厚度对Cu/HfO_(2)/ITO器件阻变特性的影响

1

作者 李琳琳 何木芬 +2 位作者 吴枚霞 马垒 袁昌来 《桂林电子科技大学学报》 2024年第3期316-322,共7页

采用直流磁控溅射方法,通过调节溅射时间研究二氧化铪(HfO_(2))功能层的厚度对Cu/HfO_(2)/ITO器件阻变性能的影响。利用X射线衍射技术测试了所制备的HfO_(2)薄膜的晶体结构,实验结果表明,随着厚度的增加,HfO_(2)薄膜的衍射峰的强度增加... 采用直流磁控溅射方法,通过调节溅射时间研究二氧化铪(HfO_(2))功能层的厚度对Cu/HfO_(2)/ITO器件阻变性能的影响。利用X射线衍射技术测试了所制备的HfO_(2)薄膜的晶体结构,实验结果表明,随着厚度的增加,HfO_(2)薄膜的衍射峰的强度增加。利用X射线光电子能谱对12 nm厚的HfO_(2)薄膜进行了成分和价态分析,证实所制备的HfO_(2)薄膜中的Hf为+4价。通过对Cu/HfO_(2)/ITO器件进行I-V特性测试,发现3种功能层厚度不同的Cu/HfO_(2)/ITO器件都属于双极转变,且都需无进行初始化操作;对Cu/HfO_(2)/ITO器件进行循环耐受性测试,器件经过60次循环后仍能保持良好的开关特性;对Cu/HfO_(2)/ITO器件的稳定性进行分析,随着厚度的增加,RHRS与RLRS的离散系数增加,器件的稳定性降低,功能层厚度约为12 nm的Cu/HfO_(2)/ITO器件稳定性最佳。对功能层厚度约为12 nm的Cu/HfO_(2)/ITO器件的I-V曲线进行双对数拟合,拟合结果表明,器件在低电阻状态(LRS)时符合欧姆传导机制,在高电阻状态(HRS)时符合空间电荷限制电流传导机制。通过设置功能层厚度约为12 nm的Cu/HfO_(2)/ITO器件的SET限制电流,表明器件具有多值存储的应用潜力。研究结果表明,通过调整功能层HfO_(2)厚度有利于提高Cu/HfO_(2)/ITO的阻变性能。 展开更多

关键词 二氧化铪薄膜 薄膜厚度 阻变特性 磁控溅射 传导机制

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Eu-Ru共掺NiO-SnO_2复合纳米粒子薄膜的阻变特性 被引量：1

2

作者 李建昌 王玉磊 +1 位作者 徐彬 侯雪艳 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1469-1472,共4页

通过低温水浴法制备了Eu-Ru共掺杂NiO-SnO_2复合纳米粒子,透射电镜图像显示纳米粒子粒径均匀,选区电子衍射表明结晶性差,所测晶面间距与SnO_2和NiO相应卡片数据一致,水热机理分析表明纳米粒子由NiO-SnO_2微观p-n结组成.原子力显微镜测... 通过低温水浴法制备了Eu-Ru共掺杂NiO-SnO_2复合纳米粒子,透射电镜图像显示纳米粒子粒径均匀,选区电子衍射表明结晶性差,所测晶面间距与SnO_2和NiO相应卡片数据一致,水热机理分析表明纳米粒子由NiO-SnO_2微观p-n结组成.原子力显微镜测试薄膜表面平均粗糙度约0.25 nm,由于薄膜太薄及样品结晶性差,XRD分析未见明显衍射峰.电学测试表明纳米粒子薄膜具有可重复双极阻变特性,阈值电压约1 V,开关比约500.薄膜高阻态电学输运符合缺陷俘获载流子所致空间电荷限制导电机制,低阻态呈欧姆特性,故阻变机理应为电荷俘获及再释. 展开更多

