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Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce晶体生长与闪烁性能研究
1
作者 王海丽 李辉 +5 位作者 周南浩 石爽爽 苏健 张微 陈建荣 黄存新 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2156-2160,共5页
掺铈钆铝镓石榴石(Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12)∶Ce,简称GAGG∶Ce)闪烁晶体是近年来发现的一种新型稀土闪烁晶体,具有光输出高、能量分辨率高、衰减时间短、无自辐射和不潮解等优点,在核医学成像、安检和环境监测等领域具有广阔的应用前景... 掺铈钆铝镓石榴石(Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12)∶Ce,简称GAGG∶Ce)闪烁晶体是近年来发现的一种新型稀土闪烁晶体,具有光输出高、能量分辨率高、衰减时间短、无自辐射和不潮解等优点,在核医学成像、安检和环境监测等领域具有广阔的应用前景。本文报道了GAGG∶Ce晶体的提拉法生长与闪烁性能表征。利用高温固相反应法合成GAGG∶Ce原料,采用XRD对合成的原料进行了物相分析,结果表明,在1500℃下煅烧12 h合成的多晶料为纯GAGG相。利用提拉法生长出尺寸φ50 mm×90 mm的GAGG∶Ce晶体,测试了其透过光谱、X射线激发发射光谱和脉冲高度谱,结果表明,7 mm厚样品550 nm的透过率为81.5%,晶体X射线激发发射峰中心波长位于550 nm,晶体的光输出为59000 photons/MeV,能量分辨率为6.2%@662 keV,晶体衰减时间快分量为149 ns,慢分量为748 ns。 展开更多
关键词 GAGG∶Ce 闪烁晶体 高温固相反应法 提拉法 闪烁性能
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过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体闪烁性能的研究 被引量：8
2
作者 费一汀 孙仁英 范世 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期357-362,共6页
本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律．
关键词 坩埚下降法 掺杂 BSO晶体 闪烁性能 铁 铬
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退火处理对PbWO_4晶体闪烁性能的影响 被引量：4
3
作者 廖晶莹 沈炳孚 +1 位作者 邵培发 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期352-356,共5页
本文报道了用改进的坩埚下降技术生长PbWO4晶体经退火处理后，对X射线激发发射谱、透过谱以及抗辐照损伤能力的影响．指出PbWO4晶体在适合的富氧气氛环境和温度制度下经退火处理后，闪烁性能及抗辐照能力明显得到改善．
关键词 晶体 闪烁性能 退火 钨酸铅
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Cs_2LiYCl_6:Ce闪烁晶体的光学及闪烁性能 被引量：4
4
作者 王晴晴 史坚 +4 位作者 李焕英 陈晓峰 潘尚可 卞建江 任国浩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期175-179,共5页
用坩埚下降法生长得到Cs_2LiY_(0.95)Cl_6:5%Ce(CYLC)闪烁晶体,通过X射线衍射分析证明Cs_2LiYCl_6:Ce的晶体结构属于钾冰晶石结构,并与理论计算结果基本吻合。在吸收光谱中观测到源于Ce^(3+)离子从4f向5d1~5电子跃迁的吸收峰和自陷激子... 用坩埚下降法生长得到Cs_2LiY_(0.95)Cl_6:5%Ce(CYLC)闪烁晶体,通过X射线衍射分析证明Cs_2LiYCl_6:Ce的晶体结构属于钾冰晶石结构,并与理论计算结果基本吻合。在吸收光谱中观测到源于Ce^(3+)离子从4f向5d1~5电子跃迁的吸收峰和自陷激子吸收峰。X射线和紫外激发和发射光谱测试表明,位于300 nm的发光属于Cs_2LiYCl_6:Ce晶体的本征芯价发光,321 nm的发光归因于自陷激子发光,350~450 nm范围的发光属于Ce^(3+)离子5d-4f跃迁发光。在37Cs源伽马射线激发下,CYLC晶体的能量分辨率达到8.1%,衰减时间分别为58 ns和580 ns。综上所述可知,Cs_2LiYCl_6:Ce晶体将是一种在中子和伽马射线分辨领域具有广泛应用前景的闪烁晶体。 展开更多
