8英寸铌酸锂晶体生长研究

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作者 孙德辉 韩文斌 +2 位作者 李陈哲 彭立果 刘宏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期434-440,共7页

铌酸锂单晶薄膜(LNOI)在新一代信息技术中关键通信器件领域的作用日益显著,随着铌酸锂单晶薄膜制备技术和光子集成技术的发展,降低芯片成本、增加芯片集成度是光子集成芯片永恒不变的发展方向,因此迫切需求大尺寸铌酸锂晶体。本文讨论... 铌酸锂单晶薄膜(LNOI)在新一代信息技术中关键通信器件领域的作用日益显著,随着铌酸锂单晶薄膜制备技术和光子集成技术的发展,降低芯片成本、增加芯片集成度是光子集成芯片永恒不变的发展方向,因此迫切需求大尺寸铌酸锂晶体。本文讨论了大尺寸坩埚中熔体自然对流随着液面下降的变化规律,研究了8英寸(1英寸=2.54 cm)铌酸锂Z轴、X轴两个提拉方向的生长特点,获得等径尺寸大于φ210 mm×50 mm的8英寸Z轴、X轴铌酸锂晶体。1 mm厚X轴铌酸锂晶圆的透过率显示波长380~3 300 nm光谱的透过率超过了70%,晶片纹影图像显示晶体中存在折射率脉理缺陷。 展开更多

关键词 铌酸锂 8英寸 自然对流 提拉法 折射率脉理

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8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征

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作者 任殿胜 王志珍 +1 位作者 张舒惠 王元立 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期487-496,共10页

本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻... 本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻率测试、光致发光测试和晶圆表面缺陷检测等对8英寸GaAs衬底的晶体质量、位错、电学性能和表面质量等特性进行了测试分析。结果表明:衬底(400)衍射峰半峰全宽低于0.009°;平均位错密度低于30 cm^(-2),其中,晶体头部平均位错密度为1.7 cm^(-2),且有98.87%的面积位错密度为0;衬底面内电阻率标准差小于6%,面内光致发光强度标准差小于4%,≥0.2μm的表面光点缺陷(LPD)个数小于10。上述结果表明,所制备的8英寸GaAs衬底质量优异,满足外延器件对高质量衬底的要求。 展开更多

关键词 GAAS 垂直梯度凝固 8英寸 单晶衬底 位错密度

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低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备

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作者 熊希希 杨祥龙 +8 位作者 陈秀芳 李晓蒙 谢雪健 胡国杰 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1371-1372,共2页

碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大... 碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法(Physical vapor transport,PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底,其中螺位错(Threading screw dislocation,TSD)密度为0.55 cm^(–2),基平面位错(Basal plane dislocation,BPD)密度为202 cm^(–2)。 展开更多

关键词 4H-SIC 8英寸 低位错密度 单晶衬底

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8英寸Si基GaN HEMT薄膜材料的制备和研究

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作者 吴勇 《中国集成电路》 2023年第5期86-90,共5页

氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能,所以在高频、高压、大功率器件方面具有非常广泛的应用前景。考虑到尺寸及成本的优势,在Si衬底上外延GaN已成为主要研究... 氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能,所以在高频、高压、大功率器件方面具有非常广泛的应用前景。考虑到尺寸及成本的优势,在Si衬底上外延GaN已成为主要研究热点。通过使用MOCVD(金属有机化学气相沉积系统)成功在8英寸Si衬底上外延生长出AlGaN/GaN HEMT薄膜材料,结果表明外延片光滑无裂纹、具有低翘曲度、高均匀性、高结晶质量以及高的导通能力和耐压能力。 展开更多

关键词 8英寸Si衬底 高电子迁移率晶体管 二维电子气 外延生长

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8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法 被引量：9

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作者 张志勤 袁肇耿 薛宏伟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期531-535,560,共6页

8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗... 8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。 展开更多

关键词 8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布

原文传递

8英寸导电型4H-SiC单晶的生长 被引量：2

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作者 杨祥龙 陈秀芳 +5 位作者 谢雪健 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1745-1748,共4页

采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的... 采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征。衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%;衬底微管密度小于0.3 cm^(-2);衬底电阻率范围20~23 mΩ·cm,平均值为22 mΩ·cm;(004)面高分辨X射线摇摆曲线半峰全宽为32.7″,表明衬底良好的结晶质量。 展开更多

关键词 SiC单晶衬底 8英寸 物理气相传输法 微管密度 电阻率

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8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征 被引量：1

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作者 娄艳芳 巩拓谌 +4 位作者 张文 郭钰 彭同华 杨建 刘春俊 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2131-2136,共6页

