期刊文献+
共找到579篇文章
< 1 2 29 >
每页显示 20 50 100
模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究
1
作者 姜峰 谭泽旦 +5 位作者 黄誓成 方志杰 陆映东 覃立仁 王永清 曾纪术 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第1期134-137,142,共5页
以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对... 以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。 展开更多
关键词 模压成型 氧化铟锡 导电薄膜 靶材 常压烧结 电阻率 致密化
下载PDF
铟锡氧化物陶瓷材料在半导体领域的应用
2
作者 杨志伟 《佛山陶瓷》 CAS 2024年第8期29-30,44,共3页
本文阐述了铟锡氧化物(ITO)陶瓷材料在半导体领域的应用。本文就ITO材料的基本性质,并探讨其在半导体技术,特别是在触摸屏、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)以及太阳能电池板等方面的应用。通过分析ITO的电学和光学特性,旨在展... 本文阐述了铟锡氧化物(ITO)陶瓷材料在半导体领域的应用。本文就ITO材料的基本性质,并探讨其在半导体技术,特别是在触摸屏、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)以及太阳能电池板等方面的应用。通过分析ITO的电学和光学特性,旨在展示这种材料如何为现代电子设备的发展做出贡献,并探讨其未来潜在的应用前景。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 陶瓷材料 半导体技术 光电性能
下载PDF
氧化铟锡纳米晶薄膜的制备及其电致变色性能
3
作者 贾岩 刘东青 程海峰 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期215-221,共7页
采用一锅法合成不同形貌、尺寸的氧化铟锡(ITO)纳米晶,并通过旋涂工艺制备ITO纳米晶薄膜,研究不同形貌、尺寸ITO纳米晶制备的薄膜的近红外光谱调控性能。结果表明:5次旋涂后,ITO纳米晶薄膜的可见光透过率为89.2%,电阻率为54Ω·cm... 采用一锅法合成不同形貌、尺寸的氧化铟锡(ITO)纳米晶,并通过旋涂工艺制备ITO纳米晶薄膜,研究不同形貌、尺寸ITO纳米晶制备的薄膜的近红外光谱调控性能。结果表明:5次旋涂后,ITO纳米晶薄膜的可见光透过率为89.2%,电阻率为54Ω·cm。平均直径为(6.88±1.53)nm的均匀球形ITO纳米晶制备的薄膜表现出最优的近红外光谱调控能力,在施加±2.5 V电压后,其在2000 nm的光谱调制量为39.3%,光密度变化量为0.43。在电致变色前后,ITO纳米晶薄膜始终保持高可见光透过率。ITO纳米晶的电致变色是由于电子注入/脱出导致的局域表面等离子体共振(LSPR)频率和强度变化引起,其电致变色过程是通过电容充放电实现的。 展开更多
关键词 氧化铟锡 电致变色 纳米晶薄膜 智能窗
下载PDF
微流体沉淀剂法制备铟锡氧化物纳米粉体及其表征
4
作者 夏先禹 杨四齐 +2 位作者 张利华 白希为 姚浩 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2023年第10期16-21,共6页