关键词 Cs2Li YCl6:Ce晶体 坩埚下降法 晶体结构 闪烁性能
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浮区法生长Lu_2Si_2O_7:Ce晶体的缺陷、光学和闪烁性能研究 被引量：3
5
作者 冯鹤 任国浩 +4 位作者 丁栋舟 李焕英 徐军 杨秋红 徐家跃 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期891-895,共5页
通过浮区法制备得到LPS：0.5%Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77~500 K下的紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和77~500 K下的衰减时间谱。研究发现晶体中存在解理开裂和热应... 通过浮区法制备得到LPS：0.5%Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77~500 K下的紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和77~500 K下的衰减时间谱。研究发现晶体中存在解理开裂和热应力开裂,同时存在两种类型的包裹体,分别包含[Si3O9]6-、23[SiO]n阴离子团和过量的SiO2。由于采用空气为生长气氛,样品中部分Ce3＋被氧化为Ce4＋。浮区法LPS：0.5%Ce表现出较高的发光效率,约为32000 ph/MeV。随着温度的升高,样品的紫外激发发射谱逐渐向长波方向移动,发射谱谱线随着温度的升高展宽,导致自吸收的增加。衰减时间的温度转变点位于450 K,表明LPS：Ce闪烁晶体适用于高温环境,是一种性能优异的闪烁晶体。 展开更多
关键词 Lu2Si2O7 CE 浮区法 单晶 缺陷 闪烁性能
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65mm级Ce:YSO闪烁晶体研制与闪烁性能研究 被引量：3
6
作者 王佳 岑伟 +5 位作者 徐扬 李德辉 胡少勤 付昌禄 丁雨憧 龙勇 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期598-602,共5页
采用中频感应提拉法生长了尺寸为65mm×200mm的Ce:YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce:YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0... 采用中频感应提拉法生长了尺寸为65mm×200mm的Ce:YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce:YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度为0.10%、结晶分数为60%时,晶体发光强度及发光均匀性最佳,调整工艺参数有利于降低晶体发光不均匀性,但降低效果有限。此外,测试了晶体的脉冲高度谱和脉冲形状谱,Ce:YSO晶体的能量分辨率为7.20%@662keV,衰减时间约为52ns,发光余辉时间为156ns。 展开更多
关键词 Ce:YSO 提拉法 原料配比 闪烁性能
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Lu_2Si_2O_)7∶Ce晶体的闪烁性能 被引量：2
7
作者 李焕英 秦来顺 +2 位作者 姚冬敏 陆晟 任国浩 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期729-734,共6页
用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在37... 用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8～34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。 展开更多
关键词 闪烁性能 LPS:Ce晶体 透射光谱 衰减特性
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退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响 被引量：2
8
作者 程峰 钟玉荣 +2 位作者 王宝义 王天民 魏龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期749-752,共4页
