率。 展开更多
关键词 电解铜箔 生箔机 铜箔生产
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高强极薄铜箔制造过程的质量管控要素及常见质量问题的应对分析
12
作者 黄开程 杨祥魁 +5 位作者 姜洪权 周智 陈富民 高建民 程虎跃 朱义刚 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第4期66-73,共8页
随着电子产品的小型化、轻薄化,对电解铜箔的厚度和性能都提出了更高的要求,厚度更薄且综合性能更强的高强极薄铜箔的研发及产业化生产已经成为我国亟需解决的重要问题。由于高强极薄铜箔的制造过程复杂且耦合性强,产品质量控制因素多... 随着电子产品的小型化、轻薄化,对电解铜箔的厚度和性能都提出了更高的要求,厚度更薄且综合性能更强的高强极薄铜箔的研发及产业化生产已经成为我国亟需解决的重要问题。由于高强极薄铜箔的制造过程复杂且耦合性强,产品质量控制因素多且质量问题影响因素复杂,制造过程的质量稳定性控制已成为制约高强极薄铜箔产业化生产的主要瓶颈问题。因此,以电解式高强极薄铜箔制造过程为主线,对各阶段产品的质量管控要素、质量管控方式以及常见质量问题的应对方法进行了系统的分析和探讨,致力于形成系统化的领域专家经验知识,为高强极薄铜箔制造过程的质量控制及量化稳定生产提供解决对策。 展开更多
关键词 高强极薄铜箔 制造过程 质量管控 质量问题
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反向处理铜箔微纳组织形成机理及其对力学性能的作用机制
13
作者 高颢洋 郑月红 +3 位作者 牛嘉楠 朱敏 喇培清 祝思佳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期219-228,共10页
目的第五代移动通信技术(5G)时代,高频高速信号传输过程中由于“趋肤效应”引起的信号损耗甚至“失真”越来越严重,为了解决这一问题,提出了一种反向处理铜箔的新技术,然而国内当前应用的高性能反向处理铜箔(RTF)主要依赖进口,要想在短... 目的第五代移动通信技术(5G)时代,高频高速信号传输过程中由于“趋肤效应”引起的信号损耗甚至“失真”越来越严重,为了解决这一问题,提出了一种反向处理铜箔的新技术,然而国内当前应用的高性能反向处理铜箔(RTF)主要依赖进口,要想在短时间内缩小国内外铜箔性能和生产效率的差距,最终实现这类高端铜箔的国产化,必须在明确该类铜箔微纳结构形成机理及其对性能影响的前提下,加快制备工艺的开发和优化。方法采用电镀法在阴极钛辊上沉积了电解生箔,在其光面进行粗化和镀Zn层等后续处理获得反向处理铜箔,同时以国外反向处理铜箔为参照,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜详细分析其微纳组织与结构,采用激光共聚焦显微镜和万能试验机测量其粗糙度和拉伸性能。结果本工作中的RTF具有与国外商业产品相似的微观结构,由小的等轴晶和较大的柱状晶组成,且包含较多的纳米孪晶,孪晶界占比为30.8%,平均宽度为7.9 nm。S面是均匀的米粒状铜颗粒,而M面是较大的圆锥形铜颗粒。S面上的Zn层均匀致密,厚度约为6.5 nm,只有小部分Zn扩散到基底上形成CuZn3相。但从S面到M面,优选取向从(111)Cu逐渐变为(220)Cu,这与参比RTF略有不同。性能方面,参比RTF的Ra和Rz分别为1.22、1.42μm,抗拉强度为335.10 MPa,伸长率为15.5%,本工作中的RTF具有较低的粗糙度,Ra和Rz分别为0.68、1.03μm,其强度也具有明显优势(393.68 MPa),但延展性低于参比样品。通过对比分析,总结了铜箔在初始外延、过渡生长和电沉积条件控制的生长阶段3个阶段的生长特性,给出了影响每个阶段晶粒生长的主要因素,并且详细讨论了晶粒尺寸和纳米孪晶宽度对铜箔拉伸性能的影响。结论对RTF微观结构和性能的深入研究,有助于找到高性能铜箔国产化“瓶颈”的根源,为高性能铜箔在5G通信领域的进一步发展和应用奠定基础。 展开更多
关键词 铜箔 电镀 反向处理 微纳结构 粗糙度 拉伸性能
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过氧化氢-硫酸体系铜箔微蚀工艺及其稳定剂筛选
14
作者 曾祥健 袁振杰 +4 位作者 周仲鑫 潘湛昌 胡光辉 周勇胜 邓贤江 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2024年第10期56-63,共8页
