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Au20Sn/Au微焊点抗时效性能的研究 被引量:2
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作者 付明洋 孙凤莲 刘洋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第12期36-41,共6页
通过加速时效方法研究Au20Sn/Au微焊点钎焊工艺参数与镀Au层的消耗和Au20Sn/Au界面化合物(IMC)生长速率的关系。结果表明:焊点在150℃时效条件下,钎焊温度一定时,高温液态停留时间由30 s增至90 s,镀Au层消耗速率变化速度和界面IMC层生... 通过加速时效方法研究Au20Sn/Au微焊点钎焊工艺参数与镀Au层的消耗和Au20Sn/Au界面化合物(IMC)生长速率的关系。结果表明:焊点在150℃时效条件下,钎焊温度一定时,高温液态停留时间由30 s增至90 s,镀Au层消耗速率变化速度和界面IMC层生长速率变化速度均逐渐增加。在高温液态停留时间90 s时,相比于钎焊温度300℃的焊点,320℃时镀Au层消耗速率变化速度降低了24.50%,界面IMC层生长速率的变化速度提高了56.09%。同时随时效时间的延长,热沉侧出现一层(Ni,Au)3Sn2相,但芯片侧和热沉侧界面IMC的类型并没有发生变化。 展开更多
关键词 au20Sn AU 钎焊工艺 消耗速率 生长速率 界面化合物
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Au20Sn箔材焊料及其应用 被引量:3
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作者 黄亮 陈卫民 +1 位作者 安兵 吴懿平 《电子工艺技术》 2010年第3期125-127,131,共4页
使用单辊法制备Au20Sn箔材,通过XRD衍射仪测试其晶态结构和相组成;采用差热分析法(DTA)测试其熔化温度;应用环境扫描显微镜(ESEM)观察其常温下微观组织。对比了单辊法制备的金锡焊料和叠层法制备的金锡焊料焊接光纤接头和大功率LED固晶... 使用单辊法制备Au20Sn箔材,通过XRD衍射仪测试其晶态结构和相组成;采用差热分析法(DTA)测试其熔化温度;应用环境扫描显微镜(ESEM)观察其常温下微观组织。对比了单辊法制备的金锡焊料和叠层法制备的金锡焊料焊接光纤接头和大功率LED固晶接头的显微结构。结果表明:单辊法工艺可以制备Au20Sn箔材,其物理性能和显微组织都与理论的Au20Sn焊料一致;单辊法制备的金锡焊料的焊接性能比叠层法制备的焊料好。 展开更多
关键词 单辊法 au20Sn 差热分析 大功率LED 焊接性能
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化合物Au20大鼠体内药动学及绝对生物利用度研究 被引量:1
3
作者 黄婷 雷伯开 +2 位作者 蔡伟惠 涂家生 金方 《世界临床药物》 CAS 2012年第2期88-91,共4页
目的建立HPLC法测定大鼠血浆中化合物Au20的浓度,研究其在大鼠体内的药动学及绝对生物利用度。方法双周期自身交叉设计,SD大鼠静注给药和灌胃给药化合物Au20,剂量分别为4.0和40.0 mg/kg,给药后不同时间点取血,HPLC法测定血浆中化合物Au2... 目的建立HPLC法测定大鼠血浆中化合物Au20的浓度,研究其在大鼠体内的药动学及绝对生物利用度。方法双周期自身交叉设计,SD大鼠静注给药和灌胃给药化合物Au20,剂量分别为4.0和40.0 mg/kg,给药后不同时间点取血,HPLC法测定血浆中化合物Au20的浓度,用DAS 2.0软件计算其药动学参数。结果血浆中化合物Au20在7.8~1 000 ng/mL浓度范围内线性关系良好(r=0.999 9),提取回收率75.91%~89.06%,日内和日间RSD均小于5%。静脉注射给药的药-时曲线符合三室模型。经剂量校正,口服给药的绝对生物利用度为(4.08±1.85)%。结论化合物Au20口服给药的绝对生物利用度低。 展开更多
关键词 化合物au20 高效液相色谱 药物动力学 绝对生物利用度
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纳米压痕法测量80Au/20Sn焊料热力性能 被引量:6
4
作者 张国尚 荆洪阳 +2 位作者 徐连勇 魏军 韩永典 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期53-56,共4页
