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嵌入分段半超结的p-栅增强型垂直GaN基HFET
1
作者 杨晨飞 韦文生 +1 位作者 汪子盛 丁靖扬 《电子与封装》 2024年第8期98-108,共11页
元胞面积相同的增强型垂直GaN/AlGaN异质结场效应管比横向HFET能承受更高的电压和更大的电流,适用于大功率领域,但在耐压时漂移区场强峰值高而容易提前击穿。提出了一种嵌入分段半超结的增强型垂直HFET,利用p型掺杂GaN栅和p+型掺杂GaN... 元胞面积相同的增强型垂直GaN/AlGaN异质结场效应管比横向HFET能承受更高的电压和更大的电流,适用于大功率领域,但在耐压时漂移区场强峰值高而容易提前击穿。提出了一种嵌入分段半超结的增强型垂直HFET,利用p型掺杂GaN栅和p+型掺杂GaN电流阻挡层抬高GaN/AlGaN异质结导带至费米能级之上,在栅压为0时夹断异质结的2DEG沟道,实现增强功能;在漂移区两侧插入2段p-GaN柱,形成p/n/p型离散半超结,改善电场均匀性。采用Silvaco TCAD软件模拟了Al组份、CBL浓度、p-GaN柱的宽度和厚度等参数对器件性能的影响。结果表明,相比于包含普通半超结的HFET,器件的击穿电压提升了8.67%,静态品质因数提升了11.25%,导通延时缩短了16.38%,关断延时缩短了3.80%,可为设计高性能HFET提供新思路。 展开更多
关键词 增强型垂直hfet 分段半超结 gan/algan异质结
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栅极几何结构对MIS栅结构常关p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响
2
作者 都继瑶 《沈阳理工大学学报》 CAS 2025年第1期72-77,共6页
高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGa... 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响。栅极介质层采用5 nm厚的原位生长AlN,AlN/p-GaN界面呈现出更明显的能带弯曲和更宽的耗尽区,有利于阈值电压向正向偏移,且其相对较宽的能带错位有助于抑制栅极电流。实验结果表明:与栅极非覆盖区长度为0μm和6μm的MIS栅极相比,非覆盖区长度为3μm的MIS栅极可提高器件综合性能,有效抑制正向栅极电流,将阈值电压提高至3 V,并较好地保持电流密度为46 mA/mm;栅极结构中两侧没有栅极覆盖的区域在导通过程和导通状态下均可引起较大的沟道电阻,且沟道电阻随着非覆盖区长度增加而上升。 展开更多
关键词 p-gan/algan/gan异质结 aln介质层 常关型器件 金属/绝缘体/半导体 栅极非覆盖区
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基于AlN衬底的AlGaN/GaN HFET材料性能研究
3
作者 李佳 房玉龙 +4 位作者 崔波 张志荣 尹甲运 高楠 陈宏泰 《标准科学》 2022年第S01期269-272,共4页
AlN与其他常见衬底材料(如蓝宝石或碳化硅)相比,具有与GaN晶格失配低、衬底与外延层间的应力小等特点,在制备高温、高频、高功率电子器件方面都有着非常广泛的应用前景。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在AlN衬底上的外延生... AlN与其他常见衬底材料(如蓝宝石或碳化硅)相比,具有与GaN晶格失配低、衬底与外延层间的应力小等特点,在制备高温、高频、高功率电子器件方面都有着非常广泛的应用前景。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在AlN衬底上的外延生长了AlGaN/GaN HFET材料。通过高分辨率X射线双晶衍射仪、非接触霍尔、拉曼光谱对外延材料进行了对比分析。结果表明,GaN材料的(002)和(102)晶面摇摆曲线半高宽分别为69弧秒和534弧秒,AlGaN/GaN HFET外延材料二维电子气迁移率达到1,572cm2~/V·s,AlN衬底上外延的GaN应力为0.089GPa,在AlN衬底上实现了高质量的AlGaN/GaN HFET外延材料生长。 展开更多
关键词 aln衬底 algan/gan hfet 迁移率 应力
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Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性 被引量：14
4
作者 张锦文 闫桂珍 +3 位作者 张太平 王玮 宁宝俊 武国英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期424-427,共4页
报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对器件性能的影响 ,并对比了热处理前后器件的室温特性 .实验证明 :室温下 ,器件具有良好的输出特性和肖特... 报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对器件性能的影响 ,并对比了热处理前后器件的室温特性 .实验证明 :室温下 ,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性 ,反向漏电流较小 ,最大跨导可达 47m S/ mm;经过 30 0℃、30 m in热处理后器件的室温输出特性有显著改善 ,而且器件饱和压降明显降低 ,说明 30 展开更多
关键词 algan/gan hfet 输出特性 器件特性
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凹栅AlGaN/GaN HFET 被引量：4
5
作者 张志国 冯震 +4 位作者 杨梦丽 冯志红 默江辉 蔡树军 杨克武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1420-1423,共4页
研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统... 研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统测试显示,当工作电压增加到40V,输出功率密度达到11.74W/mm. 展开更多
关键词 algan/gan hfet 凹栅 高电压 高功率密度
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AlN阻挡层对AlGaN/GaN HEMT器件的影响 被引量：3
6
作者 张进城 王冲 +4 位作者 杨燕 张金凤 冯倩 李培咸 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2396-2400,共5页
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaNHEMT器件和AlGaN/AlN/GaNHEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaNH... 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaNHEMT器件和AlGaN/AlN/GaNHEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaNHEMT器件性能的影响. 展开更多
关键词 algan/gan aln阻挡层 二维电子气 HEMT
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蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性 被引量：2
7
作者 张志国 杨瑞霞 +3 位作者 李丽 冯震 王勇 杨克武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1255-1258,共4页
通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN... 通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%. 展开更多
关键词 algan/gan hfet 隔离 整流特性 退火 输出功率
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跨导为325mS/mm的AlGaN/GaNHFET器件 被引量：2
8
作者 张志国 杨瑞霞 +2 位作者 王勇 冯震 杨克武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1789-1792,共4页
报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaNHFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为3... 报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaNHFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz. 展开更多
关键词 algan/gan hfet 跨导 直流特性 场板
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采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件 被引量：1
9
作者 陈晓娟 刘新宇 +7 位作者 和致经 刘键 邵刚 魏珂 吴德馨 王晓亮 周钧铭 陈宏 《电子器件》 EI CAS 2005年第3期479-481,共3页
为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaNHEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS-HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaNMOS-HFET器件栅... 为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaNHEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS-HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaNMOS-HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。 展开更多
关键词 algan gan SIO2 MOS—hfet
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基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文） 被引量：1
