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AlN压电薄膜材料研究进展 被引量：3
1
作者 许小红 武海顺 +2 位作者 张富强 段静芳 李佐宜 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期456-459,共4页
AlN压电薄膜材料具有许多优异的物理化学性质,本文对该薄膜材料的发展,结构特征,制备方法进行了综述,并对其应用前景进行了展望。
关键词 研究进展 aln压电薄膜 结构 制备
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衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响 被引量：7
2
作者 王忠良 刘桥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期47-49,共3页
采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,... 采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23nm。 展开更多
关键词 无机非金属材料 aln压电薄膜 反应磁控溅射 择优取向
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用于FBAR的C轴取向AlN压电薄膜的研制 被引量：3
3
作者 胡作启 王宇辉 +1 位作者 谢子健 赵旭 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期6-9,共4页
用射频(RF)反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜.讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构和形貌的影响、氮气含量对AlN压电薄膜成分的影响以及低温退火对薄膜表面粗糙度的影响.XRD和SEM结果表明:... 用射频(RF)反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜.讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构和形貌的影响、氮气含量对AlN压电薄膜成分的影响以及低温退火对薄膜表面粗糙度的影响.XRD和SEM结果表明:随溅射功率增大,AlN压电薄膜C轴择优取向增强;当功率为350W时,AlN压电薄膜(002)面摇摆曲线半高宽为4.5°,薄膜表现出明显的柱状结构.EDS成分分析表明:随氮气含量的提高,AlN压电薄膜的元素比接近于化学计量比.低温退火工艺的引入将薄膜表面的均方根粗糙度由4.8nm降低到2.26nm. 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 aln压电薄膜 C轴择优取向 低温退火 表面粗糙度
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高性能AlN薄膜体声波谐振器的研究 被引量：4
4
作者 李丽 郑升灵 +2 位作者 王胜福 李丰 李宏军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期448-452,共5页
报道了一种空气隙型S波段薄膜体声波谐振器,该谐振器采用一维Mason模型进行仿真,电极材料选用Mo,压电薄膜材料选用AlN,通过对AlN薄膜制备条件的优化,得到了半高宽为3.32°的AlN压电薄膜,并用于研制薄膜体声波谐振器。测试结果表明,... 报道了一种空气隙型S波段薄膜体声波谐振器,该谐振器采用一维Mason模型进行仿真,电极材料选用Mo,压电薄膜材料选用AlN,通过对AlN薄膜制备条件的优化,得到了半高宽为3.32°的AlN压电薄膜,并用于研制薄膜体声波谐振器。测试结果表明,其串联谐振频率和并联谐振频率分别为2 185 MHz和2 217 MHz,有效机电耦合系数(kt2)为3.56%,在串联谐振频率和并联谐振频率处的品质因数(Q)值分别为1 571.89和586.62,kt2Q达到了55.96。根据实测结果提取了MBVD模型的参数,并将实测结果与MBVD拟合结果进行了对比,两者吻合得很好。 展开更多
关键词 一维Mason模型 aln压电薄膜 有效机电耦合系数 Q值 MBVD模型
原文传递
AIN压电薄膜研究进展 被引量：2
5
作者 刘吉延 斯永敏 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期210-213,共4页
介绍了AlN压电薄膜的研究现状,着重突出了AlN薄膜的制备方法、择优取向结构及表面形貌等方面的研究,尤其对脉冲激光沉积工艺(PLD)镀膜的基本原理和过程、分别釆用周期价键链(PBC)理论和断键模型对薄膜晶面择优取向机理的分析作了较为详... 介绍了AlN压电薄膜的研究现状,着重突出了AlN薄膜的制备方法、择优取向结构及表面形貌等方面的研究,尤其对脉冲激光沉积工艺(PLD)镀膜的基本原理和过程、分别釆用周期价键链(PBC)理论和断键模型对薄膜晶面择优取向机理的分析作了较为详细的探讨。最后简单讨论了AlN压电薄膜研究的发展趋势。 展开更多
关键词 aln压电薄膜 脉冲激光沉积 PLD 周期价键链 PBC 择优取向机理 功能材料
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S波段FBAR滤波器芯片的研制 被引量：9
6
作者 李丽 郑升灵 +1 位作者 李丰 李宏军 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第5期617-619,623,共4页
采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空... 采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空气腔制作等关键工艺技术,制备的4节FBAR滤波器中心频率为2 340MHz,3dB带宽为25MHz,中心插损为3.8dB,矩形系数达2.24∶1,输入、输出阻抗均为50Ω,芯片体积仅为1mm×1mm×0.3mm,该性能与同频率、同带宽的介质滤波器性能进行了对比,体积可缩小几千倍,矩形系数优于介质滤波器。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器（FBAR）滤波器 一维Mason模型 aln压电薄膜 空气腔
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