采用真空热蒸发法制备了CsI(T1)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(T1)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(T1)薄膜沿(200)晶面择优取... 采用真空热蒸发法制备了CsI(T1)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(T1)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(T1)薄膜沿(200)晶面择优取向生长.经过较低温度退火,CsI薄膜中的T1^+离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高.经过250℃退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高.经过400℃退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差,Ti^+含量减少,光产额急剧下降. 展开更多
关键词 CsI薄膜 微观结构 闪烁性能
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Bridgman法生长的大尺寸钨酸铅晶体的光学和闪烁性能(英文) 被引量：2
9
作者 张明荣 范宇红 +4 位作者 张春生 韦瑾 任绍霞 葛云程 陈刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期591-595,共5页
本文报道了我们采用改进的Bridgman法为欧洲核子研究中心 (CERN)大型强子对撞机 (LHC)上的紧凑型 μ子螺线管 (CMS)实验生长的大尺寸掺Y3 + 钨酸铅闪烁晶体 ,给出了晶体的光学和闪烁性能 ,如光致发光谱、X射线致发光光谱、纵 /横向的透... 本文报道了我们采用改进的Bridgman法为欧洲核子研究中心 (CERN)大型强子对撞机 (LHC)上的紧凑型 μ子螺线管 (CMS)实验生长的大尺寸掺Y3 + 钨酸铅闪烁晶体 ,给出了晶体的光学和闪烁性能 ,如光致发光谱、X射线致发光光谱、纵 /横向的透射光谱、光产额以及辐照硬度。测试结果表明 ,掺Y2 O3 的钨酸铅晶体光产额很高 (>13pe/MeV) ,且全为 10 0ns以内的快发光 ,其辐照硬度已接近CMS电磁量能器 (ECAL)端帽晶体的要求 ,同一批晶体彼此间的性能一致性好。 展开更多
关键词 BRIDGMAN法 大尺寸钨酸铅 晶体生长 光学性能 闪烁性能 大型强子对撞机 Y掺质
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PbWO_4:(Sb,Y)晶体的发光和闪烁性能研究 被引量：1
10
作者 谢建军 杨培志 +4 位作者 袁晖 廖晶莹 殷之文 曹顿华 顾牡 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期12-16,共5页
本文报道了用多坩埚下降法生长的大尺寸PbWO4: (Sb,Y)晶体的光谱和闪烁性能。基于透射光谱、X射线激发的发射谱、紫外激发及其发射谱、光产额和超短脉冲X射线激发荧光寿命等方面的测试,讨论了Sb,Y双掺杂对PbWO4 晶体的光谱和闪烁性能的... 本文报道了用多坩埚下降法生长的大尺寸PbWO4: (Sb,Y)晶体的光谱和闪烁性能。基于透射光谱、X射线激发的发射谱、紫外激发及其发射谱、光产额和超短脉冲X射线激发荧光寿命等方面的测试,讨论了Sb,Y双掺杂对PbWO4 晶体的光谱和闪烁性能的作用。结果表明:Sb,Y双掺杂能显著改善PbWO4 晶体的光谱性能和闪烁性能,使PbWO4 晶体在短波方向的透过率明显提高;对于尺寸为 23×23×20mm3 的掺杂晶体样品,光产额最大值大约为 50p.e. /MeV,约为BGO光产额的 6. 0%;发光成份中有 1. 9ns和 15. 8ns两个衰减时间常数的快成份。 展开更多
关键词 PBWO4晶体 闪烁性能 发光 发射谱 坩埚下降法 光谱 掺杂 短波 超短脉冲 大尺寸
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熔体组成与PbWO_4:Y^(3+)晶体闪烁性能稳定性的关系 被引量：1
11
作者 张昕 廖晶莹 +5 位作者 谢建军 沈炳孚 邵培发 倪海洪 李长泉 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1117-1123,共7页
部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额... 部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则. 展开更多
关键词 熔体组成 PbWO4:Y^3+晶体 闪烁性能 稳定性 钨酸铅 掺杂 光产额 辐照硬度 钇
