孔金属化设计对高温共烧陶瓷基板热阻的影响

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作者 刘林杰 李杰 郝跃 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期867-872,共6页

高温共烧陶瓷(HTCC)基板广泛应用于电子封装领域,其热阻是一个重要指标。围绕Al_(2)O_(3)和AlN陶瓷基板,探究在不同金属化孔间距和布局下的热阻规律。建立了陶瓷基板热传递有限元模型,并对其热阻进行仿真。制备了两种陶瓷基板,测试了其... 高温共烧陶瓷(HTCC)基板广泛应用于电子封装领域,其热阻是一个重要指标。围绕Al_(2)O_(3)和AlN陶瓷基板,探究在不同金属化孔间距和布局下的热阻规律。建立了陶瓷基板热传递有限元模型,并对其热阻进行仿真。制备了两种陶瓷基板,测试了其在不同功率负载下的热阻。测试结果表明,相同规格的AlN陶瓷基板的热阻约为Al_(2)O_(3)的25%;Mo孔金属化对Al_(2)O_(3)陶瓷基板的散热能力有明显提升作用,孔密度越大,基板热阻越低;而不同W金属化孔密度下的AlN基板热阻没有显著差异。仿真结果与实测结果基本吻合,为陶瓷基板的热设计提供了参考。 展开更多

关键词 陶瓷基板 高温共烧陶瓷(HTCC) 热阻 热设计 孔金属化

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高温共烧陶瓷封装外壳生瓷加工精度的控制

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作者 王灿 淦作腾 +3 位作者 张世伟 韩永年 李庆民 张家豪 《微纳电子技术》 CAS 2024年第8期73-79,共7页

高温共烧陶瓷(HTCC)封装外壳内部布线的位置精度直接影响着内部线路的稳定性。简述了陶瓷封装外壳加工工艺流程和在生瓷加工阶段影响位置精度的主要因素,包括生瓷料片加工形变特性及冲孔工艺、印刷工艺及叠片工艺的加工精度等。重点分... 高温共烧陶瓷(HTCC)封装外壳内部布线的位置精度直接影响着内部线路的稳定性。简述了陶瓷封装外壳加工工艺流程和在生瓷加工阶段影响位置精度的主要因素,包括生瓷料片加工形变特性及冲孔工艺、印刷工艺及叠片工艺的加工精度等。重点分析了生瓷片预处理、冲孔设备选择及工作台移动参数、印刷高度及叠片工艺对陶瓷封装外壳内部布线位置精度的影响。通过实验研究得到改善陶瓷封装外壳内部布线位置精度的关键数据。生瓷带料预处理工艺采用等静压机预压方式,以100psi(1psi≈6895Pa)的压力对生瓷料片进行2~3min预压,提高带料密度,减小生瓷加工过程中的变形;冲孔工艺选用激光冲孔方式,通过调整激光冲孔设备加工参数(工作台移动速度200mm/s),提高冲孔设备工作台移动位置精度,进而提升冲孔位置精度;印刷工艺采用丝网印刷方式和电荷耦合器件(CCD)自动对位方式,并通过规范印刷高度(2mm左右),提升印刷位置精度;叠片工艺中通过先叠片再去膜的方式提升叠片精度。最终实现层间布线位置精度≤20μm的陶瓷封装外壳的生产。 展开更多

关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 位置精度 预处理 生瓷工艺 丝网印刷

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高温共烧陶瓷大深径比通孔填充工艺改良

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作者 刘曼曼 淦作腾 +5 位作者 杨德明 马栋栋 程换丽 王杰 刘冰倩 郭志伟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第8期52-57,共6页

通孔填充是高温共烧陶瓷(HTCC)制作流程中的关键工艺之一,直接影响着元件内部不同层之间电气连接的可靠性。此工艺主要是对冲孔后的陶瓷片进行通孔金属化,即将具有导通作用的金属浆料填充进通孔内。随着通孔深径比增大,常规通孔填充技... 通孔填充是高温共烧陶瓷(HTCC)制作流程中的关键工艺之一,直接影响着元件内部不同层之间电气连接的可靠性。此工艺主要是对冲孔后的陶瓷片进行通孔金属化,即将具有导通作用的金属浆料填充进通孔内。随着通孔深径比增大,常规通孔填充技术无法保证通孔填充质量,通孔填充工艺急需改良。影响通孔填充质量的因素较多,分析了浆料黏度、填孔压力、刮刀速度、刮刀硬度对大深径比通孔填充质量的影响。研究结果表明调整填孔压力、调整浆料黏度及降低刮刀速度均能改善通孔填充效果;刮刀硬度对填孔效果影响较大,当刮刀硬度降低至邵氏A60°~A70°时可保证大深径比通孔填充质量。这一研究结果可为高温共烧陶瓷填孔工艺中通孔填充质量的改善提供参考。 展开更多