采用恒加载速率/载荷纳米压痕试验测量了25,75,125及200℃下80Au/20Sn焊料的热力性能.结果表明,加载速率、施加载荷和温度对压痕载荷位移曲线影响显著;80Au/20Sn焊料具有较强的加载速率敏感性,显著的尺寸效应,125和200℃下出现了明显的&... 采用恒加载速率/载荷纳米压痕试验测量了25,75,125及200℃下80Au/20Sn焊料的热力性能.结果表明,加载速率、施加载荷和温度对压痕载荷位移曲线影响显著;80Au/20Sn焊料具有较强的加载速率敏感性,显著的尺寸效应,125和200℃下出现了明显的"挤出"现象;应用半椭圆模型对产生"挤出"的接触面积修正后基于Oliver-Pharr方法求得了弹性模量和硬度;弹性模量和硬度随加载速率的增加迅速增大后趋于稳定,随施加载荷增加先减小后几乎保持不变,随温度升高而急聚降低. 展开更多
关键词 80Au/20Sn焊料 纳米压痕 热力性能
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Au80Sn20合金焊料的制备及应用研究进展 被引量:15
5
作者 刘文胜 黄宇峰 马运柱 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1-6,共6页
含有80%金和20%锡(质量分数)的Au80Sn20合金焊料因其高熔点及免助焊剂等性能而被广泛应用于光电子封装和微电子封装领域。综述了Au80Sn20合金焊料的性能,分析了金锡叠层法、熔铸法、电镀沉积法和机械合金化法制备Au80Sn20合金焊料的工... 含有80%金和20%锡(质量分数)的Au80Sn20合金焊料因其高熔点及免助焊剂等性能而被广泛应用于光电子封装和微电子封装领域。综述了Au80Sn20合金焊料的性能,分析了金锡叠层法、熔铸法、电镀沉积法和机械合金化法制备Au80Sn20合金焊料的工艺原理和特点,介绍了Au80Sn20合金焊料在气密封盖、管壳焊接及芯片封装等领域的焊接技术和应用情况,最后指出了Au80Sn20合金焊料的研究方向和应用前景。 展开更多
关键词 Au80Sn20合金焊料 微电子封装 光电子封装 界面反应 制备技术
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配体保护下的Au_(20)团簇吸附和活化CO的理论研究
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作者 黄德林 高艳蓉 +2 位作者 余盛萍 陈军宪 杨明理 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期320-323,共4页
用密度泛函理论方法计算了CO分子吸附在有机配体聚乙烯吡咯烷酮poly(N-vinyl-2-pyrrolidone)(PVP)保护下的Au20团簇上的稳定构型的结构和性质。配体PVP通过物理吸附主要作用于Au20团簇的顶点位置。与Au20比较,配体的存在有利于CO的吸附... 用密度泛函理论方法计算了CO分子吸附在有机配体聚乙烯吡咯烷酮poly(N-vinyl-2-pyrrolidone)(PVP)保护下的Au20团簇上的稳定构型的结构和性质。配体PVP通过物理吸附主要作用于Au20团簇的顶点位置。与Au20比较,配体的存在有利于CO的吸附和活化,其根本原因是PVP和CO在Au20表面分别作为供电子和吸电子基团产生的协同效应。中性及阴离子Au20团簇对配体和CO的吸附强度不同,前者对PVP吸附作用较强,后者对CO的吸附和活化作用较强。 展开更多
关键词 au20团簇 PVP CO 密度泛函理论 吸附
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Au80Sn20无铅钎料的可靠性研究 被引量:10
7
作者 范琳霞 荆洪阳 徐连勇 《电焊机》 2006年第11期14-19,共6页
随着电子产品小型化、无铅化的发展,对焊接材料提出了更高的要求。无铅钎料Au80Sn20由于具有优良的力学性能,在高可靠性气密封装和芯片焊接中被广泛应用。综述了近几年来Au80Sn20的发展状况,重点介绍了该焊料的可靠性研究。
关键词 无铅钎料 Au80Sn20 可靠性 力学性能
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Au80Sn20合金焊料制备工艺 被引量:5
8
作者 王昭 吕文强 +1 位作者 高松信 武德勇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2089-2093,共5页