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LnX_3型稀土卤化物闪烁晶体的闪烁性能 被引量：3
12
作者 裴钰 任国浩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1004-1010,共7页
本文简要综述了LnX3 型稀土卤化物闪烁晶体的发展历史与研究现状 ,对几种常见晶体 (CeF3 ,LaF3 ,LuCl3 ,LaCl3 ,LuBr3 ,LaBr3 )的物理、化学性质、晶体生长及闪烁性能等进行详细总结归纳 ,同时指出了当前具有优异闪烁性能的LaCl3 :Ce和L... 本文简要综述了LnX3 型稀土卤化物闪烁晶体的发展历史与研究现状 ,对几种常见晶体 (CeF3 ,LaF3 ,LuCl3 ,LaCl3 ,LuBr3 ,LaBr3 )的物理、化学性质、晶体生长及闪烁性能等进行详细总结归纳 ,同时指出了当前具有优异闪烁性能的LaCl3 :Ce和LaBr3 :Ce晶体亟待解决的问题。 展开更多
关键词 闪烁晶体 闪烁性能 LaBr3 卤化物 晶体生长 稀土 化学性质 CeF3
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Li^＋对Tb^3＋掺杂硅酸盐玻璃闪烁性能的影响 被引量：1
13
作者 金鑫杰 顾牡 +3 位作者 黄世明 倪晨 刘小林 刘波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2719-2723,共5页
利用高温熔融法制备了Li+掺杂Tb3+激活硅酸盐闪烁玻璃。通过Li+掺杂Tb3+激活硅酸盐玻璃的紫外可见透射光谱、发射光谱和发光衰减时间谱,研究了Li+的加入对Tb3+掺杂硅酸盐玻璃发光性能的影响。结果表明:适量Li+的加入可有效增强Tb3+激活... 利用高温熔融法制备了Li+掺杂Tb3+激活硅酸盐闪烁玻璃。通过Li+掺杂Tb3+激活硅酸盐玻璃的紫外可见透射光谱、发射光谱和发光衰减时间谱,研究了Li+的加入对Tb3+掺杂硅酸盐玻璃发光性能的影响。结果表明:适量Li+的加入可有效增强Tb3+激活硅酸盐玻璃的发光强度,且相比于不掺杂Li+的Tb3+掺杂硅酸盐玻璃而言,当掺入质量分数为2.0%的Li+时,Tb3+在玻璃中的最佳掺杂质量分数由12.8%提高至15.3%。其原因是Li+掺杂增加了玻璃体系中非桥氧的数量,从而有利于改善Tb3+在玻璃体中的均匀性,降低Tb3+间因非辐射跃迁而引起的能量损失,以及提高Tb3+的最佳掺杂质量分数。但当掺入Li+的质量分数超过2.0%时,会对Tb3+激活硅酸盐玻璃的闪烁光强产生负面影响,这是因为过多的非桥氧阻碍了X射线激发能达到Tb3+离子的能量传递。 展开更多
关键词 Li+离子 Tb3+掺杂硅酸盐玻璃 非桥氧 闪烁性能
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钨酸铋钠晶体闪烁性能研究 被引量：1
14
作者 韦瑾 范宇红 +1 位作者 任绍霞 陈刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期161-,共1页
钨酸铋钠晶体 (NaBi(WO4) 2 ,简称NBW )。做为一种新型闪烁晶体由于其具有发光效率高 ,密度高 ,时间响应快 ,在可见区域有荧光发射 ,抗辐照性能好 ,在相对温湿度变化大的恶劣环境中性能稳定 ,且对中子不灵敏 ,可以在中子、γ混合场中测... 钨酸铋钠晶体 (NaBi(WO4) 2 ,简称NBW )。做为一种新型闪烁晶体由于其具有发光效率高 ,密度高 ,时间响应快 ,在可见区域有荧光发射 ,抗辐照性能好 ,在相对温湿度变化大的恶劣环境中性能稳定 ,且对中子不灵敏 ,可以在中子、γ混合场中测γ射线 ,在高能物理学、医学、石油工业以及安全检查等领域具有广泛的应用前景 ,从而引起了高能物理界的重视。我们采用提拉法晶体生长 ,所用的原料为高纯的Na2 CO3 ,WO3 ,Bi2 O3 ,在晶体生长方面 ,因NBW粘度与PWO晶体相似 ,故拉速不需太慢 ,为 1～ 3mm/h ,考虑到自然对流与强迫对流的平衡 ,我们采用的转速为 2 0～ 30r/min。生长出的宏观完整晶体尺寸为2 5× 30mm。我们对所得到的样品用日立U32 1 0紫外—可见分光光度计测其透过率 ,结果表明 ,其吸收截止边在 34 0nm ,在 40 0nm以后透过率在 70 %以上 ,与资料报道相符。其荧光发射峰位于440nm(Ex380nm) ,相对荧光发射强度是相同尺寸PWO晶体的 1 .5～ 2倍。另外从掺杂离子的离子半径 ,本征发射谱线位置 ,电荷平衡等角度考虑 ,我们分别制备了Gd3 +,Ce3 +,Nd3 +,Y3 +掺杂的多晶料 ,测试它们的荧光光谱 ,结果表明 ,Ce3 +掺杂样品发光最好。Ce3 +的 5d能级在三价稀土离子中最低 ,可产生f～d跃迁 ,Ce3 +的基态为 4f的2 F5 / 展开更多
