OFDM水声通信降低限幅噪声的改进算法 被引量：1

1

作者 郭铁梁 赵旦峰 钱晋希 《计算机工程与应用》 CSCD 2013年第14期15-18,共4页

为了降低正交频分复用(OFDM)水声(UWA)通信系统的峰均比(PAPR),使放大器能工作在线性有效区,传统的限幅方法通常会引入较大的限幅噪声。针对这一问题,提出了一种低复杂度的降低限幅噪声的算法。该算法采用不同的限幅门限对不同的信号幅... 为了降低正交频分复用(OFDM)水声(UWA)通信系统的峰均比(PAPR),使放大器能工作在线性有效区,传统的限幅方法通常会引入较大的限幅噪声。针对这一问题,提出了一种低复杂度的降低限幅噪声的算法。该算法采用不同的限幅门限对不同的信号幅度作限幅处理,同时将处理结果以限幅向量的形式传送至接收端,以准确恢复相应被限数据的原始幅度,从而降低限幅噪声。通过理论分析和计算机仿真,结果表明该算法在少量增加系统运算复杂度的前提下,能使线性放大器工作在有效范围内,而且能够有效抑制系统的限幅噪声。 展开更多

关键词 水声通信 正交频分复用 峰均比 限幅噪声

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改进的压缩感知限幅噪声消除方案

2

作者 庄陵 叶华双 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2021年第8期2341-2346,共6页

限幅引入非线性失真即限幅噪声,使正交频分复用系统误码率性能显著下降。为消除限幅噪声,本文提出了基于预估计限幅噪声位置的稀疏自适应匹配追踪方案。首先,在发送端信号送入信道之前,根据信号幅度值,预先估计被限幅采样点的位置,使落... 限幅引入非线性失真即限幅噪声,使正交频分复用系统误码率性能显著下降。为消除限幅噪声,本文提出了基于预估计限幅噪声位置的稀疏自适应匹配追踪方案。首先,在发送端信号送入信道之前,根据信号幅度值,预先估计被限幅采样点的位置,使落在该采样点范围的限幅噪声作为压缩感知的观测值向量,其次再对噪声进行重构。该预估计方案成功避免了信道对限幅噪声分布位置及幅值的干扰,提高了重构精度。仿真结果表明,与传统压缩感知算法相比,所提方案对系统的误码率性能及算法计算复杂度均有改善。 展开更多

关键词 正交频分复用 限幅噪声 预估计 稀疏自适应 压缩感知

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一种降低OFDM系统PAPR的改进限幅噪声压缩方法 被引量：3

3

作者 丁亚青 吕建鸿 王中鹏 《电讯技术》 北大核心 2022年第11期1691-1696,共6页

为降低正交频分复用(Orthogonal Frequency Division Multip-lexing,OFDM)系统峰均功率比(Peak to Average Power Ratio,PAPR),在最近提出的限幅噪声压缩(Clipping-noise Compression,CNC)方法基础上,提出了一种基于改进的艾里压缩函数... 为降低正交频分复用(Orthogonal Frequency Division Multip-lexing,OFDM)系统峰均功率比(Peak to Average Power Ratio,PAPR),在最近提出的限幅噪声压缩(Clipping-noise Compression,CNC)方法基础上,提出了一种基于改进的艾里压缩函数来抑制限幅噪声的方法(CNC-Improved Airy Function,CNC-IAF)。改进的艾里压缩函数形式简单,计算复杂度较小,并且对归一化限幅噪声的取值条件没有CNC方法的严格。仿真结果表明,CNC-IAF方法能够抑制OFDM信号的PAPR同时有效地降低系统误码率,性能比CNC方法均有改善。 展开更多

关键词 正交频分复用 峰均功率比抑制 限幅噪声压缩 艾里函数

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S波段GaAs超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制

4

作者 舒畅 彭龙新 +2 位作者 李建平 贾晨阳 洪伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期85-89,共5页

本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低... 本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低噪声放大器芯片,实现了超低噪声与高耐功率的性能。测试结果表明,该款芯片在目前相近频段所有限幅低噪声放大器产品中噪声系数最小。在2.7 GHz~3.5 GHz工作频带内,实测噪声系数NF≤0.85 dB,增益≥29 dB,带内增益平坦度≤±0.3 dB,静态工作电流≤25 mA,1 dB压缩点输出功率≥8 dBm。在耐功率50 W(250μs脉宽、25%占空比)下试验30 min后不烧毁,恢复到常温时,噪声几乎无变化。芯片尺寸为3450μm×1600μm×100μm。 展开更多

关键词 限幅低噪声放大器 超低噪声 高耐功率 小型化

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Ka波段GaAs MMIC限幅低噪声放大器的设计 被引量：6

5

作者 王磊 任健 +1 位作者 刘飞飞 刘帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期893-897,共5页