[目的]过氧化氢-硫酸体系用于PCB(印制线路板)微蚀时存在过氧化氢易分解和微蚀速率过高的问题,研发适宜的稳定剂具有重要的意义。[方法]采用由过氧化氢、硫酸和铜离子组成的溶液对铜箔进行微蚀。先通过研究温度和各组分质量浓度对微蚀... [目的]过氧化氢-硫酸体系用于PCB(印制线路板)微蚀时存在过氧化氢易分解和微蚀速率过高的问题,研发适宜的稳定剂具有重要的意义。[方法]采用由过氧化氢、硫酸和铜离子组成的溶液对铜箔进行微蚀。先通过研究温度和各组分质量浓度对微蚀速率的影响以确定微蚀液的基础成分,然后设计了一系列不同组合的复配稳定剂,以获得适用于不同工艺需求的微蚀液。[结果]较佳的微蚀基础配方和工艺条件为:浓硫酸140 g/L,双氧水110 g/L,铜离子25 g/L,温度30℃,时间1 min。可选择以四羟丙基乙二胺(EDTP)和乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)为主成分,并适当添加磷酸二氢铵(DAP)、N-甲基二乙醇胺(DMEA)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(AMP)、三乙醇胺(TEA)、2-甲基咪唑(2-MI)和1,6-乙二醇(HDO)中的一种或多种作为辅助成分的复配稳定剂。[结论]本研究所得铜箔微蚀工艺具有微蚀速率及铜箔表面粗糙度、形貌可控的优点,能够满足不同的生产需求。 展开更多
关键词 印制线路板 铜箔 微蚀 过氧化氢 硫酸 稳定剂
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附载体极薄铜箔中新型无机/有机复合剥离层的研究
15
作者 张少强 卢伟伟 +5 位作者 宋克兴 刘海涛 武玉英 杨祥魁 樊斌锋 王庆福 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2024年第10期49-55,共7页
[目的]剥离层是成功制备和应用附载体极薄铜箔的关键所在。针对目前单一无机或有机剥离层存在的问题,开展了无机-有机复合剥离层的研究,以期实现载体箔/剥离层/极薄铜箔的多界面剥离强度的差异化控制。[方法]首先电沉积制备了35μm厚的... [目的]剥离层是成功制备和应用附载体极薄铜箔的关键所在。针对目前单一无机或有机剥离层存在的问题,开展了无机-有机复合剥离层的研究,以期实现载体箔/剥离层/极薄铜箔的多界面剥离强度的差异化控制。[方法]首先电沉积制备了35μm厚的铜箔为载体箔,然后依次电沉积Zn-Ni合金层和浸镀2-巯基苯并咪唑(2-MBI)有机层,构建了无机/有机复合剥离层,最后在复合剥离层上电沉积极薄铜箔,制备出附载体极薄铜箔。[结果]Zn-Ni合金层浸镀于2-MBI中时,2-MBI分子可通过其N原子和S原子与Zn、Ni发生键合而锚定在合金层表面,进而构成Zn-Ni合金/2-MBI复合剥离层,令载体箔与极薄铜箔之间的剥离强度适中(约0.083N/mm),且两者剥离后极薄铜箔的光面无Zn-Ni合金残留。[结论]采用无机/有机复合剥离层可实现载体箔/剥离层/极薄铜箔多界面剥离强度的差异化控制,为成功制备附载体极薄铜箔奠定了基础。 展开更多
关键词 附载体极薄铜箔 锌-镍合金 2-巯基苯并咪唑 复合剥离层 剥离强度
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铜箔粗糙度对高速高频PCB信号传输的影响研究 被引量：1
16
作者 雷璐娟 雷川 +5 位作者 曹磊磊 冯天勇 孙军 何为 陈苑明 向斌 《印制电路信息》 2024年第S01期19-27,共9页
随着印制电路板(PCB)传输速率的日益提升,新出现的56 GB/s和112 GB/s的高速系统,以及更高的224 GB/s传输速率需求,正接近传统电子硬件的物理极限,对PCB的信号完整性提出了更大的挑战。本文主要研究在高速高频材料(如M6、M7、M8)上,不同... 随着印制电路板(PCB)传输速率的日益提升,新出现的56 GB/s和112 GB/s的高速系统,以及更高的224 GB/s传输速率需求,正接近传统电子硬件的物理极限,对PCB的信号完整性提出了更大的挑战。本文主要研究在高速高频材料(如M6、M7、M8)上,不同的棕化药水对铜箔粗糙度影响导致的插损性能差异,探讨了棕化药水与PCB插损之间的关系,并提出了相应的改善措施。研究结果对于提高PCB性能具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 高速高频PCB 棕化药水 铜箔粗糙度 插损
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高频铜箔的专利技术分析
17
作者 姚日英 刘红艳 陈刚 《河南科技》 2024年第12期136-139,共4页