针对高功率二极管激光器的封装要求,通过磁控溅射的方法制备了Au80Sn20合金焊料,使用扫描电子显微镜(SEM)观察其微结构和表面形貌;利用能谱仪(EDX)和X射线荧光测试仪分析其成分;采用差热分析法(DTA)测试其熔化温度,并用制备的Au80Sn20... 针对高功率二极管激光器的封装要求,通过磁控溅射的方法制备了Au80Sn20合金焊料,使用扫描电子显微镜(SEM)观察其微结构和表面形貌;利用能谱仪(EDX)和X射线荧光测试仪分析其成分;采用差热分析法(DTA)测试其熔化温度,并用制备的Au80Sn20合金焊料进行了可焊性实验。结果表明:磁控溅射法可以制备Au80Sn20合金焊料,其制备的Au80Sn20合金焊料表面无明显缺陷,结构致密;成分与理论值接近;熔点与理论熔点接近;焊接浸润性好,空洞率小,强度大。 展开更多
关键词 Au80Sn20合金焊料 高功率二极管激光器 磁控溅射 合金靶
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PH_3配体在团簇Au_(20)的顶点和面心配位的DFT理论研究
9
作者 皮卫军 李佳 王曙光 《分子科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期75-81,共7页
采用DFT方法研究了在团簇Au20的顶端位点和面心位点配位PH3分子时的几何结构、电子结构以及Au—P的成键机理和能量分析.在两种配位方式下,配体PH3对团簇的几何结构影响都表现为强烈的局域形变效应.不同的配位方式下PH3与团簇的轨道作用... 采用DFT方法研究了在团簇Au20的顶端位点和面心位点配位PH3分子时的几何结构、电子结构以及Au—P的成键机理和能量分析.在两种配位方式下,配体PH3对团簇的几何结构影响都表现为强烈的局域形变效应.不同的配位方式下PH3与团簇的轨道作用方式不同,所形成的团簇化合物电子组态不同.两种配位方式下Au—P成键能的区别主要是来自于配体与团簇之间的Pauli排斥的不同,在面心配位时配体与团簇之间更大的Pauli排斥作用导致了该配位方式的不稳定. 展开更多
关键词 团簇au20 PH3配体 顶端配位 面心配位 DFT
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回流次数对Au80Sn20/Cu焊点显微组织及剪切性能的影响 被引量:3
10
作者 刘文胜 汤娅 +1 位作者 马运柱 黄宇峰 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2016年第2期303-310,共8页
采用回流焊接技术制备Au80Sn20/Cu焊点,研究其显微组织和剪切强度随回流焊接工艺参数之间的演变规律。结果表明:在焊接温度为310℃时,焊点界面处形成的(Au,Cu)5Sn金属间化合物(IMC)层随回流次数增加而增厚;IMC形貌由层状转变为扇贝状,... 采用回流焊接技术制备Au80Sn20/Cu焊点,研究其显微组织和剪切强度随回流焊接工艺参数之间的演变规律。结果表明:在焊接温度为310℃时,焊点界面处形成的(Au,Cu)5Sn金属间化合物(IMC)层随回流次数增加而增厚;IMC形貌由层状转变为扇贝状,最后成长为胞状;焊点剪切强度随回流次数增加而下降,回流1次后剪切强度为82.94 MPa,回流20次后下降至54.33 MPa;且回流焊接次数对焊点断口形貌和断裂方式造成影响:1次回流后在Cu/IMC界面发生韧性断裂;而3次和5次回流后断裂面分别出现在焊料中和IMC中,为韧性脆性混合断裂;回流次数超过10次后焊点发生脆性断裂。 展开更多
关键词 Au80Sn20焊料 回流焊 剪切性能 金属间化合物 断裂
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高功率二极管激光器Au80Sn20焊料焊接实验研究 被引量:1
11
作者 王昭 吕文强 +2 位作者 谭昊 高松信 武德勇 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期757-760,共4页
半导体激光器封装工艺过程对于激光器的输出特性、寿命等性能有重要影响,其中焊料的选择和焊接工艺是最关键的因素。本文采用磁控溅射的方法,在WCu热沉上制备了Au80Sn20合金焊料,取代了传统的In焊料,并对焊接工艺进行了改进。国外沉积... 半导体激光器封装工艺过程对于激光器的输出特性、寿命等性能有重要影响,其中焊料的选择和焊接工艺是最关键的因素。本文采用磁控溅射的方法,在WCu热沉上制备了Au80Sn20合金焊料,取代了传统的In焊料,并对焊接工艺进行了改进。国外沉积的和我们制备的Au80Sn20合金焊料焊接DL芯片后的性能参数很接近。充分说明双靶分层溅射镀膜可以实现二极管激光器的封装要求,从而为优化半导体激光器制备工艺和提高半导体激光器的性能奠定基础。 展开更多