关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 大深径比 通孔填充 刮刀硬度 浆料黏度 填孔压力 刮刀速度

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高温共烧陶瓷精细线条批量印刷工艺

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作者 王杰 淦作腾 +5 位作者 马栋栋 刘洋 程换丽 刘曼曼 闫昭朴 段强 《微纳电子技术》 CAS 2024年第8期67-72,共6页

当前,丝网印刷厚膜工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺,高密度陶瓷封装外壳的典型埋层布线线宽/线间距要求已达到45μm/45μm,为满足精细线条批量印刷要求,主要从原材料、网版和印刷工艺参数等方面分析了影响精细丝网印... 当前,丝网印刷厚膜工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺,高密度陶瓷封装外壳的典型埋层布线线宽/线间距要求已达到45μm/45μm,为满足精细线条批量印刷要求,主要从原材料、网版和印刷工艺参数等方面分析了影响精细丝网印刷质量的因素。通过选用窄线径丝网规范(<15μm)的精密印刷网版,并调节浆料黏度至合适范围,同时优化印刷工艺参数,将印刷速度调整到250~300mm/s,减少了孔隙、断路、扩散等线条缺陷,印刷出状态优异的45μm线宽精细线条,从而实现45μm/45μm线宽/线间距的批量印刷,满足了高密度陶瓷封装外壳工艺要求。 展开更多

关键词 厚膜 丝网印刷 精细印刷 高密度陶瓷封装外壳 高温共烧陶瓷(HTCC) 网版

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高温共烧陶瓷微流道工艺特性 被引量：5

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作者 彭博 高岭 +4 位作者 刘林杰 淦作腾 王明阳 杜平安 郑镔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期443-447,共5页

功率芯片kW/cm^(2)量级的热流密度给其热管理带来了严峻挑战,液冷微流道散热技术是解决热管理问题的重要研究方向。针对陶瓷封装中的应用需求,对高温共烧陶瓷(HTCC)中微流道工艺特性进行了研究。通过微流道设计、工艺流程设计、制备加... 功率芯片kW/cm^(2)量级的热流密度给其热管理带来了严峻挑战,液冷微流道散热技术是解决热管理问题的重要研究方向。针对陶瓷封装中的应用需求,对高温共烧陶瓷(HTCC)中微流道工艺特性进行了研究。通过微流道设计、工艺流程设计、制备加工和测试,分析了结构参数对加工质量的影响,明确了微流道与芯片之间的陶瓷体厚度为0.30 mm,微流道宽度应≥0.10 mm,微流道间距需根据不同微流道宽度进行设计,微流道长度为非敏感要素。选择适当的结构参数可保证微流道的成形质量和加工精度,为微流道设计和工程化应用提供参考。 展开更多

关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 液冷 微流道 工艺 散热

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Si_(3)N_(4)/W高温共烧陶瓷的制备与研究 被引量：2

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作者 戴金荣 唐志红 +1 位作者 段于森 张景贤 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第17期113-118,共6页