使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、... 使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等进行了详细表征。拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100%比例面积为单一4H晶型;衬底(004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在10.44″~11.52″;平均微管密度为0.04 cm^(-2);平均电阻率为0.020 3Ω·cm。使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp)为17.318μm,弯曲度(Bow)为-3.773μm。全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH刻蚀后的8英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为3 293 cm^(-2),其中螺型位错(TSD)密度为81 cm^(-2),刃型位错(TED)密度为3 074 cm^(-2),基平面位错(BPD)密度为138 cm^(-2)。结果表明8英寸导电型4H-SiC衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。 展开更多

关键词 8英寸SiC单晶衬底 物理气相传输法 X射线摇摆曲线 微管密度 翘曲度和弯曲度 位错密度

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8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法

8

作者 王肖波 《中国新技术新产品》 2019年第9期22-23,共2页

作为半导体硅器件和集成电路中经常会使用的一种基础功能的材料,硅外延片的性能非常优越,是我国电子信息技术产业发展过程中经常会用到的材料。半导体器件薄层硅外延片在半导体中的应用范围非常广泛,其在半导体器件中担任的主要是电路... 作为半导体硅器件和集成电路中经常会使用的一种基础功能的材料,硅外延片的性能非常优越,是我国电子信息技术产业发展过程中经常会用到的材料。半导体器件薄层硅外延片在半导体中的应用范围非常广泛,其在半导体器件中担任的主要是电路功能。该文就8英寸薄层硅外延片的均匀性控制进行研究,希望能够在一定程度上提高8英寸薄层硅外延片的质量。 展开更多

关键词 8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度

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不同尺寸各擅胜场 8英寸圆片仍有可为

9

作者 草木 《电子产品世界》 2003年第07A期16-16,共1页

关键词 8英寸圆片 半导体业 生产成本 存储芯片

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沈阳将建6英寸和8英寸晶圆生产线

10

《集成电路应用》 2003年第2期33-33,共1页

香港科峰集团、韩国STL株式会社与沈阳浑南新区管委会日前签署协议,三方将联合在浑南新区建立6-8英寸晶圆生产厂,并欲在时机成熟时在沈阳启动12英寸晶圆生产项目。

关键词 沈阳 6英寸晶圆 8英寸晶圆 生产线

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8英寸晶圆项目起步 珠海南科正式奠基

11

《新材料产业》 2003年第1期42-42,共1页

关键词 珠海市 南科集团 硅 半导体产业 8英寸晶圆

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8英寸芯片开局

12

作者 张文豪 《财经》 2002年第8期17-17,共1页

关键词 台湾省 芯片代工业 8英寸芯片厂 北京

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沈阳将建6英寸和8英寸晶圆生产线

13

《新材料产业》 2003年第2期41-41,共1页

关键词 沈阳市 6英寸晶圆 半导体产业 8英寸晶圆 生产线

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8英寸的期望

14

作者 陈钢 《互联网周刊》 2003年第30期38-39,共2页

中报显示,有研硅股仍然在亏损的泥潭中挣扎,8英寸硅片的投产能否使该公司脱胎换骨?

关键词 8英寸芯片 集成电路 硅片工艺 生产线

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Bandai鲜红8英寸手提DVD机

15

《电脑与电信》 2004年第03M期61-61,共1页

关键词 Bandai公司 8英寸手提DVD机 外观设计 规格

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0和1／8英寸隔距纤维强度测试方法

16

作者 黄锡义 《中国棉花加工》 1992年第1期45-46,共2页

关键词 棉纤维 纤维强度 测试方法 0隔距标准 1/8英寸隔距标准

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摩托罗拉在天津的8英寸晶圆厂进入限量生产阶段

17

《新材料产业》 2003年第3期37-38,共2页

关键词 摩托罗拉公司 半导体产业 天津 8英寸晶圆厂

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7／8英寸同轴电缆

18

《通讯世界》 2002年第11期101-101,共1页

关键词 7/8英寸 同轴电缆 安德鲁公司 通信

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硅8英寸技术的研究现状及发展趋势

19

作者 黄廷荣 《半导体杂志》 1991年第1期6-21,共16页

关键词 硅 8英寸技术 半导体材料

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力芯将加工产8英寸半导体

20

《中国集成电路》 2005年第8期4-4,共1页

投资总额10亿美元的上海力芯集成电路制造有限公司近日正式开工兴建。

关键词 8英寸半导体 数模混合集成电路 上海力芯集成电路制造有限公司 芯片企业

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