关键词 低温水浴法 NiO-SnO2复合纳米粒子 阻变特性 电荷俘获或释放 Eu-Ru共掺杂

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NiO-TiO_2纳米复合薄膜的阻变特性 被引量：1

3

作者 李建昌 李润霞 郑辰平 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期688-691,共4页

利用溶胶凝胶法制备了不同n(Ni)/n(Ti)比的Ni O-TiO_2复合薄膜,电学测试表明薄膜具有可重复双极阻变特性,且开关比与Ni O薄膜相比有显著提升.400℃退火n(Ni)/n(Ti)为7∶1的样品阻变阈值电压低、开关比高且稳定性好,原因是Ni O-TiO_2薄... 利用溶胶凝胶法制备了不同n(Ni)/n(Ti)比的Ni O-TiO_2复合薄膜,电学测试表明薄膜具有可重复双极阻变特性,且开关比与Ni O薄膜相比有显著提升.400℃退火n(Ni)/n(Ti)为7∶1的样品阻变阈值电压低、开关比高且稳定性好,原因是Ni O-TiO_2薄膜可形成P-N结纳米结构.焦耳热分析表明薄膜荷电输运属于热激发,高阻态符合由氧空位缺陷俘获电荷所致空间电荷限制导电机制,低阻态为欧姆特性,阻变机理为电荷俘获及再释放. 展开更多

关键词 溶胶凝胶法 金属氧化物复合薄膜 阻变特性 氧空位

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氧化镍薄膜阻变特性研究进展

4

作者 李建昌 王玉磊 +2 位作者 侯雪艳 徐彬 巴德纯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1251-1259,共9页

氧化镍薄膜因非挥发性、低功耗、开关重复性好及阻值窗口大等优势而成为广泛研究的阻变材料之一。本文从器件结构、阻变机理及影响因素等方面,综述了氧化镍薄膜阻变特性研究进展。结果表明:氧化镍薄膜阻变机理主要为金属细丝或空位细丝... 氧化镍薄膜因非挥发性、低功耗、开关重复性好及阻值窗口大等优势而成为广泛研究的阻变材料之一。本文从器件结构、阻变机理及影响因素等方面,综述了氧化镍薄膜阻变特性研究进展。结果表明:氧化镍薄膜阻变机理主要为金属细丝或空位细丝,但有关细丝形成条件仍无定论;引入PN结的夹层薄膜结构因形成界面缺陷可使开关比提高三个数量级到105;高价元素替位掺杂致薄膜内Ni0浓度增大而降低其阻变离散性;薄膜厚度及退火温度与时间可明显影响其阻变阈值电压。目前有关氧化镍薄膜阻变特性研究较多,下一步可将小尺度器件、低功耗及高密度集成纳米晶阻变特性作为研究方向,深入讨论其阻变机理。 展开更多

关键词 氧化镍薄膜 阻变特性 开关机理 器件结构 导电细丝

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ZrO_2-CuO复合纳米粒子薄膜阻变特性研究

5

作者 钱昱 邵思佳 李建昌 《真空》 CAS 2016年第5期29-32,共4页

利用水热法在180℃下制备ZrO_2-CuO复合纳米粒子(ZrCu),XRD测试表明随CuO含量增加,样品的结晶性变好。在ITO基片上旋涂制膜,通过GaIn微滴技术测试伏安特性,研究了复合比对ZrCu薄膜电学特性的影响。结果发现,ZrCu有良好可重复的双极阻变... 利用水热法在180℃下制备ZrO_2-CuO复合纳米粒子(ZrCu),XRD测试表明随CuO含量增加,样品的结晶性变好。在ITO基片上旋涂制膜,通过GaIn微滴技术测试伏安特性,研究了复合比对ZrCu薄膜电学特性的影响。结果发现,ZrCu有良好可重复的双极阻变特性,随CuO含量增加,阈值电压降低,开关比降低。ZrCu低阻态符合欧姆特性,高阻态为空间电荷限制导电机制,阻变机理为氧空位细丝的形成与断裂。第一性原理计算结果与实验观察一致。 展开更多

关键词 水热法 ZrO2-CuO纳米粒子 阻变特性 氧空位细丝

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直流磁控溅射制备SnO_2薄膜的阻变特性研究 被引量：4