采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段GaAs微波单片集成电路(MMIC)限幅LNA。为了在Ka波段实现大功率和低噪声的目标,采用限幅器和LNA一体化设计... 采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段GaAs微波单片集成电路(MMIC)限幅LNA。为了在Ka波段实现大功率和低噪声的目标,采用限幅器和LNA一体化设计的思路,优化了限幅器的电路拓扑和pin二极管的结构。该LNA采用三级级联的电流复用拓扑结构。在片测试结果表明,限幅LNA在32~38 GHz频率范围内,噪声系数小于3. 1 dB,线性增益大于18 dB,芯片静态工作电流为20 m A;在70℃恒温条件下,能够承受脉冲功率为2 W(脉冲宽度4 ms,占空比30%);芯片尺寸为3. 3 mm×2. 0 mm×0. 07 mm。 展开更多

关键词 砷化镓 微波单片集成电路(MMIC) 限幅低噪声放大器(LNA) KA波段 PIN二极管

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5~13GHz GaAs限幅低噪声放大器MMIC 被引量：4

6

作者 曾志 周鑫 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期354-357,共4页

基于0.15μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5~13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该MMIC中限幅器采用三级反向并联二极管结构,优化了插入损耗和耐功率性能;LNA采用两级级联设计,利用负反馈和源电... 基于0.15μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5~13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该MMIC中限幅器采用三级反向并联二极管结构,优化了插入损耗和耐功率性能;LNA采用两级级联设计,利用负反馈和源电感匹配,在宽带下实现平坦的增益和较小的噪声;限幅器和LNA进行一体化设计,实现了宽带耐功率和低噪声目标。测试结果表明,在5~13 GHz内,该MMIC的小信号增益大于20 dB,噪声系数小于1.8 dB,耐功率大于46 dBm(2 ms脉宽,30%占空比),总功耗小于190 mW,芯片尺寸为3.3 mm×1.2 mm。限幅LNA MMIC芯片的尺寸较小,降低了组件成本,同时降低了组件装配难度,提高通道之间的一致性。 展开更多

关键词 GAAS 限幅低噪声放大器(LNA) 宽带 单片微波集成电路(MMIC) PIN二极管

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L波段载板式双平衡限幅低噪声放大器

7

作者 李建平 凌志健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期257-261,共5页

设计了L波段PIN限幅器芯片和低噪声放大器芯片,并将这两种芯片集成在载板上,组成小尺寸双平衡限幅低噪声放大器。低噪声放大器采用负反馈结构,降低噪声系数和改善增益平坦度。采用双平衡式结构,提高限幅器的功率容量,提高了1dB增益压缩... 设计了L波段PIN限幅器芯片和低噪声放大器芯片,并将这两种芯片集成在载板上,组成小尺寸双平衡限幅低噪声放大器。低噪声放大器采用负反馈结构,降低噪声系数和改善增益平坦度。采用双平衡式结构,提高限幅器的功率容量,提高了1dB增益压缩点输出功率。对传统兰格桥结构作了改进,缩小了电路面积。该限幅低噪声放大器工作电压5V,电流40mA。测试结果显示,在频带1.2~1.4GHz内,噪声系数小于1.2dB,增益大于28dB,P1dB大于6dBm,能够承受脉冲功率150 W(脉宽200μs和占空比为20%)。体积为7.5mm×5.0mm×0.9mm。 展开更多

关键词 L波段 载板式 双平衡 限幅低噪声放大器

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毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器 被引量：5

8

作者 贾晨阳 彭龙新 +3 位作者 刘昊 凌志健 李建平 韩方彬 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第3期169-173,共5页

设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路... 设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33~37GHz频带内,增益达到22dB,增益平坦为±1dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0dB,输出1dB增益压缩点(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脉冲输入功率。 展开更多

关键词 毫米波 限幅低噪声放大器 PIN二极管 pHEMT晶体管

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32~40 GHz高耐功率PIN二极管限幅低噪声放大器MMIC 被引量：2

9

作者 邸跃红 杨旭 +2 位作者 杨琳 蔡明伟 安胜彪 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2022年第9期869-874,共6页

本文提出了一种32~40 GHz高耐功率砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)。将PIN限幅器与低噪声放大器联合设计,同时采用高鲁棒性低噪声放大器网络,... 本文提出了一种32~40 GHz高耐功率砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)。将PIN限幅器与低噪声放大器联合设计,同时采用高鲁棒性低噪声放大器网络,提高了限幅低噪声放大器的耐功率和小信号特性。为了降低放大器的噪声系数,提出了包含电感和PIN二极管的T型匹配单元,将多个匹配单元级联作为低噪声放大器的输入匹配网络。该限幅低噪声放大器MMIC采用0.15-μm PIN/pHEMT工艺制造。测试结果表明,该芯片可以承受最高为38 dBm的连续波30 min不损坏。在32~40 GHz频率范围内,电路的小信号增益和噪声系数分别为18±0.4 dB和2.5~2.8 dB,证明了该设计方法的有效性。在目前报道的限幅低噪声放大器MMIC中,该限幅低噪声放大器具有最高的工作频率,该电路可广泛的应用于高功率、高机动性的毫米波雷达系统中。 展开更多

