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100 mm InP晶圆临时键合解键合工艺技术
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作者 莫才平 张圆圆 +6 位作者 黄晓峰 张金龙 梁星宇 樊鹏 朱长林 杜林 兰林 《电子工业专用设备》 2023年第1期7-13,共7页
InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点,其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化。针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题,设计了一种临时键合及解键合工艺技术。结果表明... InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点,其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化。针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题,设计了一种临时键合及解键合工艺技术。结果表明,该技术成功实现了表面具有微观结构的超薄100 mm(4英寸)InP晶圆的临时键合及解键合,有效解决了减薄生产中碎片的问题,对芯片工艺优化具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 临时键合工艺 键合工艺 磷化铟(InP)
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PMMA微流控芯片高效键合工艺研究 被引量:6
2
作者 蒋炳炎 刘瑶 +1 位作者 李代兵 周洲 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期33-36,共4页
利用有限元软件对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微流控芯片键合过程进行仿真分析,而后以缩短键合时间为目的,针对键合温度、键合压力进行了相应的实验研究。结果表明,当键合温度低于聚合物材料的玻璃化转变温度时,芯片易产生未键合区域,当键... 利用有限元软件对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微流控芯片键合过程进行仿真分析,而后以缩短键合时间为目的,针对键合温度、键合压力进行了相应的实验研究。结果表明,当键合温度低于聚合物材料的玻璃化转变温度时,芯片易产生未键合区域,当键合温度高于玻璃化转变温度时,微通道随温度的升高发生严重变形,最佳键合温度值应在材料玻璃化转变温度附近进行选取;键合温度105℃,键合压力1.0 MPa时,可在5 min的键合时间内得到微通道变形较小且完全键合的微流控芯片,满足模内键合的需求,大大缩短了芯片的制造周期。 展开更多
关键词 微流控芯片 键合工艺 聚甲基丙烯酸甲酯
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铜丝键合工艺在微电子封装中的应用 被引量:11
3
作者 赵钰 《电子元器件应用》 2002年第8期48-51,共4页
在铜丝或铜条长期应用于分立器件及大功率器件的同时,近年又出现了晶片的铜金属化工艺。由此,业内人士采用铜作为丝焊键合的一种材料使用,进而开始了一些新工艺的研究。结果证实,铜金属化使电路的线条更细、密度更高。因而铜丝可以作为... 在铜丝或铜条长期应用于分立器件及大功率器件的同时,近年又出现了晶片的铜金属化工艺。由此,业内人士采用铜作为丝焊键合的一种材料使用,进而开始了一些新工艺的研究。结果证实,铜金属化使电路的线条更细、密度更高。因而铜丝可以作为一种最有发展前景及成本最低的互连材料替换金丝,可进行大量高引出端数及小焊区器件的球形或楔形键合工艺。主要阐述铜丝键合工艺在微电子封装中的现状及未来发展方向。 展开更多
关键词 微电子封装 铜丝 键合工艺 IC互连 细间距
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基于激光干涉测量的硅键合工艺分析
4
作者 马斌 陈明祥 +2 位作者 张鸿海 刘胜 汪学方 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期26-29,共4页
利用激光干涉测量法,对键合后的硅片表面翘曲进行了检测,统计了表面质量分布,对键合工艺进行筛选,优化工艺参数,表面质量得到很好的保证。
关键词 键合工艺 表面平整度 干涉法 翘曲
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场助GaAs-玻璃键合工艺的研究
5
作者 吕世骥 黄庆安 童勤义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第9期570-574,T001,共6页
