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辐射敏感PMOS管的研制
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作者 陈德英 蔡振波 +3 位作者 姜岩峰 张旭 王成 樊路嘉 《电子器件》 CAS 2002年第4期345-348,共4页
本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度 (L )和宽长比 (W/ L )的敏感管 ,并给出样品的直流参数的测试结果。
关键词 PMOS管 辐射敏感 阈值电压漂移 阈值吸收剂量
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