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基于APSI多级策略下的混合电力系统状态估计研究 被引量:1
1
作者 赵辉 赵少华 +1 位作者 王红君 岳有军 《现代电力》 北大核心 2016年第1期41-46,共6页
针对混合电力系统中要求状态估计数据精度高及数据计算量小进行探索研究。提出了两种状态估计构架用于多级策略下SCADA/PMU混合量测的电力系统状态估计。第一个构架是利用先验状态信息(APSI)和正交分块吉文斯旋转提高基于SCADA/PMU量测... 针对混合电力系统中要求状态估计数据精度高及数据计算量小进行探索研究。提出了两种状态估计构架用于多级策略下SCADA/PMU混合量测的电力系统状态估计。第一个构架是利用先验状态信息(APSI)和正交分块吉文斯旋转提高基于SCADA/PMU量测装置的状态估计的数据处理能力。第二个构架是一个依赖于融合估计的三级方案,优化之前已经确定的SCADA/PMU估计量测值。对多级策略在计算量和精确性上的优化进行详细的描述和比较。在IEEE 30节点系统测试系统进行仿真验证,验证了提出的多级策略能有效地减少状态估计的计算量及增加量测数据的同步性和准确性。 展开更多
关键词 状态估计 相量量测单元 数据采集与监控系统 先验信息理论 融合估计
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醋丁酰心安预防再次心肌梗死(APSI)
2
《岭南心血管病杂志》 2003年第4期259-259,共1页
关键词 醋丁酰心安 预防 再次心肌梗死 apsi Β受体阻滞剂
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利用VoltageStorm和APSI工具进行chip-package静态电源分析
3
作者 于洪杰 李海军 王艳 《电子设计应用》 2008年第11期58-60,62,共4页
目前的片上系统(SoC)设计特点是持续增大的芯片尺寸,集成更多的IP模块,多种电源电压供电,以及封装对供电电压的影响,这加大了不可预测的电压降带来芯片失败的风险。为降低此风险,可使用Cadence公司的SoC电源完整性分析和验证工具Voltage... 目前的片上系统(SoC)设计特点是持续增大的芯片尺寸,集成更多的IP模块,多种电源电压供电,以及封装对供电电压的影响,这加大了不可预测的电压降带来芯片失败的风险。为降低此风险,可使用Cadence公司的SoC电源完整性分析和验证工具VoltageStorm,并结合APSI提取的封装模型,进行chip-package电源完整性分析。本文将结合实际设计项目,介绍利用Cadence公司VoltageStorm和APSI工具进行chip-package电源完整性分析的具体实现。 展开更多
关键词 IR—drop EMI VoltageStorm apsi
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中西医结合治疗自身免疫性多腺体综合征
4
作者 崔雅忠 宣磊 《中国临床医生杂志》 2008年第3期59-61,共3页
关键词 自身免疫性多腺体综合征 中西医结合治疗 自身免疫功能缺陷 Schmidt综合征 apsi 内分泌专科 内分泌腺体 诊疗水平
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澜沧江流域北部中华蜜蜂食源和营养生态位随海拔梯度的变化特征 被引量:5
5
作者 陈顺安 张强 +5 位作者 万蓉 赵世文 刘志涛 罗建成 叶银龙 张学文 《生态学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期3201-3211,共11页
为了解澜沧江流域北部中华蜜蜂(Apis cerana cerana)的分布,探究中华蜜蜂的食源和营养生态位沿海拔梯度的变化特征,调查了澜沧江流域北部各海拔区域中华蜜蜂的种群分布,运用蜂蜜孢粉学(melissopalynology)分析了各海拔区域中华蜜蜂蜂蜜... 为了解澜沧江流域北部中华蜜蜂(Apis cerana cerana)的分布,探究中华蜜蜂的食源和营养生态位沿海拔梯度的变化特征,调查了澜沧江流域北部各海拔区域中华蜜蜂的种群分布,运用蜂蜜孢粉学(melissopalynology)分析了各海拔区域中华蜜蜂蜂蜜中花粉的组成特征和变化规律,并综合分析了海拔、中华蜜蜂营养生态位和蜂蜜中花粉的相关性,探讨了自然环境与中华蜜蜂的分布,海拔梯度与蜜粉源植物、中华蜜蜂的食源和营养生态位的关系。结果表明:澜沧江流域北部中华蜜蜂的食源种类丰富,中华蜜蜂种群主要分布于2200—2800 m海拔区域。不同海拔区域中华蜜蜂采食花粉的种类和数量不同,中华蜜蜂种群分布多的海拔区域,蜂蜜中花粉的种类较多,但花粉数量相对少。随着海拔梯度升高,中华蜜蜂蜂蜜中花粉的数量表现为先降后增,而花粉的种类则表现为先增后降。不同海拔区域的中华蜜蜂营养生态位存在差异,推测各海拔区域蜜粉源植物分布、中华蜜蜂种内和种间授粉昆虫及食草动物等竞争因素不同,但各海拔梯度间的变化差异不显著。海拔与中华蜜蜂营养生态位呈正相关(r=0.051),相关性不显著;海拔与蜂蜜中花粉数量呈正相关(r=0.047),与蜂蜜中花粉种类呈正相关(r=0.144),相关性都不显著;中华蜜蜂营养生态位与蜂蜜中花粉的种类呈负相关(r=-0.305),相关性显著(P!0.05);与花粉的数量呈负相关(r=-0.064),相关性不显著。蜂蜜中花粉的数量与种类呈正相关(r=-0.303),且相关性显著(P!0.05)。 展开更多
关键词 中华蜜蜂 蜂蜜孢粉学 蜜粉源植物 营养生态位 海拔梯度 澜沧江流域
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新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计 被引量:2
6
作者 赵旭 缪国庆 +1 位作者 张志伟 曾玉刚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期75-79,共5页
设计并模拟计算了延伸波长至2.6μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响。研究结果表明:在In0.82Al0.18As厚度为2... 设计并模拟计算了延伸波长至2.6μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响。研究结果表明:在In0.82Al0.18As厚度为200 nm且载流子浓度为2E18、In As0.6P0.4厚度为50 nm且载流子浓度为2E17、In0.82Ga0.18As厚度为50 nm且载流子浓度为2E16时,探测器表现出最佳的性能。与传统PIN结构探测器相比,其相对光谱响应度仅降低10%,暗电流降低了1个数量级。计算分析了不同工作温度下的暗电流,结果显示:在120~250 K时,暗电流主要为缺陷隧穿电流;在250~300 K时,暗电流主要为带间隧穿电流;当温度大于300 K时,暗电流主要为产生-复合电流和扩散电流。 展开更多