10
作者 吕元杰 冯志红 +6 位作者 宋旭波 张志荣 谭鑫 郭红雨 房玉龙 周幸叶 蔡树军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期534-537,568,共5页
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工... 基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=2 V下,器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm,该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值,器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明,器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz. 展开更多
关键词 algan/gan 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 最大振荡频率 再生长欧姆接触
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AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能 被引量：1
11
作者 王新华 王晓亮 +10 位作者 肖红领 王翠梅 冉军学 罗卫军 王保柱 冯春 杨翠柏 马志勇 胡国新 曾一平 李晋闽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期388-390,共3页
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/... 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善. 展开更多
关键词 algan/aln/gan异质结 肖特基二极管 势垒高度
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AlGaN/GaN HFET的优化设计 被引量：3
12
作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期163-169,共7页
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,得出了用δ掺杂加薄AlN隔离层的结构,既提高了电子气浓度,又保持电子气的强二维特性。从电子气浓度和栅对电子气的控制力度出发,提出了HFET势垒优化设计中的电子气浓度与势垒层厚度乘积规则。依据二维表面态理论,研究了表面态随帽层掺杂结构的变化。从前述乘积规则和表面态变化出发进行了内、外沟道异质结构的优化设计。优化结构既提高了电子气浓度和跨导,降低了欧姆接触电阻,又抑制了电流崩塌。 展开更多
关键词 铝镓氮/氮化镓异质结场效应管 优化设计 势垒层掺杂效率 电子气浓度与势垒层厚度乘积 表面态 无电流崩塌设计
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AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ) 被引量：1
13
作者 李效白 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期101-106,共6页
关键词 algan/gan 电流崩塌 hfet 2DEG algan/gan 延迟现象 饱和电流 漏电流
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AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ) 被引量：1
14
作者 李效白 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-5,共5页
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组... 从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系。揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌。指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走。 展开更多
关键词 铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 二维电子气 自发极化 压电极化 电流崩塌 陷阱效应
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Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
15
作者 张效玮 贾科进 +2 位作者 房玉龙 冯志红 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期589-592,608,共5页
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结... InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明,在栅压+2 V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDS为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3%,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz。就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果。 展开更多
关键词 INaln gan algan双异质结 异质结场效应晶体管(hfet) 附加功率效率 碳 化硅(SiC) 功率增益截止频率 最高振荡频率
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三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
16
作者 吕长志 冯士维 +8 位作者 王东凤 张小玲 谢雪松 何焱 张浩 徐立国 袁明文 李效白 曾庆明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期155-157,共3页
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
关键词 algan/gan hfet 倒置结构 双异质结
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通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
17
作者 文于华 范冰丰 +2 位作者 骆思伟 王钢 刘扬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期112-115,共4页
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,... 使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。 展开更多
关键词 铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 ANSYS 通孔结构
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高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究
18
作者 张志国 杨瑞霞 +4 位作者 李丽 王勇 冯震 李献杰 杨克武 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期371-374,共4页
报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。同时器件的脉冲测... 报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。同时器件的脉冲测试结果显示,SiN钝化对大栅宽器件的电流崩塌效应不能彻底消除。 展开更多
关键词 algan/gan 异质结场效应晶体管 跨导 输出特性 直流特性
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磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT
19
作者 任春江 陈堂胜 +3 位作者 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期330-333,368,共5页
报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够... 报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56dB和39.2%。 展开更多
关键词 场板 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 氮化铝 金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
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Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能
20
作者 马志勇 王晓亮 +4 位作者 胡国新 肖红领 王翠梅 冉军学 李建平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期394-397,共4页
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该... 用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56＇,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量. 展开更多
关键词 algan/aln/gan Pendell(o)sung条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率晶体管
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