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基于原子层沉积的高介电常数材料在DRAM中的应用
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作者 贺辉龙 王海 +4 位作者 张学良 张洪礼 赵晓亚 张晓东 贝宏 《化工生产与技术》 CAS 2024年第5期12-16,42,共6页
叙述了基于原子层沉积(ALD)薄膜沉积技术的铪基、锆基、钛基和钼基高介电常数(high-κ)材料的基本性能、研究现状及其在动态随机存取存储器(DRAM)中的应用。分析表明,向氧化钛、氧化锆和氧化钼中掺杂铝、铱、钌、钽等元素形成的复合high... 叙述了基于原子层沉积(ALD)薄膜沉积技术的铪基、锆基、钛基和钼基高介电常数(high-κ)材料的基本性能、研究现状及其在动态随机存取存储器(DRAM)中的应用。分析表明,向氧化钛、氧化锆和氧化钼中掺杂铝、铱、钌、钽等元素形成的复合high-κ材料具备更优的热力学和电学性能。基于材料物性、工艺设备等局限,仍然存在较多难题,如保证薄膜完全均匀生长、优化掺杂量、抵抗掺杂后的载流子迁移率下降等。 展开更多
关键词 高介电常数材料 原子层沉积 动态随机存取存储器 进展
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高介电常数材料在半导体存储器件中的应用 被引量:17
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作者 邵天奇 任天令 +1 位作者 李春晓 朱钧 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期312-317,共6页
高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几... 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法 。 展开更多
关键词 半导体存储器件 高介电常数材料 铁电体 氮化物 铁电场效应管
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高介电常数材料的介电常数测量方法研究 被引量:3
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作者 林浩 倪学锋 +1 位作者 姜胜宝 国江 《电力电容器与无功补偿》 北大核心 2016年第2期39-43,共5页
高介电常数材料在未喷涂电极前,如何测准他的介电常数,以判断该材料质量是否满足要求是一个困难。本文介绍一种通过恒压力电极,对给定的高介电常数材料在该电极下产生的气隙厚度进行计算,并利用该气隙厚度对所测到的电容量测量值进行校... 高介电常数材料在未喷涂电极前,如何测准他的介电常数,以判断该材料质量是否满足要求是一个困难。本文介绍一种通过恒压力电极,对给定的高介电常数材料在该电极下产生的气隙厚度进行计算,并利用该气隙厚度对所测到的电容量测量值进行校核,得到该批材料较准确的介电常数值,以对该批材料质量进行评判,从而避免生产中不必要的人力、物力和财力的浪费。 展开更多
关键词 高介电常数材料 相对介电常数 电极 气隙 测量值 校核
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高介电常数La_(2)O_(3)材料的制备方法及其介电性能研究进展
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作者 魏小茹 陈文杰 +1 位作者 王锋 朱胜利 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期33-37,共5页
在众多高介电常数栅介质材料中氧化镧(La_(2)O_(3))因带隙大、热稳定性良好等特点而具有代替传统SiO_(2)栅介质材料的潜力。介绍了La_(2)O_(3)薄膜的制备方法,综述了目前改善La_(2)O_(3)薄膜介电性能的方法并展望了其未来发展前景。
关键词 介电常数介质材料 La_(2)O_(3) 电学特性 制备方法
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高介电常数栅极电介质材料的研究进展 被引量:4
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作者 张化福 祁康成 吴健 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期37-39,51,共4页
随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的 MOSFET 的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小。然而,当传统栅介质层 SiO_2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO_2将失去介电性能,致使器件无法正常工作。因此,必须... 随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的 MOSFET 的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小。然而,当传统栅介质层 SiO_2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO_2将失去介电性能,致使器件无法正常工作。因此,必须寻找新的高介电常数材料来替代它。目前,高介电常数材料是微电子行业最热门的研究课题之一。主要介绍了栅介质层厚度减小所带来的问题(即研究高介电常数材料的必要性)、新型栅电介质材料的性能要求,并简要介绍和评述了近期主要高介电常数栅介质材料的研究状况及其应用前景。 展开更多
关键词 栅介质 栅极 高介电常数材料 特征尺寸 栅电介质材料 MOSFET 集成电路 正常 研究进展 层厚
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作为高介电常数栅介质材料的LaErO_3薄膜热稳定性和电学性质的研究 被引量:1
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作者 张九如 殷江 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期147-152,共6页
采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4nm.通过高分辨电镜可以... 采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4nm.通过高分辨电镜可以看出即使经过700℃30sN2中快速热退火处理LaErO3薄膜与硅衬底之间的反应层也仅有几个原子层的厚度.X射线电子能谱分析得到非常少量的SiO2在沉积的过程中形成.测量的热学和电学性质表明LaErO3薄膜是高介电常数栅介质材料非常有前途的候选材料. 展开更多
关键词 介电常数栅介质材料 脉冲激光淀积 薄膜
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新一代栅介质材料——高K材料 被引量:4
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作者 李驰平 王波 +1 位作者 宋雪梅 严辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期17-20,25,共5页
介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解... 介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。 展开更多
关键词 K材料 SiO2栅介质减薄 等效SiO2厚度 介质材料 高介电常数材料 一代 发展趋势 微电子工业 CMOS SIO2