关键词 钨酸铋钠晶体 闪烁性能 引上法晶体生长 掺杂
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Φ100 mm级Ca∶Ce∶LYSO闪烁晶体生长及闪烁性能研究 被引量：1
15
作者 王佳 岑伟 +2 位作者 丁雨憧 王强 张泽涛 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第10期1946-1950,共5页
为了满足具有飞行时间技术特点的正电子发射断层扫描仪(TOF-PET)对光输出高、衰减时间短以及上升时间快的Ce∶LYSO闪烁晶体的需要,本文采用中频感应提拉法生长Φ100 mm×100 mm级Ca∶Ce∶LYSO闪烁晶体。晶体整体无色透明、无包裹体... 为了满足具有飞行时间技术特点的正电子发射断层扫描仪(TOF-PET)对光输出高、衰减时间短以及上升时间快的Ce∶LYSO闪烁晶体的需要,本文采用中频感应提拉法生长Φ100 mm×100 mm级Ca∶Ce∶LYSO闪烁晶体。晶体整体无色透明、无包裹体。经过紫外可见分光光度计测试,晶体透过率接近理论值,质量较好。将晶体切割研磨抛光后,分别进行脉冲高度谱、衰减时间能谱等测试。在137Cs放射源激发下,Ca∶Ce∶LYSO晶体的光输出达到33962 ph/MeV,能量分辨率为8.6%,衰减时间达到36.70 ns,均优于Ce∶LYSO晶体。通过对晶体轴向及尾部径向取样,相对光输出和能量分辨率不均匀性分别为±2.4%、±9.4%及±1.18%、±6.8%,证明晶体具有较好的均匀性。 展开更多
关键词 Ca∶Ce∶LYSO 闪烁晶体 提拉法 晶体生长 闪烁性能 不均匀性
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La∶PbWO_4晶体闪烁性能研究 被引量：1
16
作者 杨春晖 陈刚 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第5期78-80,共3页
在PbWO4 晶体中掺进La2 O3生长La∶PbWO4 晶体。测试La∶PbWO4 晶体的透射光谱、激发发射光谱、发光效率、衰减时间和辐射硬度。La∶PbWO4 晶体的透过率增大 ,峰位发生红移 ,发光效率增加一倍 ,较大幅度提高抗辐照损伤能力。
关键词 La:PbWO4 晶体 闪烁性能 衰减时间
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Ce∶Mg∶NBW晶体的生长及闪烁性能的研究 被引量：1
17
作者 杨春晖 石绍君 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期162-162,共1页
钨酸铋钠 [NaBi(WO4) 2 ,NBW]晶体具有优良的闪烁性能 ,它的衰减时间短 (τ =3ns) ,抗辐照损伤能力强 ( 5× 1 0 7rad) ,辐射长度短 (l=0 .98cm) ,密度大 ( ρ =7.5 8g/cm3 ) ,这有利于仪器的小型化 ,提高仪器的探测效率。在NBW晶... 钨酸铋钠 [NaBi(WO4) 2 ,NBW]晶体具有优良的闪烁性能 ,它的衰减时间短 (τ =3ns) ,抗辐照损伤能力强 ( 5× 1 0 7rad) ,辐射长度短 (l=0 .98cm) ,密度大 ( ρ =7.5 8g/cm3 ) ,这有利于仪器的小型化 ,提高仪器的探测效率。在NBW晶体中掺入CeO2 和MgO生长Ce∶Mg∶NBW晶体可以改善NBW晶体的闪烁性能。Ce∶Mg∶NBW晶体的配比 :Na2 CO3 ∶Bi2 O3 ∶WO3 =1∶1∶4(摩尔比 ) ,CeO2 和MgO掺的质量分子数为 1 0 -4 ,CeO2 ,MgO ,Na2 CO3 ,Bi2 O3 和WO3 的纯度皆为 99.99%。合适的温度梯度是生长高质量晶体的重要因素 ,是晶体生长的推动力 ,要求不产生组分过冷 ,晶体生长稳定 ,均匀 ,对称 ,不产生裂纹。由于NBW晶体的密度大 ,在生长过程中易引起液流转换 ,即发生由强迫对流占优势向自然对流占优势的置换 ,在晶体生长过程中产生组分过冷和缺陷 ,消除液流转换 ,需要合适的温度梯度 ,晶体生长速度和晶体的旋转速度 ,以保证平坦的固液界面。我们确定了晶体的轴向温度梯度为 5 0℃ /cm ,晶体生长速度为 1～ 2mm/h ,旋转速度为 30r/min。测试的晶片尺寸为 8mm× 8mm× 5mm ,采用SPEX1 0 0 0M型光谱仪测试晶体的透过率。Ce∶Mg∶NBW晶体的透过率为 75 % ,而纯NBW晶体的透过率为 72 %。发光效率表示闪烁体将所吸收粒子转变? 展开更多
关键词 Ce∶Mg∶NBW晶体 闪烁性能 引上法晶体生长 衰减时间
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新型闪烁晶体钨酸铅的生长技术和闪烁性能 被引量：2
