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铟锡氧化物 (ITO) 靶材的应用和制备技术 被引量:23
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作者 钟毅 王达健 +1 位作者 刘荣佩 郭玉忠 《昆明理工大学学报(理工版)》 1997年第1期66-70,共5页
对铟锡氧化物(ITO)靶材的现有生产工艺方案和应用现状及前景作了综合评述.
关键词 爆炸成形 动态成形 铟锡氧化物 制备
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铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究 被引量:15
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作者 张树高 扈百直 +2 位作者 吴义成 方勋华 黄伯云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-384,共2页
用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ITO陶瓷靶材致密化的... 用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ITO陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明:靶材的相对密度在大约 1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低。分析了 ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用。还分析了 ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 陶瓷 热等静压 致密化
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大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展 被引量:2
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作者 姜峰 谭泽旦 +4 位作者 黄誓成 陆映东 覃立仁 曾纪术 方志杰 《广西科学》 CAS 北大核心 2022年第6期1169-1177,1187,共10页
氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需... 氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势,总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状,最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。 展开更多
关键词 氧化铟锡(ito) 大尺寸 制备 成型工艺 烧结工艺
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碘量法测定铟锡氧化物靶材废料中锡 被引量:7
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作者 何小虎 周素莲 +1 位作者 韦莉 黎羿合 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期65-69,共5页
提出了一种测定铟锡氧化物(ITO)靶材废料中锡量的分析方法,并对ITO靶材废料样品的分解方法、还原酸度的范围、基体和共存元素的干扰进行了探讨。结果表明:采用过氧化钠熔融分解样品,以铁粉还原、过滤分离部分共存元素,还原酸度(V... 提出了一种测定铟锡氧化物(ITO)靶材废料中锡量的分析方法,并对ITO靶材废料样品的分解方法、还原酸度的范围、基体和共存元素的干扰进行了探讨。结果表明:采用过氧化钠熔融分解样品,以铁粉还原、过滤分离部分共存元素,还原酸度(V/V)控制在359/6~50%,在保护气氛下,用铝片将锡还原为二价锡,以淀粉为指示剂,碘量法测定锡时,效果较佳。采用方法对国内外6个ITO靶材废料代表试样进行分析,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP—AES)吻合,10次平行测定的相对标准偏差(RSD)为0.29%~1.5%,加标回收率在99%~100%之间。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito)废料 碘量法
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EDTA滴定法测定废铟锡氧化物靶材中铟 被引量:15
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作者 吴文启 黄煦 +1 位作者 李奋 廖红梅 《冶金分析》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期37-40,共4页