6

作者 刘宝营 张群 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期779-783,共5页

采用直流磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2基片上分别以三种不同的基板温度和后热处理工艺制备了二氧化锡(SnO2)薄膜。采用X射线衍射仪对三种薄膜的晶格结构进行了分析表征,通过Keithley 4200半导体参数分析仪对薄膜的阻变特性进行了测试。实验... 采用直流磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2基片上分别以三种不同的基板温度和后热处理工艺制备了二氧化锡(SnO2)薄膜。采用X射线衍射仪对三种薄膜的晶格结构进行了分析表征,通过Keithley 4200半导体参数分析仪对薄膜的阻变特性进行了测试。实验结果表明:三种制备条件下的SnO2薄膜均具有阻变性能,基板温度350℃和850℃退火处理分别制备的薄膜同时具有良好的写入/擦除电压分布一致性、较好的高阻态阻值离散性和较大的开关比。初步讨论了三种薄膜阻变特性的机理,薄膜内部导电细丝的形成和断裂程度不同造成三种薄膜高低阻态电阻分布不同,同时影响了写入与擦除阈值电压的分布一致性等阻变参数。 展开更多

关键词 二氧化锡 薄膜 直流磁控溅射 阻变特性 导电细丝

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焙烧温度对NiO薄膜阻变特性的影响 被引量：1

7

作者 李玥 邵思佳 +1 位作者 李建昌 孙飞 《真空》 CAS 2017年第2期64-67,共4页

利用水热法制备了NiO纳米粒子,基于GaIn/NiO/ITO器件结构,研究了焙烧温度对NiO纳米粒子薄膜阻变特性的影响。XRD分析发现,随焙烧温度由400至900℃,NiO纳米粒子结晶性提高,逐渐显立方相,粒子分散性变好。电学测试表明,NiO纳米粒子薄膜具... 利用水热法制备了NiO纳米粒子,基于GaIn/NiO/ITO器件结构,研究了焙烧温度对NiO纳米粒子薄膜阻变特性的影响。XRD分析发现,随焙烧温度由400至900℃,NiO纳米粒子结晶性提高,逐渐显立方相,粒子分散性变好。电学测试表明,NiO纳米粒子薄膜具有可重复双极阻变特性,开电压约-1.3 V较稳定。随焙烧温度提高,器件开关比由1407急剧降至11左右,原因是纳米粒子结晶后,其晶界势垒减小,载流子迁移率增大,致开关性变差。伏安特性曲线分析发现,纳米粒子薄膜低阻态荷电输运为欧姆特性,高阻态符合肖特基发射,判断阻变机理为阈值电场及焦耳热导致的氧空位细丝的形成与断裂。 展开更多

关键词 水热法 NiO纳米粒子 阻变特性 氧空位细丝

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氧化镍溶胶-凝胶薄膜阻变特性研究 被引量：1

8

作者 李建昌 王玉磊 +1 位作者 侯雪艳 巴德纯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期567-572,共6页

用溶胶-凝胶法在ITO基片上旋涂制备了NiO薄膜,通过对ITO/NiO薄膜/GaIn器件进行伏安特性测试,研究了溶胶浓度、退火、层数以及Cu掺杂等对其电学特性的影响。结果表明:所制备NiO薄膜具有良好可重复双极电阻开关特性。其中,2%Cu掺杂0.2 mo... 用溶胶-凝胶法在ITO基片上旋涂制备了NiO薄膜,通过对ITO/NiO薄膜/GaIn器件进行伏安特性测试,研究了溶胶浓度、退火、层数以及Cu掺杂等对其电学特性的影响。结果表明:所制备NiO薄膜具有良好可重复双极电阻开关特性。其中,2%Cu掺杂0.2 mol/L溶胶、双层、400℃退火1 h制备的薄膜,阈值电压较低,约0.8 V;而开关比受以上因素影响不明显,约3×102。分析发现薄膜高阻态的荷电输运符合空间电荷限制导电机制,而低阻态为欧姆特性,阻变开关机理为阈值电场及焦耳热导致的氧空位细丝的形成与断裂。 展开更多