采用微流体沉淀法,以InCl_(3)·4H_(2)O和SnCl_(4)·5H_(2)O作为原料、NH_(3)·H_(2)O和Na_(2)CO_(3)分别作为沉淀剂,在毛细管微反应器中成功制备出铟锡氧化物(ITO)纳米粉体。利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对其... 采用微流体沉淀法,以InCl_(3)·4H_(2)O和SnCl_(4)·5H_(2)O作为原料、NH_(3)·H_(2)O和Na_(2)CO_(3)分别作为沉淀剂,在毛细管微反应器中成功制备出铟锡氧化物(ITO)纳米粉体。利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对其物相和形貌进行分析,并测量其粒径尺寸和分布,通过选区电子衍射(SAED)确定晶体结构,利用傅里叶变化红外光谱仪(FT-IR)和四探针方阻电阻率测量仪对其光电性能进行表征。结果表明,前驱体在650℃下煅烧2 h可以得到良好结晶度和立方体的纯净ITO纳米粉体,均为分散性良好、粒径分布窄的椭球形多晶晶体。与Na_(2)CO_(3)作为沉淀剂相比,NH_(3)·H_(2)O制备得到的ITO纳米粉体粒径更小、分布更均匀,因此具有更为优异的光电性能,对红外光的透过率及电阻率值分别为0.31%和(1.56±0.19)Ω·cm,而Na_(2)CO_(3)条件下分别为0.81%和(5.79±0.33)Ω·cm。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 纳米粉体 微反应器 微流体沉淀 光电性能
下载PDF
铟锡合金真空蒸馏分离的研究 被引量:11
5
作者 李冬生 刘大春 +2 位作者 杨斌 邓勇 蒋文龙 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期176-179,共4页
研究了真空蒸馏法分离铟锡合金,回收金属铟与锡的新工艺。从理论上分析了铟与锡分离的可能性和规律性,并进行工业化试验。工业化试验的结果表明,控制蒸馏温度1050℃,真空度3 Pa时,铟锡合金中的铟与锡能在较大程度上分离开,得到含铟量大... 研究了真空蒸馏法分离铟锡合金,回收金属铟与锡的新工艺。从理论上分析了铟与锡分离的可能性和规律性,并进行工业化试验。工业化试验的结果表明,控制蒸馏温度1050℃,真空度3 Pa时,铟锡合金中的铟与锡能在较大程度上分离开,得到含铟量大于95%的粗铟,粗铟中的含锡量降至1%以下。铟的直收率达到92%,物料的总回收率达到99%。该方法是铟锡分离中流程短、无污染、低能耗的新工艺、新技术。 展开更多
关键词 铟锡合金 真空蒸馏 粗铟 铟锡中间物
原文传递
铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究 被引量:15
6
作者 张树高 扈百直 +2 位作者 吴义成 方勋华 黄伯云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-384,共2页
用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ITO陶瓷靶材致密化的... 用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ITO陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明:靶材的相对密度在大约 1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低。分析了 ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用。还分析了 ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 陶瓷靶材 热等静压 致密化
下载PDF
纳米氧化铟锡透明隔热涂料的制备及性能表征 被引量:40
7
作者 陈飞霞 付金栋 +1 位作者 韦亚兵 赵石林 《涂料工业》 CAS CSCD 2004年第2期48-51,共4页
采用在水中分散好的氧化铟锡 (ITO)水浆 ,以及有机硅树脂成膜剂 ,通过加入共溶剂并调整体系pH值 ,制得了性能好的透明隔热涂料。试验结果表明 ,该涂料具有良好的光谱选择性 ,在可见光区具有高的透过性 。
关键词 纳米氧化铟锡 透明隔热涂料 制备 有机硅树脂 光学性能 隔热效果
下载PDF
单分散纳米氧化铟锡粉末的水热合成 被引量:21
8
作者 朱归胜 徐华蕊 廖春图 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期479-483,共5页