氮化硅陶瓷具有良好的热导率与优异的力学性能,在大功率电子器件中具有较好的应用前景。实现氮化硅陶瓷与金属的高温共烧对其在电子器件中的应用具有重要意义。高温共烧技术常用氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷和氮化铝陶瓷作为基板材料,鉴于此... 氮化硅陶瓷具有良好的热导率与优异的力学性能,在大功率电子器件中具有较好的应用前景。实现氮化硅陶瓷与金属的高温共烧对其在电子器件中的应用具有重要意义。高温共烧技术常用氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷和氮化铝陶瓷作为基板材料,鉴于此,本工作以氮化硅陶瓷为基板材料,结合流延成型、丝网印刷以及高温共烧技术制备氮化硅多层共烧组件,探究烧结助剂(Er_(2)O_(3))含量对氮化硅陶瓷性能的影响,并对氮化硅多层组件脱粘工艺、界面结构与成分和导电性能进行分析与讨论。结果表明:Er_(2)O_(3)含量为9%(质量分数,下同)时,可得到相对密度、收缩率、热导率和抗弯强度分别为95.35%、10.33%、69.94 W/(m·K)和(807.33±10.34)MPa的氮化硅陶瓷。适用于氮化硅多层组件的脱粘工艺为:在真空下以1℃/min的速率升温到600℃并保温1 h。共烧后氮化硅多层组件中的W层厚度约为7μm,W层与陶瓷层界面明显,既存在机械互锁型结构,也有界面反应发生,产物为W5Si3。组件的薄层方阻为0.878Ω/sq,证明组件具有导电性能。本工作为高温共烧技术提供了一种新型的基板材料,也为氮化硅陶瓷与金属高温共烧做出了新的探索,有利于扩展氮化硅陶瓷在电子行业的应用。 展开更多

关键词 高温共烧技术 氮化硅陶瓷 丝网印刷 钨

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石榴石旋磁铁氧体/介质陶瓷高温共烧复合基板过渡区分析

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作者 杨菲 谢斌 +3 位作者 任仕晶 黄旭 赵文静 张远 《磁性材料及器件》 CAS 2023年第1期36-41,共6页

采用普通陶瓷工艺制备石榴石旋磁铁氧体/介质陶瓷高温共烧复合基板,分析了过渡区物相组成与微观结构。通过SEM、XRD和TEM测试表征,分析了元素扩散情况、晶体结构、晶面指数和晶面间距,考察了不同过渡区的物相组成和元素分布。研究发现... 采用普通陶瓷工艺制备石榴石旋磁铁氧体/介质陶瓷高温共烧复合基板,分析了过渡区物相组成与微观结构。通过SEM、XRD和TEM测试表征,分析了元素扩散情况、晶体结构、晶面指数和晶面间距,考察了不同过渡区的物相组成和元素分布。研究发现在近陶瓷侧过渡区元素扩散反应较为剧烈,元素分布不均匀,形成了新的物相Mg_(1.8)Ti_(1.1)O_(4)和Mg_(2)TiO_(4),扩散反应对铁氧体侧晶体结构影响较小。 展开更多

关键词 铁氧体/介质陶瓷复合基板 高温共烧 过渡区 扩散 元素分布

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高温共烧制备的铁氧体/介电陶瓷复合体 被引量：3

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作者 廖杨 郑涪升 冯涛 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2012年第4期69-71,共3页

首先用普通陶瓷工艺分别制备铁氧体与介电陶瓷粉料,然后在不互相混合的情况下将二者成型为一个整体,最后在1300℃进行高温烧结。对共烧获得的基体从物理性状上进行宏观检验,采用扫描电镜和电子探针分别对各区域及结合部分进行观测和分... 首先用普通陶瓷工艺分别制备铁氧体与介电陶瓷粉料,然后在不互相混合的情况下将二者成型为一个整体,最后在1300℃进行高温烧结。对共烧获得的基体从物理性状上进行宏观检验,采用扫描电镜和电子探针分别对各区域及结合部分进行观测和分析。研究表明,共烧过程中铁氧体和陶瓷固相反应正常,形成一个铁氧体与陶瓷两种性状独立而结合紧密的整体,结合部分无变形,它们之间形成了200～400nm的过渡区。铁氧体与陶瓷固相反应时的收缩率对共烧基体结合处影响较大。 展开更多

关键词 铁氧体 介电陶瓷 高温共烧

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钨金属化与氧化铝陶瓷高温共烧 被引量：15

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作者 邹勇明 吴金岭 郑宏宇 《真空电子技术》 2004年第4期20-23,共4页

阐述了钨金属化与氧化铝陶瓷高温共烧工艺的特点,分析了烧结过程中温度曲线和露点等工艺参数对钨金属化与瓷件结合强度、密封气密性和收缩率的影响。通过反复的试验和烧结机理分析对比,给出了最佳的控制参数。

关键词 高温共烧 钨金属化 露点

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高温共烧陶瓷金属化膜厚影响因素分析 被引量：5

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作者 唐利锋 程凯 +1 位作者 庞学满 张鹏飞 《电子与封装》 2018年第10期1-3,16,共4页