18
作者 万尤宝 吴宇容 张亮 《嘉兴学院学报》 2005年第6期5-8,共4页
新一代闪烁晶体钨酸铅被认为是迄今为止闪烁性能最好的闪烁晶体,在高能物理和空间物理 等方面有重要的应用。该文介绍了钨酸铅晶体生长技术研究进展,比较了各种生长方法的优缺点,根据钨 酸铅晶体的发光机制,探讨了提高钨酸铅晶体的闪烁... 新一代闪烁晶体钨酸铅被认为是迄今为止闪烁性能最好的闪烁晶体,在高能物理和空间物理 等方面有重要的应用。该文介绍了钨酸铅晶体生长技术研究进展,比较了各种生长方法的优缺点,根据钨 酸铅晶体的发光机制,探讨了提高钨酸铅晶体的闪烁性能研究方向。 展开更多
关键词 钨酸铅 闪烁晶体 晶体生长 晶体缺陷 闪烁性能
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Gd∶PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能研究
19
作者 杨春晖 赵业权 +2 位作者 徐悟生 王继扬 陈刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期306-308,328,共4页
在 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中掺进 Ｇｄ２ Ｏ３，采用 Ｃｚｏｃｈｒｏｌｓｋｉ法生长 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体。测试晶体的透射光谱，激光发射光谱，抗辐照损伤能力和发光效率。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体的透过率，抗辐照损伤能力和发... 在 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中掺进 Ｇｄ２ Ｏ３，采用 Ｃｚｏｃｈｒｏｌｓｋｉ法生长 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体。测试晶体的透射光谱，激光发射光谱，抗辐照损伤能力和发光效率。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体的透过率，抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体的吸收边紫移，提高了透过率，从而提高了发光效率。 Ｇｄ３＋ 掺入 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中，抑制了 Ｐｂ３＋ 的存在，提高了晶体抗辐照损伤能力。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体是比 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体性能更为优良的闪烁晶体。 展开更多
关键词 晶体 发光效率 闪烁性能 闪烁晶体
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退火工艺对NaBi(WO_4)_2晶体闪烁性能的影响
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作者 李建利 刘景和 +3 位作者 邢洪岩 张作望 余鑫 张晓琳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期177-,共1页
钨酸铋钠 (分子式 :NaBi(WO4) 2 ,简称NBW )晶体是钨酸盐系列中性能优越的闪烁晶体材料 ,在高能物理和其它领域中有较大的应用前景。NBW晶体已作为下一代核仪器和核医学仪器的闪烁晶体之一 ,替代现在使用的BaF2 和CeI等晶体材料 ,其优... 钨酸铋钠 (分子式 :NaBi(WO4) 2 ,简称NBW )晶体是钨酸盐系列中性能优越的闪烁晶体材料 ,在高能物理和其它领域中有较大的应用前景。NBW晶体已作为下一代核仪器和核医学仪器的闪烁晶体之一 ,替代现在使用的BaF2 和CeI等晶体材料 ,其优越的性能还可以用在一些中型的粒子物理实验中 ,是理想的电磁量能器材料 ,预计未来十年将有较大的发展。国际可以形成一个年用量几百万美元的市场。本文认为该晶体的色心分为两大类 :即晶体固有色心和辐照诱导色心 ,固有色心主要是在晶体生长或后期热处理过程中由化学变化而引入的 ,辐照诱导色心是由高能粒子或射线辐照感生的物理过程而引起的。本文研究了退火与闪烁性能之间的关系 ,探讨了晶体色心的产生 ,转换和湮没过程 ,并认为对晶体进行热处理是改进晶体闪烁性能的方法之一。 展开更多
关键词 钨酸铋钠晶体 色心 闪烁性能 退火
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