关键词 溶胶凝胶法 NiO薄膜 阻变开关特性 导电机制 空间电荷限制导电

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HfO_x薄膜阻变特性及机理研究

9

作者 唐艳艳 朱海玲 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期594-598,共5页

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ta/HfOx/Pt三明治结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Ta/HfOx/Pt结构具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比(ROFF/RON)约26,并且具有良好的重复性与保持性,循环次数超过了... 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ta/HfOx/Pt三明治结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Ta/HfOx/Pt结构具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比(ROFF/RON)约26,并且具有良好的重复性与保持性,循环次数超过了200次。通过XPS和R-T数据分析证实,电场作用下HfOx层中因氧的逸出以及铪的富集所形成的铪导电细丝的生长、断裂和再生是该器件发生电阻转变的主要机制。 展开更多

关键词 二氧化铪 薄膜 射频磁控溅射 阻变特性 导电细丝

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Pt/MgO/Pb0.2Zr0.8TiO3/SrRuO3复合铁电隧道结的阻变特性研究

10

作者 李立谦 王一豪 +1 位作者 章天金 马志军 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2019年第4期441-445,共5页

采用脉冲激光和磁控溅射技术制备Pt/MgO/Pb0. 2Zr0. 8Ti O3(PZT)/SrRu O3复合铁电隧道结.固定MgO/PZT复合层的厚度为10 nm,改变MgO与PZT的相对厚度,研究其隧道结的阻变特性.研究结果表明,随MgO厚度的增加,高低阻态比值呈现先增加后减小... 采用脉冲激光和磁控溅射技术制备Pt/MgO/Pb0. 2Zr0. 8Ti O3(PZT)/SrRu O3复合铁电隧道结.固定MgO/PZT复合层的厚度为10 nm,改变MgO与PZT的相对厚度,研究其隧道结的阻变特性.研究结果表明,随MgO厚度的增加,高低阻态比值呈现先增加后减小的趋势.这些结果可以用隧穿势垒的非对称性解释. 展开更多

关键词 铁电隧道结 复合势垒 阻变特性

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机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响

11

作者 孔帅 吴敏 +1 位作者 聂凡 曾冬梅 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第11期1878-1883,共6页

采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜,探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响。通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制。研究结果表明,磁控溅射制备的薄膜为闪... 采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜,探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响。通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制。研究结果表明,磁控溅射制备的薄膜为闪锌矿结构,F43m空间群。机械磨抛提高了CdZnTe薄膜的结晶质量;CdZnTe薄膜粗糙度(Ra)由磨抛前的3.42 nm下降至磨抛后的1.73 nm;磨抛后CdZnTe薄膜透过率和162 cm^(-1)处的类CdTe声子峰振动峰增强;CdZnTe薄膜的阻变开关比由磨抛前的1.2增加到磨抛后的4.9。机械磨抛提高CdZnTe薄膜质量及阻变特性的原因可能是CdZnTe薄膜在磨抛过程中发生了再结晶。 展开更多

关键词 CDZNTE 磁控溅射 机械磨抛 粗糙度 表面缺陷 阻变特性 再结晶

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非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜的低波动阻变特性研究

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作者 宋宏甲 薛旦 +1 位作者 钟向丽 王金斌 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2019年第3期55-63,共9页

基于化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜,研究了其表面形貌、介电特性和阻变特性.结果表明:非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜无明显晶界存在,其P-E和C-V曲线无滞后特征,其I-V曲线展示了双极性阻变行为.高... 基于化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜,研究了其表面形貌、介电特性和阻变特性.结果表明:非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜无明显晶界存在,其P-E和C-V曲线无滞后特征,其I-V曲线展示了双极性阻变行为.高低阻态的导电机制研究表明该双极性阻变行为由氧缺陷导电细丝断开/连接主导.通过与氧缺陷导电细丝主导的晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜基阻变行为对比,发现非晶态Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜阻变的波动性较小,这与其无晶界密切相关.该研究可为开发低波动的阻变器件提供一定指导. 展开更多