金属化膜厚是影响高温共烧陶瓷电性能的重要因素之一。研究了高温共烧陶瓷钨金属化浆料粒度、丝网规格、印刷工艺参数和烧结温度对膜厚的影响。结果表明通过控制浆料中的金属颗粒粒径,提高印刷丝网丝径和涂布的感光膜层厚度,优化印刷刮... 金属化膜厚是影响高温共烧陶瓷电性能的重要因素之一。研究了高温共烧陶瓷钨金属化浆料粒度、丝网规格、印刷工艺参数和烧结温度对膜厚的影响。结果表明通过控制浆料中的金属颗粒粒径,提高印刷丝网丝径和涂布的感光膜层厚度,优化印刷刮刀移动速度和烧结温度可获得设计需要的金属化厚膜层。 展开更多

关键词 金属化膜厚 高温共烧陶瓷 丝网印刷 烧结温度

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高温共烧多晶YIG-介质陶瓷复合基片的制备与特性 被引量：2

11

作者 杨菲 牛奔奔 《磁性材料及器件》 CAS 2018年第3期44-46,共3页

采用普通陶瓷工艺分别制备多晶YIG材料及介质陶瓷材料,然后将两者压制成复合生坯后经1420℃以上高温烧结,得到两种材料的共烧复合基片。实验结果表明,适当延长保温时间可以改善复合基片中心YIG的铁磁共振线宽;对复合生坯进行冷等静压处... 采用普通陶瓷工艺分别制备多晶YIG材料及介质陶瓷材料,然后将两者压制成复合生坯后经1420℃以上高温烧结,得到两种材料的共烧复合基片。实验结果表明,适当延长保温时间可以改善复合基片中心YIG的铁磁共振线宽;对复合生坯进行冷等静压处理可以有效改善复合基片中心铁氧体材料的线宽;通过调整复合生坯的成型方式,可以显著减小介质陶瓷与多晶YIG间的共烧反应区域,并且使复合基片中心铁氧体的线宽得到一定改善。 展开更多

关键词 多晶YIG 介质陶瓷 高温共烧 复合基片 铁磁共振线宽

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高温共烧铂电极浆料的制备研究 被引量：3

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作者 关俊卿 贺昕 +3 位作者 陈峤 熊晓东 陈斐 吴松 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2013年第S01期167-170,共4页

汽车所用的片式氧传感器需要多层高温共烧结制备，烧结温度大于1500℃，如此高的烧结温度对铂电极浆料的耐热性提出较高的要求，要求反应铂电极浆料有较高耐热性能，高温烧结收缩较小，反应电极有高致密性多孔层叠的结构进而使得铂电极-... 汽车所用的片式氧传感器需要多层高温共烧结制备，烧结温度大于1500℃，如此高的烧结温度对铂电极浆料的耐热性提出较高的要求，要求反应铂电极浆料有较高耐热性能，高温烧结收缩较小，反应电极有高致密性多孔层叠的结构进而使得铂电极-YSZ-气体三相界面增长，使得片式氧传感器的氧敏响应性能和催化性能显著提高；要求加热铂电极要有致密的结构，阻值稳定，连续性好，长时间通电不易烧断。传统的铂电极浆料烧结温度为800～1200℃，明显不能满足高温烧结的需要。本文研究制备了适用于高温烧结的铂反应电极浆料和铂加热电极浆料。 展开更多

关键词 金属材料 高温共烧 铂电极浆料 片式氧传感器

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基于高温共烧陶瓷基板的三维互连技术 被引量：7

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作者 余雷 揭海 王安劳 《电子科技》 2013年第7期157-159,167,共4页

基于高温共烧陶瓷技术的多层基板是实现组件小型化、轻量化、高可靠的有效手段。文中研究了基于HTCC技术的多层基板三维立体互连结构,包括基板内垂直转换及基板间立体互连。通过仿真优化设计,实测结果表明,文中所设计的多种结构能够有... 基于高温共烧陶瓷技术的多层基板是实现组件小型化、轻量化、高可靠的有效手段。文中研究了基于HTCC技术的多层基板三维立体互连结构,包括基板内垂直转换及基板间立体互连。通过仿真优化设计,实测结果表明,文中所设计的多种结构能够有效地应用于组件三维互连中。 展开更多