本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单... 本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度. 展开更多
关键词 GAAS 玻璃 键合工艺 氢等离子体
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半导体封装键合工艺中常见缺陷识别和处理方法 被引量:2
6
作者 李荣茂 《科技信息》 2010年第30期156-156,158,共2页
本文叙述了键合工艺的概念、键合工艺设备的改进和其产生的各种缺陷的类别。重点研究了键合工艺常见缺陷的类型和其产生的根本原因。通过对各种缺陷类型的识别,探索其产生的根本原因并找出应对方法,从而增加其合格率。
关键词 键合工艺 缺陷 处理方法
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硅直接键合工艺对晶片平整度的要求 被引量:3
7
作者 付兴华 黄庆安 +1 位作者 陈军宁 童勤义 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第3期290-295,共6页
本文用弹性力学近似,给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小之间的关系,并用X射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。
关键词 键合工艺 晶片 平整度
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铜丝球焊键合工艺研究
8
作者 方鸿渊 钱乙余 +4 位作者 申炳初 姜以宏 宗盛安 潘瑞日 覃有徜 《电子工艺技术》 1990年第2期10-11,共2页
本文采用MW—EFO金属丝形球装置与JWYH—2型超声热压金丝球焊机进行了φ35μm的纯铜丝的球焊键合试验。对铜丝在不同的超声键合功率及超声作用条件下球焊焊点的拉脱力进行了测定,试验结果表明,铜丝球焊具有较高的键合强度,其焊点拉脱力... 本文采用MW—EFO金属丝形球装置与JWYH—2型超声热压金丝球焊机进行了φ35μm的纯铜丝的球焊键合试验。对铜丝在不同的超声键合功率及超声作用条件下球焊焊点的拉脱力进行了测定,试验结果表明,铜丝球焊具有较高的键合强度,其焊点拉脱力最高可达20克,这一结果明显优于金丝球悍的焊点强度。本文还用扫描电镜对铜丝球焊焊点的形貌进行了观察分析。 展开更多
关键词 铜丝 球焊 键合工艺 集成电路 引线
全文增补中
铜丝球键合工艺及可靠性机理 被引量:8
9
作者 鲁凯 任春岭 +1 位作者 高娜燕 丁荣峥 《电子与封装》 2010年第2期1-6,10,共7页
文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题,对该领域目前相关的理论和研究成果进行了综述,介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式。针对铜丝球键... 文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题,对该领域目前相关的理论和研究成果进行了综述,介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式。针对铜丝球键合工艺中易氧化、硬度高等难点,对特定工艺进行了阐述,同时也从金属间化合物形成机理的角度重点阐述了铜丝球键合点可靠性优于金丝球键合点的原因。并对铜丝球键合及铜丝楔键合工艺前景进行了展望。 展开更多
关键词 铜丝 键合工艺 可靠性 失效模式
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基于键合工艺制备满足射频滤波器应用的压电薄膜材料的研究和产业化进展
10
作者 朱雷 赵佳 《功能材料与器件学报》 CAS 2020年第6期387-392,共6页
传统的SAW制备在LiNbO3(LNO)、LiTiO3(LTO)等体压电材料上。这些体单晶材料的主要问题是成本较高且不与CMOS工艺兼容。近年来,越来越多的研究者开始致力于开发薄膜SAW器件。本文针对基于键合工艺制备LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究进展... 传统的SAW制备在LiNbO3(LNO)、LiTiO3(LTO)等体压电材料上。这些体单晶材料的主要问题是成本较高且不与CMOS工艺兼容。近年来,越来越多的研究者开始致力于开发薄膜SAW器件。本文针对基于键合工艺制备LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究进展及其产业化进展进行了综合阐述,为后续研究提供一定的参考。 展开更多
关键词 键合工艺 射频滤波器 压电薄膜材料
原文传递
一种快速键合聚碳酸酯微流控芯片的制备工艺
11
作者 曾杰生 麦毅明 +1 位作者 林计良 廖丽敏 《中国科技期刊数据库 工业A》 2024年第1期0174-0180,共7页
