目的:探讨高效液相色谱法(HPLC)血红蛋白A2/F/A1c检测在β-地中海贫血筛查中的应用。方法:收集本院2020年7月-2022年7月在本院行婚前检验的2642人次临床资料,均采用全自动血红蛋白分析仪检测红细胞指数及异常血红蛋白、RDB法分析β-地...目的:探讨高效液相色谱法(HPLC)血红蛋白A2/F/A1c检测在β-地中海贫血筛查中的应用。方法:收集本院2020年7月-2022年7月在本院行婚前检验的2642人次临床资料,均采用全自动血红蛋白分析仪检测红细胞指数及异常血红蛋白、RDB法分析β-地贫基因型,并分别应用HPLC血红蛋白A2/F/A1c检测试剂(研究试剂盒)及对比试剂盒(VARIANTⅡβ-thalassemia Short Program)进行HbA2检测,评估血红蛋白A2/F/A1c试剂筛查β-地中海贫血效果。结果:共筛查2642人次,筛查β-地中海贫血阳性率7.0%,其中β-地贫轻型177例,中间型4例,重型3例;根据HPLC中异常Hb滞留时间、总Hb占比及色谱图形特征,共发现5种异常Hb;采用RDB法共检测到7种β-地贫基因型,以CD41-42(-TCTT)、IVS-Ⅱ-654(C-T)、CD17(A-T)和-28(A-G)最为常见,重型β-地贫基因型为IVS-Ⅱ-654(C-T),中间型基因型为-28(A-G)纯合子;研究试剂盒与对照试剂盒检测阳性符合率为97.8%,阴性符合率为99.9%,总体符合率为99.7%。结论:HPLC技术人为因素影响小,适用于大规模人群筛查;血红蛋白A2/F/A1c试剂检测HbA2具有方便快捷、费用低廉、准确性高等优势,在临床筛查β-地贫应用效果较好。展开更多
The 1/fγ noise characteristic parameter Sfγ model in an n-MOSFET under DC hot carrier stress is studied. A method characterizing the MOSFET abilities of an anti-hot carrier with noise parameter Sfγ is presented. Th...The 1/fγ noise characteristic parameter Sfγ model in an n-MOSFET under DC hot carrier stress is studied. A method characterizing the MOSFET abilities of an anti-hot carrier with noise parameter Sfγ is presented. The hot carrier degradation effect of n-MOSFET in high-,mid-,and low gate stresses and its 1/fγ noise feature are studied. Experimental results agree well with the developed model.展开更多
文摘目的:探讨高效液相色谱法(HPLC)血红蛋白A2/F/A1c检测在β-地中海贫血筛查中的应用。方法:收集本院2020年7月-2022年7月在本院行婚前检验的2642人次临床资料,均采用全自动血红蛋白分析仪检测红细胞指数及异常血红蛋白、RDB法分析β-地贫基因型,并分别应用HPLC血红蛋白A2/F/A1c检测试剂(研究试剂盒)及对比试剂盒(VARIANTⅡβ-thalassemia Short Program)进行HbA2检测,评估血红蛋白A2/F/A1c试剂筛查β-地中海贫血效果。结果:共筛查2642人次,筛查β-地中海贫血阳性率7.0%,其中β-地贫轻型177例,中间型4例,重型3例;根据HPLC中异常Hb滞留时间、总Hb占比及色谱图形特征,共发现5种异常Hb;采用RDB法共检测到7种β-地贫基因型,以CD41-42(-TCTT)、IVS-Ⅱ-654(C-T)、CD17(A-T)和-28(A-G)最为常见,重型β-地贫基因型为IVS-Ⅱ-654(C-T),中间型基因型为-28(A-G)纯合子;研究试剂盒与对照试剂盒检测阳性符合率为97.8%,阴性符合率为99.9%,总体符合率为99.7%。结论:HPLC技术人为因素影响小,适用于大规模人群筛查;血红蛋白A2/F/A1c试剂检测HbA2具有方便快捷、费用低廉、准确性高等优势,在临床筛查β-地贫应用效果较好。
文摘The 1/fγ noise characteristic parameter Sfγ model in an n-MOSFET under DC hot carrier stress is studied. A method characterizing the MOSFET abilities of an anti-hot carrier with noise parameter Sfγ is presented. The hot carrier degradation effect of n-MOSFET in high-,mid-,and low gate stresses and its 1/fγ noise feature are studied. Experimental results agree well with the developed model.