关键词 红外探测器 APSYS 盖层 光谱响应度 暗电流
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InGaAsP单结太阳电池基区的优化与模拟 被引量:1
7
作者 胡凯 涂洁磊 +2 位作者 李雷 余首柘 吴佳豪 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2021年第5期1-4,共4页
通过有限元分析软件APSYS对1.0 eV的InGaAsP单结太阳电池进行建模仿真,通过改变基区的厚度和掺杂浓度,得到短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率等电学参数,最终在AM0、1 Sun、300 K不加减反射膜的情况下效率达到12.64%.
关键词 INGAASP 单结太阳电池 APSYS有限元分析软件 基区
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InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析
8
作者 雷玮 郭方敏 +2 位作者 胡大鹏 朱自强 褚君浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1000-1003,共4页
根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的... 根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构。采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算。对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益。 展开更多
关键词 雪崩光电探测器 SACM结构 SAGCM结构 暗电流 增益 APSYS
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Improved performance of near UV light-emitting diodes with a composition-graded p-AlGaN irregular sawtooth electron-blocking layer 被引量:1
9
作者 秦萍 宋伟东 +9 位作者 胡文晓 张苑文 张崇臻 王汝鹏 赵亮亮 夏超 袁松洋 尹以安 李述体 宿世臣 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第8期463-467,共5页
We investigate the performances of the near-ultraviolet(about 350 nm-360 nm) light-emitting diodes(LEDs) each with specifically designed irregular sawtooth electron blocking layer(EBL) by using the APSYS simulat... We investigate the performances of the near-ultraviolet(about 350 nm-360 nm) light-emitting diodes(LEDs) each with specifically designed irregular sawtooth electron blocking layer(EBL) by using the APSYS simulation program.The internal quantum efficiencies(IQEs),light output powers,carrier concentrations in the quantum wells,energy-band diagrams,and electrostatic fields are analyzed carefully.The results indicate that the LEDs with composition-graded pAlxGa1-xN irregular sawtooth EBLs have better performances than their counterparts with stationary component p-AlGaN EBLs.The improvements can be attributed to the improved polarization field in EBL and active region as well as the alleviation of band bending in the EBL/p-AlGaN interface,which results in less electron leakage and better hole injection efficiency,thus reducing efficiency droop and enhancing the radiative recombination rate. 展开更多
关键词 AIGaN-based ultraviolet LEDs irregular sawtooth EBL APSYS simulation program output power
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重庆彭水县中华蜜蜂形态指标测定及比较研究 被引量:2
10
作者 吕言 周俊 +1 位作者 胡冲 石鹏 《湖北农业科学》 2021年第5期100-102,155,共4页
采集重庆彭水县中华蜜蜂(Apis cerana cerana)主要栖息区内18个乡镇的蜜蜂样本,对工蜂吻长、前翅长等6项主要形态指标进行测定,并将彭水县中华蜜蜂形态指标数据与湖北、江西等17地已报道的中华蜜蜂形态指标进行比较。结果显示,彭水县中... 采集重庆彭水县中华蜜蜂(Apis cerana cerana)主要栖息区内18个乡镇的蜜蜂样本,对工蜂吻长、前翅长等6项主要形态指标进行测定,并将彭水县中华蜜蜂形态指标数据与湖北、江西等17地已报道的中华蜜蜂形态指标进行比较。结果显示,彭水县中华蜜蜂的翅长、翅宽、T3+T4背板长平均值处于中上水平,暗示其采集能力和花蜜储存能力有一定优势。试验结果可为当地中华蜜蜂遗传资源调查与保护提供形态学数据参考。 展开更多
关键词 中华蜜蜂(Apis cerana cerana) 形态特征 遗传资源保护 彭水县
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Theoretical analysis of semi/non-polar In GaN/GaN light-emitting diodes grown on silicon substrates