关键词 Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜 非晶态 阻变特性 波动性

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铜互连电迁移失效阻变特性研究 被引量：1

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作者 吴振宇 董嗣万 +2 位作者 刘毅 柴常春 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期531-536,共6页

基于铜互连电迁移失效微观机理分析建立一种Cu/SiCN互连电迁移失效阻变模型,并提出一种由互连阻变曲线特征参数即跳变台阶高度与斜率来获取失效物理参数的提取方法.研究结果表明,铜互连电迁移失效时间由一定电应力条件下互连阴极末端晶... 基于铜互连电迁移失效微观机理分析建立一种Cu/SiCN互连电迁移失效阻变模型,并提出一种由互连阻变曲线特征参数即跳变台阶高度与斜率来获取失效物理参数的提取方法.研究结果表明,铜互连电迁移失效时间由一定电应力条件下互连阴极末端晶粒耗尽时间决定.铜互连电迁移失效一般分为沟槽型和狭缝型两种失效模式.沟槽型空洞失效模式对应的阻变曲线一般包括跳变台阶区和线性区两个特征区域.晶粒尺寸分布与临界空洞长度均符合正态对数分布且分布参数基本一致.阻变曲线线性区斜率与温度呈指数函数关系.利用阻变模型提取获得的电迁移扩散激活能约为0.9eV,与Black方法基本一致. 展开更多

关键词 互连 电迁移 阻变特性

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基于聚乙烯咔唑的非挥发型阻变存储特性分析

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作者 宋志章 孙艳梅 《电子器件》 CAS 北大核心 2016年第5期1043-1047,共5页

采用聚乙烯咔唑作为活性层构建了ITO/PVK/Al的三明治结构阻变存储元件,并对其阻变特性进行了测量。结果表明其具有明显的非挥发型双稳态阻变特性,具有WORM存储特性。该元件具有良好的数据保持能力和耐久能力,开关态电流比可达103,且具... 采用聚乙烯咔唑作为活性层构建了ITO/PVK/Al的三明治结构阻变存储元件,并对其阻变特性进行了测量。结果表明其具有明显的非挥发型双稳态阻变特性,具有WORM存储特性。该元件具有良好的数据保持能力和耐久能力,开关态电流比可达103,且具有较低的阈值转换电压。分别对低阻态和高阻态的载流子传输机制进行了拟合,低阻态为欧姆传导机制,高阻态为空间电荷限制电流发射机制。根据载流子传输机制,对阻变特性进行了解释。 展开更多

关键词 聚乙烯咔唑 阻变特性 开关态电流比 耐久特性

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SiOx(x=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究 被引量：1

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作者 任圣 马忠元 +8 位作者 江小帆 王越飞 夏国银 陈坤基 黄信凡 徐骏 徐岭 李伟 冯端 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第16期319-326,共8页

采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可... 采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可达109.X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明,不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源.椭偏仪的测试结果表明,经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因. 展开更多

关键词 SIOX薄膜 阻变特性 硅悬挂键 热处理

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二极管的变阻与变容特性在手机中的应用

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作者 魏秉国 《现代电子技术》 2008年第6期159-160,164,共3页

二极管的基本特性是单向导电,在导通与截止的过程中其表现的阻值随外加电压的变化而变化;同时二极管也呈现出一定的电容特性,其表现的容量大小亦是随外加电压的变化而变化。因而他是一种非线性器件,这种特性在现代通信工具——手机的保... 二极管的基本特性是单向导电,在导通与截止的过程中其表现的阻值随外加电压的变化而变化;同时二极管也呈现出一定的电容特性,其表现的容量大小亦是随外加电压的变化而变化。因而他是一种非线性器件,这种特性在现代通信工具——手机的保护、接收、发射等电路中得到充分的利用。 展开更多

关键词 二极管 变阻特性 变容特性 非线性器件

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引导变阻特性测量实验的尝试

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作者 张道山 《濮阳教育学院学报》 2002年第1期63-63,共1页