关键词 高温共烧陶瓷 垂直转换 三维互连

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高温共烧氧化铝生瓷激光切割工艺研究

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作者 莫仲 唐利锋 +1 位作者 曹坤 庞学满 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期211-215,共5页

激光切割工艺是高温共烧陶瓷生坯加工过程中重要技术之一,文中研究了这种激光切割氧化铝陶瓷工艺,其脉冲峰值功率及光斑聚焦大小决定了切割效果。结果表明控制激光频率、扫描速度及重复次数,可得到较好的切割槽深和切割槽宽。

关键词 激光切割 高温共烧陶瓷Al2O3生坯 激光频率 扫描速度 重复次

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中、高温多层陶瓷基板共烧用导体浆料的研究现状及发展趋势 被引量：1

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作者 吴亚光 赵昱 +1 位作者 刘林杰 张炳渠 《标准科学》 2023年第S01期215-220,共6页

本文主要以烧结温度作为分类依据,对当前陶瓷封装领域内中、高温多层陶瓷基板共烧用导体浆料不同的导电相、填充相以及粘结相做了介绍并综述了相关研究进展。最后对中、高温多层陶瓷基板共烧用导体浆料今后的研究方向做了展望。

关键词 中、高温多层共烧陶瓷基板 导体浆料 导电相 填充相 粘结相

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氮化铝多层共烧陶瓷基板的化学镀镍钯金技术 被引量：9

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作者 张静波 牛通 +2 位作者 崔凯 胡永芳 王从香 《电子机械工程》 2020年第1期42-45,50,共5页

氮化铝多层高温共烧陶瓷(HTCC)基板具有优良的散热性能和与芯片匹配的热膨胀系数,其热导率比LTCC高两个数量级左右。在HTCC制作过程中,需要使用高熔点的钨浆料,而钨本身不具有可焊性和可键合性,必须对HTCC表面的钨导体进行表面改性,使... 氮化铝多层高温共烧陶瓷(HTCC)基板具有优良的散热性能和与芯片匹配的热膨胀系数,其热导率比LTCC高两个数量级左右。在HTCC制作过程中,需要使用高熔点的钨浆料,而钨本身不具有可焊性和可键合性,必须对HTCC表面的钨导体进行表面改性,使其具有可焊性和可键合性,便于电子装配。化学镀镍钯金是这种表面改性最理想的方案。在HTCC表面进行化镀的相关文献较少,文中论述了在HTCC上沉积化学镍钯金镀层的原理,探讨了导致化学镍钯金沉积过程中出现的附着力问题的原因,为HTCC上化学镍钯金镀层的质量控制提供了方向指引。 展开更多

关键词 氮化铝 高温共烧陶瓷 化学镀镍钯金 附着力

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一种基于HTCC的高隔离度开关电路设计

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作者 谢书珊 阮文州 蔡晓波 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期79-82,共4页

基于开关芯片实现的开关电路是射频前端的基本单元之一,其功能是实现射频信号的导通和关断,在小功率射频信号传输中应用广泛。本文以6 GHz~15 GHz超宽带、60 dB隔离度为设计目标,采用高温共烧陶瓷基板工艺和级联腔体隔离技术,以级联开... 基于开关芯片实现的开关电路是射频前端的基本单元之一,其功能是实现射频信号的导通和关断,在小功率射频信号传输中应用广泛。本文以6 GHz~15 GHz超宽带、60 dB隔离度为设计目标,采用高温共烧陶瓷基板工艺和级联腔体隔离技术,以级联开关芯片为基本电路结构,设计了高隔离度开关电路。该电路包含一只限幅器和两只吸收式砷化镓单刀单掷开关,装配于两个相邻的隔离腔体结构中,通过类同轴垂直传输过渡到基板内对称带状线传输结构,再辅以两侧地孔,实现电磁屏蔽。对开关电路进行电磁场建模仿真,结果表明该结构具有良好的传输特性和隔离特性;在射频前端电路制造完成后对开关电路进行装配和测试,测试结果与建模仿真结果一致性高,验证了本文设计的开关电路具有高隔离度特性。 展开更多

关键词 隔离腔体 高温共烧陶瓷 级联开关电路

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基于改进LSD的HTCC板错位检测算法研究及应用

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作者 尚会超 韩鑫磊 +1 位作者 嵇长委 彭向前 《现代制造工程》 CSCD 北大核心 2024年第1期103-109,共7页

