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硅酸镥闪烁晶体的研究进展与发展方向 被引量：16
1
作者 秦来顺 任国浩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期286-294,共9页
本文首先综述了硅酸镥 (Ce:Lu2 SiO5)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状 ,重点阐述了目前的三种晶体生长工艺及其取得的研究进展 ,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题 ,提出了硅酸镥闪烁晶体未来研究发... 本文首先综述了硅酸镥 (Ce:Lu2 SiO5)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状 ,重点阐述了目前的三种晶体生长工艺及其取得的研究进展 ,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题 ,提出了硅酸镥闪烁晶体未来研究发展的几个方向为 :各向异性研究、开拓新的生长方法、类质同象置换与发光均匀性、晶体余辉及发光机理的研究。 展开更多
关键词 硅酸镥 闪烁晶体 研究进展 发展方向 晶体结构 晶体生产 闪烁机理
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超宽禁带半导体闪烁晶体氧化镓的研究进展 被引量：5
2
作者 唐慧丽 刘波 +1 位作者 徐军 欧阳晓平 《现代应用物理》 2021年第2期1-10,共10页
作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga_(2)O_(3)具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV^(-1);斯托克斯位移大;自吸收弱;晶体不易潮解;可以采用熔体法生长大尺寸单晶。本文详细介绍了β-Ga_(2)O... 作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga_(2)O_(3)具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV^(-1);斯托克斯位移大;自吸收弱;晶体不易潮解;可以采用熔体法生长大尺寸单晶。本文详细介绍了β-Ga_(2)O_(3)闪烁晶体的基本性质、制备方法和闪烁性能,着重分析了其作为新型半导体闪烁体的独特优势及未来需要解决的关键科学问题和技术难点。 展开更多
关键词 闪烁体 超宽禁带半导体 氧化镓 快衰减 闪烁机理
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Yb∶YAG超快闪烁晶体研究进展与展望 被引量：2
3
作者 侯晴 陈建玉 +4 位作者 齐红基 韩和同 宋朝辉 张侃 张辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1323-1331,共9页
Yb3+离子掺杂YAG晶体(Yb∶YAG)作为一种性能优良的激光晶体已广泛应用于高效、高功率激光领域。最新研究表明,Yb∶YAG晶体响应时间可达0.411 ns,其优良的超快闪烁特性在超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学... Yb3+离子掺杂YAG晶体(Yb∶YAG)作为一种性能优良的激光晶体已广泛应用于高效、高功率激光领域。最新研究表明,Yb∶YAG晶体响应时间可达0.411 ns,其优良的超快闪烁特性在超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学等领域的应用引起了广泛关注,使得Yb∶YAG晶体成为超快闪烁材料研究的热点。关于Yb∶YAG的闪烁特性,文章在系统介绍Yb∶YAG作为超快闪烁晶体研究进展和发光机理的基础上,归纳总结了掺杂种类、浓度、后处理工艺、辐照、格位尺寸大小、温度等对Yb∶YAG晶体闪烁性能的影响。然后,针对Yb∶YAG目前存在的问题,给出相应的解释并提出通过离子共掺调控来改善其闪烁性能的方法。最后,对Yb∶YAG超快闪烁晶体未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 Yb∶YAG 超快闪烁 闪烁机理 离子共掺
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