提出了一种测定废铟锡氧化物(ITO)靶材中大量铟的方法。方法包括用盐酸溶样、盐酸-氢溴酸混合酸加热除锡,阳离子交换树脂分离杂质元素,最后用EDTA作滴定剂在PH2.3~2.5溶液中滴定铟。与铟共存的铁、锰、镁、铬、钙、锆、铪、钪、... 提出了一种测定废铟锡氧化物(ITO)靶材中大量铟的方法。方法包括用盐酸溶样、盐酸-氢溴酸混合酸加热除锡,阳离子交换树脂分离杂质元素,最后用EDTA作滴定剂在PH2.3~2.5溶液中滴定铟。与铟共存的铁、锰、镁、铬、钙、锆、铪、钪、钨、硅、铈,经离子交换树分离后对测定没有影响,大量锡经盐酸-氢溴酸混合酸加热后已除去,溶液中残留锡可用冰醋酸掩蔽。铋不能被离子交换分离,对测定有干扰。方法用于ITO靶材中铟的测定,相对标准偏差为0.15%,回收率在99.8%~100.2%之间。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 离子交换分离 滴定法 测定
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从铟锡氧化物废靶材中回收铟
6
《有色金属再生与利用》 2006年第8期52-52,共1页
这里包括浸出、除杂、置换、电解等步骤,特征是一段浸出的控制条件为:浸出液中盐酸的始酸浓度50~150g/l,温度40℃~80℃,浸出时间1~5小时;二段浸出条件相应为150-250g/l,50℃-90℃,2~6小时,净化除杂温度为25℃~60℃,用... 这里包括浸出、除杂、置换、电解等步骤,特征是一段浸出的控制条件为:浸出液中盐酸的始酸浓度50~150g/l,温度40℃~80℃,浸出时间1~5小时;二段浸出条件相应为150-250g/l,50℃-90℃,2~6小时,净化除杂温度为25℃~60℃,用海绵铟或铟片作净化剂。主要用于从铟锡氧化物废靶材中回收铟。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 回收 净化除杂 浸出液 控制条件 浸出时间 浸出条件 酸浓度 净化剂
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铟锡氧化物陶瓷靶的制备 被引量:1
7
作者 刘喜波 陈派明 杨硕 《材料开发与应用》 CAS 2011年第3期26-29,共4页
研究了铟锡氧化物(ITO)粉末退火后的组织和结构,比较了不同状态的粉末和制备工艺对ITO靶材的影响。结果表明,纳米ITO粉末在800℃以下具有体心立方In2O3结构,1100℃退火后由In2O3和SnO2两相组成;ITO粉末经过喷雾造粒后,形成了实心球形颗... 研究了铟锡氧化物(ITO)粉末退火后的组织和结构,比较了不同状态的粉末和制备工艺对ITO靶材的影响。结果表明,纳米ITO粉末在800℃以下具有体心立方In2O3结构,1100℃退火后由In2O3和SnO2两相组成;ITO粉末经过喷雾造粒后,形成了实心球形颗粒并具有合理的颗粒级配,通过气氛烧结可以制备出高密度优良的ITO靶材。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 退火 喷雾造粒
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铟锡氧化物陶瓷靶的现状 被引量:4
8
作者 李锦 《江苏陶瓷》 CAS 2000年第1期9-11,共3页
详细论述了铟锡氧化物陶瓷靶(ITO陶瓷靶)的生产工艺性能要求 ,重点介绍了利用ITO陶瓷靶生产的电子溅射产品———ITO透明导电膜玻璃的应用前景。
关键词 铟锡氧化物 ito 陶瓷 导电膜玻璃 电子陶瓷
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ITO纳米粉末爆炸压实烧结致密化陶瓷靶材研究 被引量:6
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作者 李晓杰 张越举 +2 位作者 王金相 李瑞勇 赵铮 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期12-14,共3页
对ITO商业复合粉末应用爆炸冲击方法压实烧结 ,并对样品进行了XRD和ESM检测。通过粉末和压实后样品的XRD图及SEM照片的比较 ,发现在爆炸冲击压实纳米ITO陶瓷粉末时 ,能够使晶粒度减小 ,有助于后续烧结密实过程中控制ITO靶材的晶粒度的... 对ITO商业复合粉末应用爆炸冲击方法压实烧结 ,并对样品进行了XRD和ESM检测。通过粉末和压实后样品的XRD图及SEM照片的比较 ,发现在爆炸冲击压实纳米ITO陶瓷粉末时 ,能够使晶粒度减小 ,有助于后续烧结密实过程中控制ITO靶材的晶粒度的过分长大 ;SEM图片显示 ,在 12 0 0℃烧结的靶材微观结构比较均匀。本文探索了纳米ITO粉末冲击压实烧结的微观机理 ,并与以往人们对粉末的冲击沉能结论进行了比较 ,得出结论 :压实烧结的主要机理是破碎填充效应 ,使得一部分粉末颗粒表面原子间的距离达到了点阵量级 ,从而产生键合力 ;一部分表面原子间的距离达到了一定小的程度 ,VanderWaals力使其结合。 展开更多
关键词 ito纳米粉末 爆炸压实烧结 致密化 陶瓷 晶粒度 微观结构 氧化铟锡
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ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究 被引量:4
10
作者 姚吉升 唐三川 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第B12期47-50,共4页
本文报导了ITO靶材溅射时,靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构;探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法,对改善ITO膜质有较好的参考价值。
