介绍了大功率高效率功率放大器(功放)在实际设计时面临的晶体管寄生效应问题,并通过引入晶体管封装寄生模型对本征端阻抗进行等效迁移,进而提高了输出匹配网络设计的便捷性。提出一种基于紧凑型微带谐振单元的电路设计方法及其传输线拓...介绍了大功率高效率功率放大器(功放)在实际设计时面临的晶体管寄生效应问题,并通过引入晶体管封装寄生模型对本征端阻抗进行等效迁移,进而提高了输出匹配网络设计的便捷性。提出一种基于紧凑型微带谐振单元的电路设计方法及其传输线拓扑结构,其中,紧凑型微带谐振单元的作用是提供功放在三次谐波所需的开路点,从而通过调谐传输线满足相应阻抗条件。其优点还包括:基波频率下插入损耗低、效率高;实际物理尺寸小,可满足小型化需求。为了更好地验证上述理论,基于10 W GaN HEMT CGH40010F晶体管和大功率高效率E/F开关类功放在2.2 GHz的工作频率下进行了具体的电路设计。仿真结果表明,该款功放的最大功率附加效率可达78.4%,最大输出功率可达40.1 dBm,功率增益为12.1 dB。展开更多
文摘介绍了大功率高效率功率放大器(功放)在实际设计时面临的晶体管寄生效应问题,并通过引入晶体管封装寄生模型对本征端阻抗进行等效迁移,进而提高了输出匹配网络设计的便捷性。提出一种基于紧凑型微带谐振单元的电路设计方法及其传输线拓扑结构,其中,紧凑型微带谐振单元的作用是提供功放在三次谐波所需的开路点,从而通过调谐传输线满足相应阻抗条件。其优点还包括:基波频率下插入损耗低、效率高;实际物理尺寸小,可满足小型化需求。为了更好地验证上述理论,基于10 W GaN HEMT CGH40010F晶体管和大功率高效率E/F开关类功放在2.2 GHz的工作频率下进行了具体的电路设计。仿真结果表明,该款功放的最大功率附加效率可达78.4%,最大输出功率可达40.1 dBm,功率增益为12.1 dB。