为解决摄像头模组所用HTCC板脱离固定槽位所导致的HTCC板破裂以及后续零件安装不良等问题,提出一种基于改进LSD的HTCC板错位检测算法。首先应用伽马变换消除产品图像上的阴影;然后对图像进行双边滤波,与原始LSD算法的滤波相比,双边滤波... 为解决摄像头模组所用HTCC板脱离固定槽位所导致的HTCC板破裂以及后续零件安装不良等问题,提出一种基于改进LSD的HTCC板错位检测算法。首先应用伽马变换消除产品图像上的阴影;然后对图像进行双边滤波,与原始LSD算法的滤波相比,双边滤波可以保留更完整的边缘信息;提出改进映射关系且应用双线性插值的尺度缩放算法,消除图像的量化伪影,减少图像的失真;提出断线再连接算法,解决原始LSD算法存在的线段过分割问题;最后基于改进的LSD算法设计HTCC板错位检测算法,求得产品中错位的HTCC板的数量和位置。在工厂现场验证得出该方法的检测平均耗时在800 ms以内,检测准确率在97%以上,与原始LSD算法相比,检测耗时至少减少了38%,准确率至少提高了21%,该方法可以满足生产的实时性和准确性要求。 展开更多

关键词 LSD算法 双边滤波 视觉检测 高温共烧多层陶瓷

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基于HTCC的新型薄膜高温压力传感器 被引量：3

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作者 王海星 吉耀辉 +2 位作者 逯斐 谭秋林 熊继军 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第5期333-337,344,共6页

无源压力传感器在一些极端环境下有着广阔的应用前景。提出了一种新型无源LC薄膜高温压力传感器,在传统的平面螺旋电感基础上加入了多组叉指电容。传感器的基底材料采用的是高温共烧陶瓷（HTCC）,通过厚膜后烧工艺将平面螺旋电感和叉指... 无源压力传感器在一些极端环境下有着广阔的应用前景。提出了一种新型无源LC薄膜高温压力传感器,在传统的平面螺旋电感基础上加入了多组叉指电容。传感器的基底材料采用的是高温共烧陶瓷（HTCC）,通过厚膜后烧工艺将平面螺旋电感和叉指电容集成在HTCC基板上完成传感器的制备。本传感器较传统的LC传感器实现了单层布线,制作工艺简单,节约了制作成本。在实验室的条件下,完成了高温压力复合测试平台的搭建,在高温环境下,测试了传感器的压力性能。测试结果表明,该传感器能够在800℃环境中稳定工作,并且完成了1-4 bar（1 bar=10-5 Pa）内压力的原位测试,传感器的谐振频率随外界压力的增大而减小,在相同环境温度条件下谐振频率随压力的变化近似于线性变化。 展开更多

关键词 高温压力传感器 叉指电容 高温共烧陶瓷(HTCC) 原位测试 谐振频率

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双面腔体结构的HTCC层压模具设计实现

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作者 程换丽 淦作腾 +2 位作者 马栋栋 王杰 刘曼曼 《微纳电子技术》 CAS 2024年第8期39-44,共6页

高温共烧陶瓷(HTCC)双面腔体在加工时极易发生变形,严重时可导致产品无法正常加工。在HTCC制备过程中,层压工艺是影响HTCC双面腔体形变的最重要的工艺。针对HTCC双面腔体加工时发生的形变问题,设计了一种全新的层压模具,并对其销钉结构... 高温共烧陶瓷(HTCC)双面腔体在加工时极易发生变形,严重时可导致产品无法正常加工。在HTCC制备过程中,层压工艺是影响HTCC双面腔体形变的最重要的工艺。针对HTCC双面腔体加工时发生的形变问题,设计了一种全新的层压模具,并对其销钉结构进行优化。与传统的层压模具相比,新的层压模具具有双面腔体配合带底座销钉的特点,其能够大幅提高双面腔体结构HTCC层压一致性,解决传统层压模具存在的腔体变形问题。同时,通过调节销钉底座尺寸,改善了双面腔体结构HTCC的层压压痕问题。当底座直径为9~12mm时,可有效保证双面腔体的层压效果。上述结果为后续双面腔体结构HTCC加工提供了参考。 展开更多

关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 层压 模具 双面腔体 销钉 变形

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