关键词 PIN二极管 GAAS 限幅低噪声放大器 单片微波集成电路 高耐功率

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基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器 被引量：3

10

作者 王溯源 章军云 +1 位作者 彭龙新 黄念宁 《电子与封装》 2019年第8期39-43,共5页

报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB... 报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。 展开更多

关键词 248 nm扫描光刻机 烘胶工艺 X波段 GAAS 单片限幅低噪声放大器

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限幅低噪声放大器增益下降失效分析 被引量：2

11

作者 贾玉伟 魏志宇 冀乃一 《电子与封装》 2022年第4期64-67,共4页

限幅低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是微波收发组件中的关键部件,用于对接收的射频信号进行放大。接收增益是限幅LNA的关键指标,增益下降可导致微波收发组件功能失效。综合采用外观检查、万用表测量、X光检查、扫描电子显微镜(S... 限幅低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是微波收发组件中的关键部件,用于对接收的射频信号进行放大。接收增益是限幅LNA的关键指标,增益下降可导致微波收发组件功能失效。综合采用外观检查、万用表测量、X光检查、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)等分析手段对某型限幅LNA增益下降的原因进行了分析,确定了故障失效的原因。结果表明,增益下降是由于工艺装配过程PIN二极管芯片与管壳安全间距不足导致。研究结果对类似产品的生产装配、检测检验、失效分析有一定的参考意义。 展开更多

关键词 限幅低噪声放大器 增益下降 故障定位 安全间距 失效分析

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限幅低噪声放大器的设计

12

作者 刘学武 《安徽电子信息职业技术学院学报》 2007年第5期94-96,共3页

限幅低噪声放大器是雷达接收机非常重要的一部分,它决定接收机灵敏度和动态。阐述了放大器几个重要指标,FET管在低频段存在潜在不稳定性以及消除不稳定的方法和措施。最后以某型号产品限幅低噪声放大器为例,简要介绍了利用AHSOFT公司微... 限幅低噪声放大器是雷达接收机非常重要的一部分,它决定接收机灵敏度和动态。阐述了放大器几个重要指标,FET管在低频段存在潜在不稳定性以及消除不稳定的方法和措施。最后以某型号产品限幅低噪声放大器为例,简要介绍了利用AHSOFT公司微波电路设计软件设计放大器设计方法。 展开更多

关键词 限幅低噪声放大器 噪声系数 匹配网络 稳定性

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PTS与限幅结合降低OFDM峰均比的改进算法 被引量：4

13

作者 王兰勋 徐彬 《电视技术》 北大核心 2009年第9期79-81,共3页

提出了一种基于部分传输序列(PTS)算法和限幅算法相结合的改进算法来降低正交频分复用(OFDM)系统的峰均功率比(PAPR)。该算法先利用PTS算法对OFDM信号进行处理从而选择出限幅噪声最小的一路OFDM信号,所得OFDM信号再利用限幅法进行处理... 提出了一种基于部分传输序列(PTS)算法和限幅算法相结合的改进算法来降低正交频分复用(OFDM)系统的峰均功率比(PAPR)。该算法先利用PTS算法对OFDM信号进行处理从而选择出限幅噪声最小的一路OFDM信号,所得OFDM信号再利用限幅法进行处理。因此可有效改善OFDM信号经过限幅引起的限幅噪声,减小限幅对OFDM系统的影响。数据仿真验证了所提方法的有效性。 展开更多

关键词 正交频分复用 峰均功率比 部分传输序列 限幅噪声

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基于多相补码的OFDM峰均功率比抑制

14

作者 肖建华 张平 《电视技术》 北大核心 2002年第12期7-9,15,共4页

如何降低正交频分复用(OFDM)系统中的峰均功率比是有效应用OFDM技术的关键。应用多相补码技术对数据进行编码,有效地降低了峰均功率比,同时多相补码还具有纠错能力,能提高系统的性能。

关键词 多相补码 OFDM 峰均功率比 限幅噪声 纠错 信号

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可见光通信非对称限幅光多载波码分多址系统的设计及性能分析 被引量：7