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亚45nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择 被引量:2
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作者 陈长春 刘江锋 +2 位作者 余本海 涂有超 戴启润 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期112-118,共7页
随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MO... 随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。 展开更多
关键词 高介电常数材料 应变硅 金属栅极
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高K栅介质研究进展 被引量:8
9
作者 赵毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期16-19,共4页
介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状。分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法。
关键词 栅极介质 高介电常数材料 K栅介质 介电层 场效应管 二氧化硅
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原子层沉积系统的原理及其在ZrO_2薄膜制备方面的应用
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作者 汤振杰 李荣 《安阳师范学院学报》 2016年第2期27-29,共3页
原子层沉积系统是氧化物薄膜制备的主要手段。阐述了原子沉积的主要原理及工艺参数。利用原子层沉积系统制备了高介电常数ZrO_2薄膜材料,系统研究了薄膜的电学性能。研究结果表明,原子层沉积系统制备的ZrO_2薄膜具有良好的介电性能,... 原子层沉积系统是氧化物薄膜制备的主要手段。阐述了原子沉积的主要原理及工艺参数。利用原子层沉积系统制备了高介电常数ZrO_2薄膜材料,系统研究了薄膜的电学性能。研究结果表明,原子层沉积系统制备的ZrO_2薄膜具有良好的介电性能,±8V扫描电压下的漏电流密度为10-3A·cm-2。 展开更多
关键词 原子层沉积 薄膜 高介电常数材料
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余甘子果核油组分性质及介电精制研究 被引量:4
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作者 胡国庆 熊常健 +1 位作者 朱岳麟 宋佳 《天津理工大学学报》 2012年第4期41-45,共5页
成分分析和理化性能检测表明,余甘子加工产业多余的余甘子果核提取的油料具有向生物航空燃料等高品质油料转变的潜力.运用介电精制方法对余甘子果核油进行精制,其中介电质为微米级纯钛酸钡陶瓷颗粒,其介电常数εP=14 000 F·m-1,分... 成分分析和理化性能检测表明,余甘子加工产业多余的余甘子果核提取的油料具有向生物航空燃料等高品质油料转变的潜力.运用介电精制方法对余甘子果核油进行精制,其中介电质为微米级纯钛酸钡陶瓷颗粒,其介电常数εP=14 000 F·m-1,分离电压为7 000 V,装置内油料流速为60 mL·min-1.该工艺参数下,油料精制后的主要杂质硫醇的脱除率可达97%以上,环烷酸的脱除率可达65.5%以上.同时该方法由于不使用化学添加剂,工艺简单,易于控制,是一种环保的精制工艺.该精制工艺为余甘子果核油向生物航空燃料等高品质油的转化提供了关键技术支持,同时也拓宽了高介电常数材料的应用领域. 展开更多
关键词 余甘子果核油 生物航空燃料 硫醇 环烷酸 介电精制 高介电常数材料
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MOS晶体管技术
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作者 牛宏亮 张云娟 《国外电子元器件》 2008年第7期20-21,24,共3页
简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展,分析了其在将来超大规模集成电路(ULSI)应用中的主要限制。从材料以及器件结构两个方向分别阐述了突破现有MOS技术而最有希望被将来ULSI工业所采用的新型晶体管技术。
关键词 晶体管 高介电常数材料 器件结构 集成电路
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多编程手段的浮栅晶体管非易失性存储器
13
作者 温嘉敏 闫成员 孙振华 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期232-238,共7页
随着信息时代的发展,新型晶体管基非易失性存储器体现出越来重要的应用价值,获得了广泛的研究关注.本研究将具有Ⅰ型能带结构的硒化锌/硫化锌核壳量子点集成到石墨烯晶体管中,充当晶体管中的电荷捕获层和隧穿中心,制备具有多重编程手段... 随着信息时代的发展,新型晶体管基非易失性存储器体现出越来重要的应用价值,获得了广泛的研究关注.本研究将具有Ⅰ型能带结构的硒化锌/硫化锌核壳量子点集成到石墨烯晶体管中,充当晶体管中的电荷捕获层和隧穿中心,制备具有多重编程手段的非易失性存储器.该量子点可以实现电子和空穴的双重存储,通过正负脉冲栅压可以改变该器件的沟道电导状态,实现信息存储.表征实验结果表明,该器件可实现60 V的超大存储窗口,在10 h的测试范围内表现出良好稳定性,在多次擦写过程中表现出良好的耐用性.该器件还可以将光照作为辅助编程手段,使用紫外光对写入的电荷进行擦除,实现较好的电写-光擦功能.研究结果表明,核壳量子点是一种良好的电荷存储介质,在晶体管基非易失性存储器中具有巨大应用潜力,对基于半导体核壳量子点的晶体管基存储器进行光电赋能,有望实现光电编程. 展开更多
关键词 纳米材料 核壳量子点 光电晶体管 非易失性存储器 光电存储器 石墨烯晶体管 高介电常数材料
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呼之欲出的新一代MOS栅极电介质材料 被引量:1
14
作者 陈刚 王迅 《物理》 CAS 2000年第7期388-392,共5页
传统的SiO2 栅极电介质材料无法克服MOS器件特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响 .作为进一步提高微电子器件集成度的途径 ,利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代SiO2 的研究工作已经展开 .文中介绍了此类材料抑制隧穿效应... 传统的SiO2 栅极电介质材料无法克服MOS器件特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响 .作为进一步提高微电子器件集成度的途径 ,利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代SiO2 的研究工作已经展开 .文中介绍了此类材料抑制隧穿效应影响的原理和其应当满足的各项性能指标 .并对目前几种主要的研究方案 ,如几种高介电常数金属氧化物、硅酸盐及其迭层结构的研究状况和优缺点给予了简要评述 . 展开更多
关键词 高介电常数材料 栅极电介质 集成度 MOS器件
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High-permittivity Sb_(2)S_(3) single-crystal nanorods as a brand-new choice for electromagnetic wave absorption 被引量:2
15
