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题名低成本Si基GaN微电子学的新进展
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作者
李永
赵正平
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司
专用集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期81-101,共21页
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文摘
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。
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关键词
Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
单片微波集成电路(MMIC)
E模功率GaN
HEMT
可靠性
GaN功率变换器
高频开关应用
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Keywords
Si-based GaN high electron mobility transistor(HEMT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
E-mode power GaN HEMT
reliability
GaN power converter
high-frequency switching application
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)
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作者
李永
赵正平
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司
专用集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期177-189,共13页
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文摘
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。
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关键词
Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
单片微波集成电路(MMIC)
E模功率GaN
HEMT
可靠性
GaN功率变换器
高频开关应用
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Keywords
Si-based GaN high electron mobility transistor(HEMT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
E-mode power GaN HEMT
reliability
GaN power converter
high-frequency switching application
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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