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单粒子锁定极端敏感器件的试验及对我国航天安全的警示 被引量:19
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作者 韩建伟 张振龙 +1 位作者 封国强 马英起 《航天器环境工程》 2008年第3期263-268,199,共6页
随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实... 随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实验装置和重离子加速器,分别对三星公司新旧两种型号的4M位SRAM芯片进行了单粒子锁定试验评估。试验测得两型号芯片的单粒子锁定阈值差异巨大,新型号芯片的锁定阈值低于1.5MeV·cm2/mg,而老型号芯片的锁定阈值高于39.6MeV.cm2/mg。这种对单粒子锁定极端敏感的芯片若应用于空间,将会发生0.008~0.04次/天的频繁锁定事件,极大地威胁航天器的安全和可靠。为应对这种单粒子锁定极端敏感的现象和趋势,提出了加强我国航天产品设计、元器件采购、筛选、试验等的规范、技术和条件的建议。 展开更多
关键词 单粒子锁定 锁定阈值 静态存储器 航天器
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