关键词 电磁学实验 实验原理 变阻特性测量实验 仪器 参数

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铋掺杂对SrTiO_3薄膜微观结构及阻变行为的影响 被引量：2

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作者 张文博 王华 +3 位作者 许积文 刘国保 谢航 杨玲 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1932-1937,共6页

采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的... 采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的相结构,但随着掺杂比例的增大,晶粒尺寸也明显增大,当掺杂量x=0.16时,有Bi4SrTi4O15及TiO2相形成;不同Bi掺杂量的Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si器件均呈现出双极性阻变特性,且有明显的多级阻变行为。随Bi掺杂量的增加,器件的阻变性能逐步提高,当x=0.12时器件的高、低阻态电阻比值最大,达到105左右,并且在2 000次可逆循环测试下,高、低阻态电阻比未出现衰减,表现出良好的抗疲劳特性,但当掺杂量x达到或超过0.16后,器件的性能呈下降趋势。Bi掺杂量的增大会导致器件高阻态时的导电机制从空间电荷效应(SCLC)导电机制(x<0.16)转变为肖特基势垒发射(x=0.16)。器件在低阻态下均遵循欧姆导电机制。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 钛酸锶薄膜 Ag/Sr1-xBixTiO3/p+-Si 铋掺杂 阻变特性 阻变存储器(RRAM)

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电泳沉积法制备的Zn_(1-x)Cu_xO薄膜的结构及阻变性能 被引量：2

19

作者 李嘉川 何新华 樊娇娇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期594-600,共7页

采用电泳沉积法在FTO导电玻璃基片上制备Zn_(1-x)Cu_xO薄膜,并对其微观结构、光致发光谱、伏安特性、保持特性和转换电压分布进行探讨。PL谱表明,Cu掺杂在禁带中引入深受主能级,降低氧空位浓度,导致ZnO薄膜的紫外发光、蓝光发光和绿光... 采用电泳沉积法在FTO导电玻璃基片上制备Zn_(1-x)Cu_xO薄膜,并对其微观结构、光致发光谱、伏安特性、保持特性和转换电压分布进行探讨。PL谱表明,Cu掺杂在禁带中引入深受主能级,降低氧空位浓度,导致ZnO薄膜的紫外发光、蓝光发光和绿光发光峰强度降低。所得薄膜的晶粒细小、致密、均匀,具有稳定的双极性阻变特性,开关比R_(off)/R_(on)最高达到10~5,其低阻态(LRS)和高阻态(HRS)的阻变机理分别符合欧姆定律和空间电荷限制传导理论。器件经100次循环测试后开关比无明显变化,呈现出较为良好的抗疲劳特性。Cu掺杂对LRS影响不大,但显著改善了HRS的分散性以及转换电压V_(SET)的分散性。当Cu掺杂量x=0.04时,器件表现出良好的综合性能:R_(off)≈10~6Ω,R_(off)/R_(on)≈10~4,V_(SET)介于0.4~3.03 V之间。 展开更多

关键词 氧化锌 CU掺杂 电泳沉积 阻变特性 导电细丝

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预热处理温度对低温制备Mn掺杂ZnO薄膜结构和阻变性能的影响

20

作者 陈齐松 王华 +2 位作者 许积文 韦长成 张玉佩 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期36-40,共5页

以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p＋-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜（MZO）。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明：经250、300℃预热... 以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p＋-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜（MZO）。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明：经250、300℃预热处理的MZO薄膜孔洞较多,而经350℃预热处理的MZO薄膜致密,无孔洞且呈c轴择优取向生长;经不同温度预热处理所制备的Ag/MZO/p＋-Si器件均呈双极性的阻变特性,但经350℃预热处理的器件样品具有更显著的阻变行为和更高的高、低电阻比RHRS/RLRS（104~106）;器件在高阻态的低压区为欧姆导电,高阻态高压区为肖特基发射电流传导,在低阻态为空间电荷限制电流（SCLC）传导。 展开更多

关键词 Mn掺杂ZnO 溶胶凝胶 阻变特性 预热处理

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