作者 Jing Qiao Xue Zhang +4 位作者 Chang Liu Zhou Wang Wei Liu Fenglong Wang Jiurong Liu 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第7期1733-1741,共9页
The application of antimony sulfide(Sb_(2)S_(3))has been limited mainly to the energy storage and photoelectric conversion fields.However,in this work,the application of Sb_(2)S_(3) is extended to the field of electro... The application of antimony sulfide(Sb_(2)S_(3))has been limited mainly to the energy storage and photoelectric conversion fields.However,in this work,the application of Sb_(2)S_(3) is extended to the field of electromagnetic(EM)wave absorption for the first time.High-permittivity Sb_(2)S_(3) singlecrystal nanorods were prepared successfully and exhibited excellent performance,with a low reflection loss of -65.9 dB(13.0 GHz,3.8 mm)and an ultra-wide effective absorption bandwidth of 9.5 GHz(8.5-18.0 GHz,4.1 mm).After excluding the general absorption mechanisms,including conductive losses,interfacial polarization,and dipole polarization,the distinctive single-crystal volume polarization affected by shape anisotropy was proposed.This work not only meets the challenge of a single-component dielectric material design but also introduces a new concept for construction of efficient dielectric EM wave absorption material. 展开更多
关键词 antimony sulfide single-crystal nanorods high permittivity volume polarization electromagnetic wave absorption
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Giant piezoresponse and promising application of environmental friendly small-ion-doped ZnO
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作者 PAN Feng LUO JingTing +2 位作者 ANG YuChao WANG XuBo ZENG Fei 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2012年第2期421-436,共16页
In recent years, with the growing concerns on environmental protection and human health, new materials, such as lead-free piezoelectric materials, have received increasing attention. So far, three types of lead-free p... In recent years, with the growing concerns on environmental protection and human health, new materials, such as lead-free piezoelectric materials, have received increasing attention. So far, three types of lead-free piezoelectric systems have been widely researched, i.e., perovskites, bismuth layer-structured ferroelectrics, and tungsten-bronze type ferroelectrics. This article presents a new type of environmental friendly piezoelectric material with simple structure, the transition-metal(TM)-doped ZnO. Through substituting Zn2+ site with small size ion, we obtained a series of TM-doped ZnO with giant piezoresponse, such as Zno.975Vo.o250 of 170 pC/N, Zn0.94Cr0.06O of 120 pC/N, Zn0.913Mn0.0870 of 86 pC/N and Zn0.988Fe0.0120 of 127 pC/N. The tremendous piezoresponses are ascribed to the introduction of switchable spontaneous polarization and high permittivity in TM-doped ZnO, The microscopic origin of giant piezoresponse is also discussed. Substitution of TM ion with small ionic size for Zn2+ results in the easier rotation of noncollinear TM-O1 bonds along the c axis under the applied field, which produces large piezoelectric displacement and corresponding piezoresponse enhancement. Furthermore, it proposes a general rule to guide the design of new wurtzite semiconductors with enhanced piezoresponses. That is, TM-dopant with ionic size smaller than Zn2+ substitutes for Zn2+ site will increase the piezoresponse of ZnO significantly. Finally, we discuss the improved per- formances of some TM-doped ZnO based piezoelectric devices. 展开更多
关键词 ZNO lead-free piezoelectric doping modification piezoresponse enhancement
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