以金属铟和锡为原料,于碱性环境240℃水热合成12h并经500℃煅烧2h得到了 粒径为70±10nm,比表面积为11 m2/g的高纯氧化铟锡(ITO)粉末.由SEM、激光粒度测试 仪和BET三种方法分析得到的粉末平均粒径相吻合,证明制备的粉末是单分散状... 以金属铟和锡为原料,于碱性环境240℃水热合成12h并经500℃煅烧2h得到了 粒径为70±10nm,比表面积为11 m2/g的高纯氧化铟锡(ITO)粉末.由SEM、激光粒度测试 仪和BET三种方法分析得到的粉末平均粒径相吻合,证明制备的粉末是单分散状态的.研究 还发现,提高铟锡初始浓度和氢氧化钠过量浓度均有利于小粒径单分散ITO粉末的制备,但 过高的氢氧化钠过量浓度会使粉末出现团聚. 展开更多
关键词 氧化铟锡(ITO) 纳米粉末 水热 单分散
下载PDF
真空蒸馏铟锡合金回收金属铟的研究 被引量:10
9
作者 刘环 魏钦帅 +2 位作者 刘大春 杨斌 戴永年 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期902-906,共5页
采用真空电阻炉对铟锡合金进行了实验研究。首先通过实验确定了较好的蒸馏时间和蒸馏温度范围。最后根据化验结果确定了对生产具有指导意义的实验条件,即对金属铟质量分数为90%的铟锡合金进行真空蒸馏时,采取的对生产具有指导意义的工... 采用真空电阻炉对铟锡合金进行了实验研究。首先通过实验确定了较好的蒸馏时间和蒸馏温度范围。最后根据化验结果确定了对生产具有指导意义的实验条件,即对金属铟质量分数为90%的铟锡合金进行真空蒸馏时,采取的对生产具有指导意义的工艺条件为蒸馏温度1250℃,蒸馏时间60 min;蒸馏温度1300℃,蒸馏时间40 min;所得的金属铟的含铟量大于99%。 展开更多
关键词 铟锡 真空蒸馏 回收
原文传递
直接电沉积金纳米粒子修饰氧化铟锡电极测定亚硝酸根 被引量:12
10
作者 赵美莲 倪丹丹 +2 位作者 王建文 狄俊伟 屠一锋 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1729-1731,共3页
以电化学沉积法一步制得了金纳米粒子(GNP)修饰氧化铟锡(ITO)电极,采用紫外、扫描电镜及循环伏安法对GNP/ITO修饰电极进行了表征。结果表明,金纳米粒子在ITO电极表面呈球形,分布均匀无团聚,粒径约30nm。该修饰电极具有良好的... 以电化学沉积法一步制得了金纳米粒子(GNP)修饰氧化铟锡(ITO)电极,采用紫外、扫描电镜及循环伏安法对GNP/ITO修饰电极进行了表征。结果表明,金纳米粒子在ITO电极表面呈球形,分布均匀无团聚,粒径约30nm。该修饰电极具有良好的电化学性能,在pH2.2的Na2HPO4-柠檬酸缓冲溶液中其氧化峰电流与NO2^-的浓度呈良好的线性关系,线性范围为5×10^-6~5.5×10^-4mol/L,线性回归方程为:i(μA)=1.07+136C(mmol/L),相关系数r=0.9969;检出限可达1.0×10^-6mol/L。该修饰电极用于废水中NO2^-的测定,结果令人满意。 展开更多
关键词 电化学沉积 金纳米粒子 亚硝酸根 氧化铟锡电极 化学修饰电极
下载PDF
硫化沉淀法分离ITO废靶浸出液中铟锡的研究 被引量:12
11
作者 刘志宏 李玉虎 +2 位作者 李启厚 艾侃 张多默 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期53-56,共4页
铟锡复合氧化物(ITO,Indium and Tin Oxide)膜是铟的主要应用领域。在其制备工艺中,产出大量的ITO废靶需回收处理。研究了硫化沉淀法分离ITO废靶硫酸浸出液中铟、锡的工艺。平衡计算证明了硫化沉淀分离铟、锡的可行性。试验研究了温度... 铟锡复合氧化物(ITO,Indium and Tin Oxide)膜是铟的主要应用领域。在其制备工艺中,产出大量的ITO废靶需回收处理。研究了硫化沉淀法分离ITO废靶硫酸浸出液中铟、锡的工艺。平衡计算证明了硫化沉淀分离铟、锡的可行性。试验研究了温度、酸度及反应时间对分离过程的影响,正交试验得出最佳工艺条件:温度323 K,反应时间20 min,溶液起始酸度100 g H2SO4/L。在此条件下,除锡率可达100%,铟在渣中的损失率仅为0.47%。 展开更多
