ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长...ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长；位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符；随过饱和度口降低，台阶形貌会发生相应变化；生长温度为298K时，台阶棱边能不小于6．2×10^-7／cm^2。展开更多
ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出...ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征；各二维岛形状趋近于长条形，表现出各向异性，长轴平行于[001]晶向；二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2～3nm的大台阶；二维岛间融合时取向相同；σ=0．053时，融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况，将可能导致产生晶体缺陷。展开更多
文摘ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长；位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符；随过饱和度口降低，台阶形貌会发生相应变化；生长温度为298K时，台阶棱边能不小于6．2×10^-7／cm^2。
文摘ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征；各二维岛形状趋近于长条形，表现出各向异性，长轴平行于[001]晶向；二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2～3nm的大台阶；二维岛间融合时取向相同；σ=0．053时，融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况，将可能导致产生晶体缺陷。
基金supported by the National Natural Science Foundation of China(10979029,11204148 and 51172111)the Fundof National Engineering Research Center for Optoelectronic Crystalline Materials(2007k08)