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作者 于磊 张苑文 +8 位作者 李凯 皮辉 刁家声 王幸福 胡文晓 张崇臻 宋伟东 沈岳 李述体 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期507-511,共5页
A theoretical study of polar and semi/non-polar InGaN/GaN light-emitting diodes(LEDs) with different internal surface polarization charges, which can be grown on Si substrates, is conducted by using APSYS software. ... A theoretical study of polar and semi/non-polar InGaN/GaN light-emitting diodes(LEDs) with different internal surface polarization charges, which can be grown on Si substrates, is conducted by using APSYS software. In comparison with polar structure LEDs, the semi-polar structure exhibits a higher concentration of electrons and holes and radiative recombination rate, and its reduced built-in polarization field weakens the extent of band bending which causes the shift of peak emission wavelength. So the efficiency droop of semi-polar InGaN/GaN LEDs declines obviously and the optical power is significantly improved. In comparison with non-polar structure LEDs, although the concentration of holes and electrons as well as the radiative recombination rate of the semi-polar structure are better in the last two quantum wells(QWs) approaching the p-Ga N side, the uniformity of distribution of carriers and radiative recombination rate for the nonpolar structure is better. So the theoretical analysis indicates that the removal of the internal polarization field in the MQWs active regions for non-polar structure LEDs contributes to the uniform distribution of electrons and holes, and decreases the electron leakage. Thus it enhances the radiative recombination rate, and further improves the IQEs and optical powers, and shows the best photoelectric properties among these three structures. 展开更多
关键词 semi/non-polar InGaN/GaN LEDs APSYS Si substrate
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农产品质量安全媒体负面报道对农产品价格波动的异质性影响 被引量:18
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作者 曾华盛 苏柳方 谭砚文 《农业技术经济》 CSSCI 北大核心 2019年第8期99-114,共16页
本文利用网络爬虫技术抓取和构建了农产品质量安全媒体报道指数,并基于文本分析方法将媒体报道按正负面情绪进行了分离,运用时变参数向量自回归(TVPVAR)模型分析媒体负面报道对农产品价格波动的影响。结果表明,媒体对农产品质量安全事... 本文利用网络爬虫技术抓取和构建了农产品质量安全媒体报道指数,并基于文本分析方法将媒体报道按正负面情绪进行了分离,运用时变参数向量自回归(TVPVAR)模型分析媒体负面报道对农产品价格波动的影响。结果表明,媒体对农产品质量安全事件的报道往往带有负面情绪,其对农产品价格波动具有影响作用,并且这种作用存在地区、产品和时期上的差异。首先,负面报道对农村农产品价格波动的影响大于对城市农产品价格波动的影响;其次,负面报道对不同类别农产品价格波动产生不同的影响,对肉禽及其制品价格的冲击大于对粮食价格的冲击。当然,负面报道对农产品价格波动的影响在农产品质量安全事件爆发期影响最大,在复原期影响最小。 展开更多
关键词 农产品质量安全事件 负面报道 价格波动 异质性 TVP-VAR模型
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GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化 被引量:3
13
作者 雷亮 曾祥华 +1 位作者 范玉佩 张勇 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1326-1331,共6页
基于量子阱结构中载流子遂穿势垒原理,使用APSYS软件模拟不同条件下具有不同垒高、垒宽及阱宽的发光二极管(LED)的I-V特性、光强和内量子效率(IQE)的变化,发现自发发射光谱存在红移现象。通过与传统LED的多量子阱(MQW)参数比较发现,当... 基于量子阱结构中载流子遂穿势垒原理,使用APSYS软件模拟不同条件下具有不同垒高、垒宽及阱宽的发光二极管(LED)的I-V特性、光强和内量子效率(IQE)的变化,发现自发发射光谱存在红移现象。通过与传统LED的多量子阱(MQW)参数比较发现,当阱宽为2 nm、垒宽为4 nm、垒中In含量为0.08和驱动电流为20mA时,电压降低了18.43%,光强增加了11.46%,红移现象减小了5 nm。研究结果可为LED芯片的应用设计提供参考。 展开更多
关键词 InGaN/GaN多量子阱(MQW) 光谱强度 内量子效率(IQE) APSYS
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