微型全分析系统或称芯片实验室(Lab-on-a-Chip,简称LOC)是一个跨学科的新方向,其基本特征和最大的优势是可以将多种功能单元集中在只有几平方厘米的微芯片上,因此具备更广泛、更灵活的适用性。其中,键合工艺是微流控芯片制作过程中的关... 微型全分析系统或称芯片实验室(Lab-on-a-Chip,简称LOC)是一个跨学科的新方向,其基本特征和最大的优势是可以将多种功能单元集中在只有几平方厘米的微芯片上,因此具备更广泛、更灵活的适用性。其中,键合工艺是微流控芯片制作过程中的关键步骤,市场上常见技术工艺可分为超声焊接、激光焊接、热压键合、溶剂键合等。本文为符合高通光性及生物相容性两个条件,选用聚酯酸酯(PC)作为微流控芯片基材,在简单、快速、有效的自动化流水线上,通过溶剂键合与热压键合两个方式的结合,实现微流控应用芯片的大规模生产,并且芯片可承受0.2-0.3Mpa的使用压强,满足多方面使用用途。 展开更多
关键词 微流控芯片 聚碳酸酯 键合工艺
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晶圆键合设备对准和传送机构研究综述
12
作者 吴尚贤 王成君 +1 位作者 王广来 杨道国 《电子与封装》 2024年第3期1-9,共9页
随着微机电系统和3D集成封装的快速发展,多功能高性能器件、小体积低功耗器件、耐高温耐高压器件以及小型化高集成度器件是目前封装领域研究的重点。晶圆键合设备对于这些高性能、多功能、小型化、耐高温、耐高压、低功耗的集成封装器... 随着微机电系统和3D集成封装的快速发展,多功能高性能器件、小体积低功耗器件、耐高温耐高压器件以及小型化高集成度器件是目前封装领域研究的重点。晶圆键合设备对于这些高性能、多功能、小型化、耐高温、耐高压、低功耗的集成封装器件的量产起着至关重要的作用,因此对晶圆键合设备及其对准机构和传送机构的研究也十分重要。介绍了常用的晶圆键合设备与晶圆键合工艺、对准机构和传送机构的工作原理以及主要的晶圆键合设备厂商现状,同时对晶圆键合设备对准和传送机构的发展趋势进行展望,其未来将朝着高精度、高对准速度、高吸附度和高可靠性的方向发展。 展开更多
关键词 晶圆 键合工艺 对准机构 传送机构
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宇航用键合金丝评价体系及其应用研究
13
作者 刘媛萍 孙澜澜 +3 位作者 高鸿 张占东 孔静 贾旭洲 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期136-141,共6页
键合金丝广泛应用于小型化星载装备多芯片组件中,而复杂的空间环境要求键合金丝具有良好的可键合性和应用可靠性。本文在深入分析星载多芯片组件应用需求和典型失效模式的基础上,构建了键合金丝应用评价体系,从材料基础性能、工艺适用... 键合金丝广泛应用于小型化星载装备多芯片组件中,而复杂的空间环境要求键合金丝具有良好的可键合性和应用可靠性。本文在深入分析星载多芯片组件应用需求和典型失效模式的基础上,构建了键合金丝应用评价体系,从材料基础性能、工艺适用性和应用可靠性三个方面对键合金丝的可用性进行了全面的评估。应用本文提出的评价体系,对某国产键合金丝进行了系统应用评价,各项测试表明国产键合金丝与拟替代的进口金丝基础性能指标、可键合性和键合可靠性均相当,且在高温下国产金丝键合强度退化慢于进口金丝,呈现了更优异的应用可靠性。 展开更多
关键词 金丝 应用评价 材料性能 键合工艺 可靠性评估
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先进封装铜-铜直接键合技术的研究进展
14
作者 张明辉 高丽茵 +2 位作者 刘志权 董伟 赵宁 《电子与封装》 2023年第3期52-62,共11页
在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电... 在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电迁移性能好,其工艺制备尺寸可减小到微米级且无坍塌现象。铜-铜(Cu-Cu)直接互连结构可以实现精密制备以及在高电流密度下服役。对Cu-Cu键合材料的选择、键合工艺的特点及服役可靠性的相关研究进展进行了总结。 展开更多
关键词 Cu-Cu直接 先进电子封装 表面处理 键合工艺
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全自动金球引线键合机的原理和故障分析
15
作者 张士伟 张辉 韩建 《电子工业专用设备》 2023年第3期31-36,共6页
介绍了引线键合工艺的类型和特点。以全自动金球引线键合机为例,介绍了其结构组成和工艺原理,分析了影响其键合工艺稳定性的因素,并总结了金球引线键合机的常见故障以及解决方法。
关键词 键合工艺 封装技术 超声波 焊接头系统
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焊接与连接工艺、键合工艺
16
《电子科技文摘》 2006年第9期34-35,共2页