关键词 ITO废靶 回收 铟锡分离 硫化沉淀法
下载PDF
铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒的制备及表征 被引量:10
12
作者 赵燕熹 何宝林 +1 位作者 强世伟 彭程 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1033-1037,共5页
以金属 In 和 SnCl4·5H2O 为主要原料, 加入保护剂 PVP, 利用化学共沉淀法合成了球形的铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒。分别对 PVP 的用量、溶液的 pH 值、热处理温度等因素对 ITO 纳米颗粒粒径的影响进行了分析。并且借助透射电镜(TEM)... 以金属 In 和 SnCl4·5H2O 为主要原料, 加入保护剂 PVP, 利用化学共沉淀法合成了球形的铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒。分别对 PVP 的用量、溶液的 pH 值、热处理温度等因素对 ITO 纳米颗粒粒径的影响进行了分析。并且借助透射电镜(TEM)、X 射线衍射(XRD)对所合成的 ITO 纳米颗粒进行了表征。XRD 分析说明本文合成了金刚砂型结构的铟锡氧化物纳米颗粒, 并且其晶型结构随着热处理温度的升高而转变为铁锰矿型。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 纳米颗粒 XRD
下载PDF
改性方法对氧化铟锡衬底表面形貌和化学组分的影响 被引量:18
13
作者 陈首部 韦世良 +1 位作者 何翔 孙奉娄 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第4期43-46,共4页
采用溶剂超声、酸、碱处理等方法对氧化铟锡衬底进行表面改性,研究了改性方法对衬底表面性质及其发光二极管器件性能的影响.实验结果表明:衬底表面性质跟改性方法密切相关,酸、碱处理更加有效降低了衬底表面粗糙度和碳污染,优化了衬底... 采用溶剂超声、酸、碱处理等方法对氧化铟锡衬底进行表面改性,研究了改性方法对衬底表面性质及其发光二极管器件性能的影响.实验结果表明:衬底表面性质跟改性方法密切相关,酸、碱处理更加有效降低了衬底表面粗糙度和碳污染,优化了衬底的表面形貌和化学组分.另外,器件性能也依赖于衬底表面改性方法,溶剂超声处理的器件存在有明显的电流异常行为,而酸、碱处理的器件表现为正常的二极管伏安特性,并且具有较小的驱动电压. 展开更多
关键词 氧化铟锡 表面形貌 化学组分
下载PDF
喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜 被引量:7
14
作者 季振国 赵丽娜 +2 位作者 何作鹏 陈琛 周强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期211-216,共6页
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在... 利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06-0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过 0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上. 展开更多
关键词 铟锡氧化物 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解
下载PDF
铟锡氧化物 (ITO) 靶材的应用和制备技术 被引量:23
15
作者 钟毅 王达健 +1 位作者 刘荣佩 郭玉忠 《昆明理工大学学报(理工版)》 1997年第1期66-70,共5页
对铟锡氧化物(ITO)靶材的现有生产工艺方案和应用现状及前景作了综合评述.
