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本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响
被引量：
7
1
作者
万齐欣
熊志华
+2 位作者
李冬梅
刘国栋
甘丽新
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1202-1206,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究。研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级。同时,研究发现,Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,...
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究。研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级。同时,研究发现,Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大。其中,Zni-AgZn呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势。因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成。
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关键词
ag
掺杂
zno
本征缺陷
第一性原理
电子结构
下载PDF
职称材料
题名
本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响
被引量：
7
1
作者
万齐欣
熊志华
李冬梅
刘国栋
甘丽新
机构
江西科技师范学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1202-1206,共5页
基金
国家自然科学基金(No.60767001)
福建师范大学医学光电子科学与技术教育部重点实验室开放基金(No.JYG0802)
江西省教育厅科技项目(赣教技字[2007]281号)
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究。研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级。同时,研究发现,Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大。其中,Zni-AgZn呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势。因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成。
关键词
ag
掺杂
zno
本征缺陷
第一性原理
电子结构
Keywords
ag doped zno intrinsic defect first principle electronic structure
分类号
TG174.44 [金属学及工艺—金属表面处理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响
万齐欣
熊志华
李冬梅
刘国栋
甘丽新
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
7
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职称材料
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