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非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用
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作者 蒋玉龙 茹国平 +1 位作者 屈新萍 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期385-388,共4页
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非... 在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非晶化未对硅化反应过程中杂质的再分布产生影响,但是剖面透射电镜分析表明,这种非晶化所需能量需要合理优化. 展开更多
关键词 硅化物 NISI 非晶化注入 固相反应
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具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
2
作者 徐秋霞 钱鹤 +6 位作者 段晓峰 刘海华 王大海 韩郑生 刘明 陈宝钦 李海欧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期283-290,共8页
深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩... 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物. 展开更多
关键词 应变硅沟道 压应力 Ge预非晶化注入 等效氧化层厚度 栅长 CMOS
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