关键词 靶材 爆炸成形 动态成形 铟锡氧化物 制备
下载PDF
高密度氧化铟锡(ITO)靶材制备工艺的研究进展 被引量:13
16
作者 王松 谢明 +2 位作者 王塞北 杨云峰 付作鑫 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2013年第1期207-210,220,共5页
ITO靶材是导电玻璃、LED、太阳能电池等行业的核心材料之一。综合评述了高密度ITO靶材的研究现状。介绍了ITO粉末的制备方法如机械混合法、喷雾热分解法、喷雾燃烧法、化学共沉淀法、金属醇盐水解法、水热合成法等以及ITO靶材的制备工... ITO靶材是导电玻璃、LED、太阳能电池等行业的核心材料之一。综合评述了高密度ITO靶材的研究现状。介绍了ITO粉末的制备方法如机械混合法、喷雾热分解法、喷雾燃烧法、化学共沉淀法、金属醇盐水解法、水热合成法等以及ITO靶材的制备工艺。比较和分析了ITO粉体和靶材各制备工艺的优缺点。最后提出了制备高品质ITO靶材的研究方向。 展开更多
关键词 氧化铟锡靶材 高密度 制备
下载PDF
可鉴别室内有害气体的铟锡氧化物薄膜气敏特性研究 被引量:11
17
作者 季振国 孙兰侠 +4 位作者 何振杰 范镓 王玮 方向生 陈裕泉 《传感技术学报》 CAS CSCD 2004年第2期277-279,共3页
采用无机试剂SnCl2 ·2H2 O及InCl3·4H2 O为原料 ,用溶胶 -凝胶提拉法制备了铟锡比不同的氧化铟锡薄膜构成的气敏传感器阵列 ,并对薄膜的电学性能及气敏性能进行了表征。结果表明 ,不同铟锡比组成的氧化铟锡薄膜不但载流子浓... 采用无机试剂SnCl2 ·2H2 O及InCl3·4H2 O为原料 ,用溶胶 -凝胶提拉法制备了铟锡比不同的氧化铟锡薄膜构成的气敏传感器阵列 ,并对薄膜的电学性能及气敏性能进行了表征。结果表明 ,不同铟锡比组成的氧化铟锡薄膜不但载流子浓度不同 ,而且导电类型也不同 ,即阵列中每个传感器薄膜的载流子浓度和导电类型是不同的。当气体分子与阵列中的传感器表面接触时 ,由于载流子种类、载流子浓度、费米能级等的不同 ,导致电荷转移情况也不同 ,使得阵列具有很好的选择性。通过对甲醛、苯、甲苯、二甲苯的测试 ,证明此阵列对四种室内污染气体具有较好的选择性。 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 溶胶-凝胶法 气敏传感器阵列 选择性
下载PDF
氧化铟锡TCO薄膜的制备及其结晶性能研究 被引量:7
18
作者 顾锦华 陆轴 +2 位作者 龙路 康淮 钟志有 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第2期91-96,140,共7页
以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄... 以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构,其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响.生长温度升高时,薄膜(222)晶面的织构系数T_(C(222))和晶粒尺寸先增后减,而晶格应变和位错密度则先减后增.当生长温度为500 K时,ITO样品的织构系数T_(C(222))最高(1.5097)、晶粒尺寸最大(52.8 nm)、晶格应变最低(1.226×10^(-3))、位错密度最小(3.409×10^(14)m^(-2)),具有最佳的(222)晶面择优取向性和微结构性能. 展开更多
关键词 氧化铟锡 薄膜 微结构 结晶性能
下载PDF
TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究 被引量:5
19
作者 张家祥 卢凯 +8 位作者 郭建 姜晓辉 崔玉琳 王亮 阎长江 曲连杰 陈旭 闵泰烨 苏顺康 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期55-59,共5页
对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,... 对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。 展开更多
关键词 无退火工艺 透过率 氧化铟锡 TFT特性
下载PDF
纳米铟锡氧化物粉体的制备及表面改性 被引量:18
20
作者 黄杏芳 沈晓冬 +1 位作者 崔升 李凤雷 《无机盐工业》 CAS 2004年第1期24-25,共2页
在水介质中通过化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)粉体,利用表面处理剂对ITO颗粒进行表面包裹。采用X-射线衍射分析仪、透射电镜、红外光谱分析仪、差热分析仪等分析了该ITO的物相结构及表面形貌。结果表明,该ITO为锡掺杂的三氧化二铟... 在水介质中通过化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)粉体,利用表面处理剂对ITO颗粒进行表面包裹。采用X-射线衍射分析仪、透射电镜、红外光谱分析仪、差热分析仪等分析了该ITO的物相结构及表面形貌。结果表明,该ITO为锡掺杂的三氧化二铟晶体,经表面包裹后,成为粒径均匀、大小约为50nm、无团聚的纳米粒子。经静态沉淀法分析,该纳米粒子在有机物(MMA)中有良好的分散性。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 纳米粉体 制备 表面改性 分散性 共沉淀法 半导体
下载PDF
上一页 1 2 29 下一页 到第
使用帮助 返回顶部