15

作者 贾科军 郝莉 张守琴 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期31-42,共12页

基于码分多址(CDMA)和非对称限幅光(ACO)正交频分复用,提出了非对称限幅光多载波码分多址系统。在视线传播和散射传播信道中,采用正交恢复合并(ORC)、最大比合并(MRC)和等增益合并(EGC)算法,推导了受限幅噪声影响时系统的信噪比,建立了... 基于码分多址(CDMA)和非对称限幅光(ACO)正交频分复用,提出了非对称限幅光多载波码分多址系统。在视线传播和散射传播信道中,采用正交恢复合并(ORC)、最大比合并(MRC)和等增益合并(EGC)算法,推导了受限幅噪声影响时系统的信噪比,建立了蒙特卡罗误比特率(BER)仿真模型。研究结果表明,通过增大扩频序列长度可以提高BER性能。随着用户数增多,多用户间干扰增大,MRC算法性能变差,ORC算法保持了用户间的正交性,BER性能最好。所提系统的性能比反转多载波CDMA和单极性多载波CDMA系统的更好。 展开更多

关键词 光通信 非对称限幅光正交频分复用 码分多址 限幅噪声 均衡合并

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可见光通信光正交频分复用系统符号分解技术抑制LED非线性失真研究 被引量：18

16

作者 贾科军 杨博然 +1 位作者 陆皓 郝莉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期226-234,共9页

传统重复信号限幅(ISC)技术可以减小非线性LED光正交频分复用(O-OFDM)系统的非线性限幅噪声影响。但ISC系统需要多个LED同时发光,同步和硬件实现复杂,并且误码率(BER)随着信道增益差异的增大而变大。基于此,提出基于单个LED的O-OFDM符... 传统重复信号限幅(ISC)技术可以减小非线性LED光正交频分复用(O-OFDM)系统的非线性限幅噪声影响。但ISC系统需要多个LED同时发光,同步和硬件实现复杂,并且误码率(BER)随着信道增益差异的增大而变大。基于此,提出基于单个LED的O-OFDM符号分解串行传输系统,对O-OFDM符号进行限幅分解,然后串行组帧,最后输入到单个LED中。推导了系统理论信噪比表达式,并建立了蒙特卡罗误码率和误差矢量幅度(EVM)仿真模型。结果表明,随着符号分解次数增大,EVM和BER性能显著变好,但通信速率略有下降,并且直流偏置会影响EVM和BER性能。本系统实现简单,避免了信道增益差异引起的BER变差问题。 展开更多

关键词 光通信 光正交频分复用 重复信号限幅 符号分解 限幅噪声 误差矢量幅度

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LED非线性对可见光通信系统性能的影响 被引量：9

17

作者 贾科军 陆皓 +2 位作者 杨博然 杜文飞 郝莉 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2020年第15期61-68,共8页

发光二极管(LED)的非线性特性会使可见光通信(VLC)系统的误差矢量幅度(EVM)和误码率(BER)恶化,介绍了基于非线性LED的光正交频分复用(O-OFDM)VLC系统原理,并推导了系统的BER表达式。提出了将LED非线性失真分为工作区内的非线性失真和工... 发光二极管(LED)的非线性特性会使可见光通信(VLC)系统的误差矢量幅度(EVM)和误码率(BER)恶化,介绍了基于非线性LED的光正交频分复用(O-OFDM)VLC系统原理,并推导了系统的BER表达式。提出了将LED非线性失真分为工作区内的非线性失真和工作区外的限幅失真。对于限幅失真,根据Bussgang理论,计算载荷信息的子载波衰减因子,进而得到叠加在子载波上的限幅噪声方差。将工作区内的非线性失真,等效为驱动信号加上非线性失真噪声,用非线性LED输出信号偏离理想线性信号的总平均功率减去直流功率作为噪声方差。用蒙特卡罗法仿真分析了非线性失真对星座图、EVM和BER的影响。 展开更多

关键词 可见光通信 光正交频分复用 非线性发光二极管 限幅噪声 非线性失真

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栅极导电层Au迁移导致放大器失效原因分析 被引量：2

18

作者 郑雨薇 包生祥 +1 位作者 饶真真 张诚实 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期46-48,共3页

针对限幅低噪声放大器使用过程中出现输出不稳定现象,利用扫描电镜和能谱仪对场效应管栅极表面的金属缺失层和栅源之间的金属堆积物进行微观分析,寻找放大器工作不正常的原因。结果表明:场效应管栅极Au层的电迁移,使导线局部电阻增大,... 针对限幅低噪声放大器使用过程中出现输出不稳定现象,利用扫描电镜和能谱仪对场效应管栅极表面的金属缺失层和栅源之间的金属堆积物进行微观分析,寻找放大器工作不正常的原因。结果表明:场效应管栅极Au层的电迁移,使导线局部电阻增大,温度升高,导致Au的热迁移加重,引起导线出现孔洞和栅源中间堆积金属颗粒,使栅极导线出现开路和栅源极间产生不稳定接触,最终导致场效应管的工作参数漂移和放大器工作不正常。 展开更多

关键词 限幅低噪声放大器 场效应管 Au层 电迁移 热迁移 栅极

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