0622978粘接界面的损伤研究[刊,中]/张军//郑州大学学报(工学版).—2006,27(2).—48-51(L) 0622979时效处理对Sn57Bi0.5Ag/Cu钎焊接头组织及性能的影响[刊,中]/秦长江//河南科技大学学报(自然科学版).—2006,27(3).—5-7,11(L)研究... 0622978粘接界面的损伤研究[刊,中]/张军//郑州大学学报(工学版).—2006,27(2).—48-51(L) 0622979时效处理对Sn57Bi0.5Ag/Cu钎焊接头组织及性能的影响[刊,中]/秦长江//河南科技大学学报(自然科学版).—2006,27(3).—5-7,11(L)研究了Sn57Bi0.5Ag/Cu钎焊接头在70℃、100℃时效过程中的显微组织和剪切强度的变化。结果表明:在钎料和Cu基体的界面间存在金属间化合物,随时效时间的延长,界面金属间化合物层的厚度增厚,接头区的组织出现了粗化; 展开更多
关键词 钎焊接头 键合工艺 封装工艺 金属间化 金属互化物 连接工艺
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用于质子交换膜燃料电池的防水键合工艺
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作者 章晓燕(摘译) 《现代材料动态》 2007年第2期13-13,共1页
美国特拉华州霍克森市的Kubota Research Associates Inc.宣布其与特拉华州纽卡斯的Ion Power Inc.共同研究开发出一种防水键合工艺,用于组装质子交换膜(PEM)燃料电池。基于P-波准加工技术(P-Wave Pseudo Process Technology)的... 美国特拉华州霍克森市的Kubota Research Associates Inc.宣布其与特拉华州纽卡斯的Ion Power Inc.共同研究开发出一种防水键合工艺,用于组装质子交换膜(PEM)燃料电池。基于P-波准加工技术(P-Wave Pseudo Process Technology)的这种先进工艺使得将膜直接键合到金属或其它材料如石墨、聚合体上成为可能。P赦近红外线辐射设各将近红外线的能量聚集在连接材料的交接面上,再运用P-波膜键合技术,就可以在组装燃料电池时把高分子材料键合到金属上,而无需用粘合剂或压封,这在以前是不可能的。这种键合作用是抗化学腐蚀的,长期暴露在燃料电池的高酸性水环境不会退化。 展开更多
关键词 质子交换膜燃料电池 防水键合工艺 连接材料 红外线辐射 高分子材料 抗化学腐蚀
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焊接与连接工艺、键合工艺
18
《电子科技文摘》 2003年第12期31-32,共2页
0327893CIMS与SMT生产[刊,中]/鲜飞//信息技术与标准化.—2003,(7).—22-23(E)0327894晶片键合技术及其在垂直腔型器件研制中的应用[刊,中]/周震//半导体光电.—2003,24(4).—217-221(D2)
关键词 键合工艺 连接工艺 技术 半导体光电 半导体工艺 腔型 直接 物半导体 贴装 信息技术
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PC微流控芯片黏接筋与溶剂的协同辅助键合 被引量:10
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作者 范建华 邓永波 +3 位作者 宣明 刘永顺 武俊峰 吴一辉 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期708-713,共6页
为了在微流控芯片上形成封闭的微通道等功能单元,克服热压键合中微流控结构的塌陷和热压所致芯片微翘曲对后续键合的影响,提出了一种适用于硬质聚合物微流控芯片的黏接筋与溶剂协同辅助的键合方法。以聚碳酸酯(PC)微流控芯片为研究对... 为了在微流控芯片上形成封闭的微通道等功能单元,克服热压键合中微流控结构的塌陷和热压所致芯片微翘曲对后续键合的影响,提出了一种适用于硬质聚合物微流控芯片的黏接筋与溶剂协同辅助的键合方法。以聚碳酸酯(PC)微流控芯片为研究对象,通过热压法在PC微流控芯片上的微通道两侧制作凸起的黏接筋,通过化学溶剂丙酮微溶PC圆片的表面,然后将PC圆片与带有黏接筋的PC微流控芯片贴合、加压、加热,从而实现微流控芯片的键合。分析了键合机理,并对键合工艺参数进行了优化。实验结果表明:键合质量受丙酮溶剂溶解PC圆片的时间和键合温度的影响,能够保证键合质量的最佳键合温度为80~90°,溶解时间为35~45s,芯片的键合总耗时为3min。与已有键合工艺相比,所提出的黏接筋与溶剂辅助键合工艺有效提高了键合效率。该键合方法不仅适用于具有不同宽度尺寸微通道的微流控芯片,还可扩展用于不同材料的硬质聚合物微流控芯片。 展开更多
关键词 微流控芯片 键合工艺 黏接筋 聚碳酸酯 丙酮溶剂 热压
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