关键词 ito ito 结瘤 黑化物 磁控溅射 铟锡氧化物薄膜 镀膜
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ITO靶材的研究与发展 被引量:10
11
作者 阮进 陈敬超 +1 位作者 于杰 杜晔平 《电工材料》 CAS 2008年第2期35-37,42,共4页
简要介绍了铟(In)的用途及国内铟产业的现状。重点介绍了国内外ITO(铟锡氧化物)靶材的研究现状、主要制备方法(热等静压法、热压法和烧结法)及发展趋势。
关键词 铟(In) ito(铟锡氧化物) 制备方法
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铟锡氧化物及其应用 被引量:22
12
作者 何小虎 韦莉 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2003年第4期51-55,57,共6页
简述了ITO粉末、ITO靶材、ITO透明导电薄膜的生产工艺、性质及用途,并介绍了国内外有关资源储量、生产和消费市场情况。
关键词 ito粉末 透明导电薄膜 铟锡氧化物 生产工艺
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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象 被引量:19
13
作者 孔伟华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1083-1088,共6页
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒... 研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生. 展开更多
关键词 ito 直流磁控反应溅射 毒化现象 氧化二铟 氧化 导电氧化物半导体 薄膜 制备
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ITO靶材中氧含量EPMA定量分析方法研究 被引量:2
14
作者 许德美 李峰 付晓旭 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期60-63,共4页
ITO靶材中氧含量的理论值为 17 66% (重量百分比 )。在成型过程中 ,因工艺条件的不同 ,各类靶材会有不同程度的失氧 ,失氧量的多少决定着其性能的优劣。本文将探讨EPMA测量ITO靶中氧含量时所遇到的问题 ,针对ITO靶材材质自身的特点 ,采... ITO靶材中氧含量的理论值为 17 66% (重量百分比 )。在成型过程中 ,因工艺条件的不同 ,各类靶材会有不同程度的失氧 ,失氧量的多少决定着其性能的优劣。本文将探讨EPMA测量ITO靶中氧含量时所遇到的问题 ,针对ITO靶材材质自身的特点 ,采用不同于传统EPMA测量方法 ,准确地测量了ITO靶材中的氧含量。本方法的主要特征为 :不作基质修正 ,考虑晶体结构带来的影响而引入密度修正。 展开更多
关键词 氧含量 ito ito EPMA 密度 基质修正 谱峰漂移 电子探针定量分析 铟锡复合氧化物
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ITO靶材的发展现状 被引量:11
15
作者 李锦桥 《新材料产业》 2000年第12期35-36,72,共3页
1 前言 铟锡氧化物(英语 indium tin oxide)简称ITO。成品ITO陶瓷靶色泽为墨绿色亚光,形状为圆片或矩形片,圆片尺寸一般为φ80mm×6mm以上,矩形片尺寸一般为180mm×160mm×6mm~380mm×380mm×9mm之间,ITO靶的化学... 1 前言 铟锡氧化物(英语 indium tin oxide)简称ITO。成品ITO陶瓷靶色泽为墨绿色亚光,形状为圆片或矩形片,圆片尺寸一般为φ80mm×6mm以上,矩形片尺寸一般为180mm×160mm×6mm~380mm×380mm×9mm之间,ITO靶的化学成份是In_2O_3-SnO_2,其中In、Sn按重量百分比铟含量要超过80%。 展开更多
关键词 铟锡氧化物陶瓷 ito 电子陶瓷 生产工艺 ito透明导电膜玻璃 应用
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新型显示产业的ITO靶材市场探讨 被引量:5
16
作者 杨扬 《新材料产业》 2017年第1期40-43,共4页
自20世纪90年代以来,铟锡氧化物(Indium Tin Oxides,ITO)靶材技术得到了快速的发展,在平面显示器产业半导体集成电路制造和信息存储产业的等领域中都有广泛应用,ITO靶材技术在各种新型电子元器件领域发挥了极为重要的作用。针对... 自20世纪90年代以来,铟锡氧化物(Indium Tin Oxides,ITO)靶材技术得到了快速的发展,在平面显示器产业半导体集成电路制造和信息存储产业的等领域中都有广泛应用,ITO靶材技术在各种新型电子元器件领域发挥了极为重要的作用。针对显示面板这个新兴产业,工业和信息化部、国家发展和改革委员会已于2014年提出了“新3年行动计划”,即支持国内显示面板行业在市场、技术和产业3方面的发展。 展开更多
关键词 ito 显示产业 市场 国家发展和改革委员会 集成电路制造 显示面板 铟锡氧化物 平面显示器