【目的】重点分析高频铜箔的技术,对其申请状况、技术发展脉络和研发路线进行剖析,以掌握高频铜箔专利技术的发展情况。【方法】通过专利分析,重点研究高频铜箔专利申请的变化趋势、申请人区域分布、申请人排名、专利申请的技术构成等... 【目的】重点分析高频铜箔的技术,对其申请状况、技术发展脉络和研发路线进行剖析,以掌握高频铜箔专利技术的发展情况。【方法】通过专利分析,重点研究高频铜箔专利申请的变化趋势、申请人区域分布、申请人排名、专利申请的技术构成等。【结果】日本、中国、美国、韩国是高频覆铜板铜箔专利申请的主要来源国/地区。【结论】在高频铜箔领域,日本专利储备丰富,占据了绝对优势,我国目前和未来潜在的专利障碍较大。中国龙头企业则是后来者居上,近年来得益于5G技术的发展和庞大的中国市场,在国际竞争中表现活跃。 展开更多
关键词 高频铜箔 PCB 专利申请 技术分析
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铜-锌合金电沉积及脱合金化法制备多孔铜箔
18
作者 郭翡翔 杨斌 +5 位作者 凌羽 宋克兴 卢伟伟 安茂忠 戎万 孙梁 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2024年第6期23-32,共10页
[目的]纳米多孔铜由于其开放的多孔结构、较高的比表面积、较低的密度等独特的理化性能,在储能、催化剂、传感器等领域有巨大的应用潜力。为了解决金属锂作为锂离子电池负极材料时存在的锂枝晶及安全问题,采用脱合金化法制备多孔铜箔成... [目的]纳米多孔铜由于其开放的多孔结构、较高的比表面积、较低的密度等独特的理化性能,在储能、催化剂、传感器等领域有巨大的应用潜力。为了解决金属锂作为锂离子电池负极材料时存在的锂枝晶及安全问题,采用脱合金化法制备多孔铜箔成为近年来的研究热点。[方法]先以钛板为基体电沉积铜箔基底,接着电沉积Cu-Zn合金,再脱合金化处理得到多孔铜箔。重点研究了工艺参数对Cu-Zn合金镀层形貌、结构和性能的影响。[结果]Cu-Zn合金电沉积的较优工艺条件为:电流密度1.0 A/dm^(2),温度40℃,时间20 min。该条件下所得Cu-Zn合金镀层表面平整、结构均匀、形成单一合金相,经脱合金化处理后Zn元素的去除率为70.6%。[结论]采用电沉积+脱合金化的方法有望制得孔径均匀的多孔铜箔,但会产生裂纹,有待进一步研究和改善。 展开更多
关键词 多孔铜箔 铜-锌合金 电沉积 脱合金化 微观结构
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压延铜箔的无氰电镀镍铜黑化处理工艺
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作者 叶海清 刘新宽 《有色金属材料与工程》 CAS 2024年第5期92-98,共7页
为了研究出相较于电镀纯镍黑化工艺成本更低的电镀镍铜黑化工艺,以NiSO_(4)·6H_(2)O、CuSO_(4)·5H_(2)O、H_(3)BO_(3)、(NH_(4))_(2)S_(2)O_(8)和C_(6)H_(15)NO_(3)为镀液基本成分,通过加入添加剂,使金属在铜箔表面沉积形成... 为了研究出相较于电镀纯镍黑化工艺成本更低的电镀镍铜黑化工艺,以NiSO_(4)·6H_(2)O、CuSO_(4)·5H_(2)O、H_(3)BO_(3)、(NH_(4))_(2)S_(2)O_(8)和C_(6)H_(15)NO_(3)为镀液基本成分,通过加入添加剂,使金属在铜箔表面沉积形成光陷阱结构,从而实现电镀镍铜使铜箔黑化的目的。研究了镀液成分及工艺参数对黑化箔镀层亮度的影响,对黑化箔镀层的成分进行了测试,并对黑化箔镀层结构进行了观察分析。研究结果表明:电镀镍铜的黑化箔镀层中Cu代替Ni形成镀层,黑化箔镀层成分为NiCu;通过加入添加剂可以使电镀时使用的电流密度降低,达到了降低成本的目的。 展开更多
关键词 压延铜箔 镍铜合金 无氰电镀 镀层成分 镀液成分
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电解铜箔的纳米粗化层工艺及抗剥离性能研究
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作者 祝梦俊 罗辉 +2 位作者 徐千惠 陈盈州 谷长栋 《覆铜板资讯》 2024年第4期31-40,共10页
为了提升低粗糙度铜箔的抗剥离性能,本研究提出了一种以硫脲为添加剂的纳米粗化层工艺。未添加硫脲时,粗化层铜芽平均尺度在150~200nm,经过纳米粗化后,纳米铜芽平均尺度在80~100nm,且分布均匀。结合后续有机电沉积辅助硅烷/自氧化聚合... 为了提升低粗糙度铜箔的抗剥离性能,本研究提出了一种以硫脲为添加剂的纳米粗化层工艺。未添加硫脲时,粗化层铜芽平均尺度在150~200nm,经过纳米粗化后,纳米铜芽平均尺度在80~100nm,且分布均匀。结合后续有机电沉积辅助硅烷/自氧化聚合聚多巴胺复合有机层处理,纳米粗化层表现出与环氧树脂基板较好的粘合力。 展开更多
关键词 低粗糙度铜箔 纳米粗化 复合有机层 抗剥离
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