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热压ITO靶材微观组织的电镜观察
17
作者 王东新 钟景明 朱学信 《宁夏工程技术》 CAS 2003年第1期55-57,共3页
观察比较了两种热压工艺制造的ITO靶材的微观组织.观察结果显示:两种工艺制造的ITO靶材的微组织大不相同.符合技术要求的靶材(试样Hy—1,Hy—2,Hy—3)微观组织致密且晶界平直,无任何析出物;而材在造成其有缺陷的温度条件下(试样Hy—5,Hy... 观察比较了两种热压工艺制造的ITO靶材的微观组织.观察结果显示:两种工艺制造的ITO靶材的微组织大不相同.符合技术要求的靶材(试样Hy—1,Hy—2,Hy—3)微观组织致密且晶界平直,无任何析出物;而材在造成其有缺陷的温度条件下(试样Hy—5,Hy—7,Hy—9)均可观察到有液相形成,并因液相润湿晶界后退湿不完全而在晶界上形成In,Sn和SnO2析出物,同时在靶材中还存在大量晶界反应不完全.两种靶材微观组的不同还导致其力学性能产生显著变化,前者的抗弯强度可达到227~244MPa,而后者的抗弯强度却只有6287Mpa. 展开更多
关键词 电镜观察 ito 热压工艺 微观组织 金属氧化物陶瓷 抗弯强度 力学性能
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基于蒸馏法的ITO废靶中铟锡资源化的试验研究
18
作者 汪洋 陈志华 +2 位作者 刘阅 杨桂芳 袁米雪 《山东冶金》 CAS 2021年第2期46-49,共4页
应用蒸馏法对ITO(氧化铟锡)废靶的盐酸浸出液进行铟、锡分离及其资源化的设想进行试验研究,确定最佳的蒸馏参数和条件。研究结果表明,蒸馏过程的相对理想条件为油浴132℃下恒温5 h,锡的去除率高达99.52%,铟的损失率仅为0.30%。本研究在... 应用蒸馏法对ITO(氧化铟锡)废靶的盐酸浸出液进行铟、锡分离及其资源化的设想进行试验研究,确定最佳的蒸馏参数和条件。研究结果表明,蒸馏过程的相对理想条件为油浴132℃下恒温5 h,锡的去除率高达99.52%,铟的损失率仅为0.30%。本研究在获得满意的铟锡分离效果和铟锡直收率的同时,可得到高品质的金属铟产品及副产品五水氯化锡;且蒸馏过程初期蒸出的盐酸经冷凝回收后可回用至盐酸浸出工序,节约酸碱中和成本的同时实现了清洁生产。 展开更多
关键词 ito 铟锡资源化 蒸馏 回收率 分离
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某液晶显示器生产企业接触氧化铟锡靶材岗位职业病危害调查 被引量:1
19
作者 吴传栋 方四新 +1 位作者 张家祥 朱启星 《职业卫生与应急救援》 2023年第3期287-290,295,共5页
目的了解液晶显示器生产企业接触氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)靶材岗位职业病危害现状及相关从业人员的健康状况,以控制或消除职业病危害,保护劳动者健康。方法对安徽某液晶显示器生产企业进行现场调查,回顾性分析该企业2020年的职... 目的了解液晶显示器生产企业接触氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)靶材岗位职业病危害现状及相关从业人员的健康状况,以控制或消除职业病危害,保护劳动者健康。方法对安徽某液晶显示器生产企业进行现场调查,回顾性分析该企业2020年的职业病危害因素检测资料、职业病防护设施等情况;选取2019年接触ITO靶材的123人作为接触组,选取上岗前体检的238名不曾接触任何职业病危害因素的员工作为对照组,比较两组人员体检结果。结果该公司生产过程中,接触ITO靶材岗位为阵列工序的溅射岗、干刻岗,彩膜工序的溅射岗,3个岗位生产运行中可能存在噪声、铟及其化合物粉尘以及金属粉尘等多种有害因素。经现场检测,职业病危害因素检测结果均未超过国家职业接触限值;2019年相关岗位未发现疑似职业病,发现职业禁忌证1名;与对照组相比,接触ITO靶材岗位从业人员肺功能、转氨酶、舒张压、血糖、血尿酸、腹部彩超、脂肪肝、肝内钙化、胆结石、前列腺钙化等异常检出率更高(P<0.05)。结论该液晶显示器生产企业职业卫生工作总体较好,但接触ITO靶材岗位工人仍表现出较高的体检异常结果。接触ITO靶材岗位工人应做好针对噪声和粉尘的防护;企业应做好工人健康教育工作。 展开更多
关键词 液晶显示器 职业病危害因素 职业健康监护 氧化铟锡 ito 铟及其化合物
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纳米ITO粉体的团聚与分散分析 被引量:2
20
作者 杨扬 傅清波 谢梦 《新材料产业》 2019年第8期54-57,共4页
铟锡氧化物(ITO)是一种N型半导体材料,通常包括ITO粉体、ITO靶材以及ITO导电薄膜。目前制备ITO粉体常见的方法有:水热合成法、共沉淀法机械混合法和喷雾热分解法。其中,国内主要以化学沉淀法为主,该方法具备制备成本低、方法简单、易于... 铟锡氧化物(ITO)是一种N型半导体材料,通常包括ITO粉体、ITO靶材以及ITO导电薄膜。目前制备ITO粉体常见的方法有:水热合成法、共沉淀法机械混合法和喷雾热分解法。其中,国内主要以化学沉淀法为主,该方法具备制备成本低、方法简单、易于工业化生产优点,但最大的缺点是易出现纳米颗粒的团聚[1]。 展开更多
关键词 纳米ito 粉体 团聚 分散 喷雾热分解法 半导体 铟锡氧化物 ito
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