关键词 Au80Sn20合金焊料 高功率二极管激光器 焊接 磁控溅射
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Adsorption and Hydrogenation Process of p-Chloronitrobenzene on Au_(20)Cluster:a DFT Study 被引量:4
12
作者 薛继龙 夏盛杰 +3 位作者 张连阳 施炜 钱梦丹 倪哲明 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2018年第1期7-14,共8页
We have systematically investigated the adsorption and hydrogenation process of p-chloronitrobenzene on Au20 cluster using density functional theory-DFT) calculations.The adsorption of two types of all species,vertic... We have systematically investigated the adsorption and hydrogenation process of p-chloronitrobenzene on Au20 cluster using density functional theory-DFT) calculations.The adsorption of two types of all species,vertical adsorption and parallel adsorption,is compared,revealing that former model is more stable than the latter,and all of the species prefer to adsorb at the vertex site.After adsorption,electrons transferred from Au20 cluster to the p-chloronitrobenzene molecule.Almost all hydrogenation processes are exothermic,and the C–Cl bond scissions are considered as the rate-limiting step for both Paths A-p-CNB→p-CAN→AN) and B-p-CNB→NB→AN) with the energy barriers of 2.62 and 2.95 e V,respectively.These suggest that the C–Cl bond scission is not easy to occur on Au20 cluster due to the high energy barrier,especially the path B.The p-chloroaniline is the main hydrogenation product catalyzed by Au20. 展开更多
关键词 DFT p-chloronitrobenzene au20 cluster adsorption hydrogenation
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电子封装中Au80Sn20焊料与镀层之间的相互作用及组织演变 被引量:10
13
作者 吴娜 李孝轩 胡永芳 《电子机械工程》 2015年第4期32-36,共5页
电子元器件常通过镀层提高可焊性,主要包括Au、Ni、Cu、Au/Ni(Ti)、Au/Pt/Ti、Au/TiW等。Au80Sn20焊料是电子封装中的常用材料,文中总结了AuSn焊料与镀层之间的相互作用及组织演变。润湿性主要取决于AuSn焊料表面的氧化以及镀层在AuSn... 电子元器件常通过镀层提高可焊性,主要包括Au、Ni、Cu、Au/Ni(Ti)、Au/Pt/Ti、Au/TiW等。Au80Sn20焊料是电子封装中的常用材料,文中总结了AuSn焊料与镀层之间的相互作用及组织演变。润湿性主要取决于AuSn焊料表面的氧化以及镀层在AuSn焊料中的溶解速度,Cu、Pt的原子结构与Au相似,以置换原子的形式溶解在AuSn焊料中,Ti与AuSn焊料之间的润湿性较差。AuSn焊料与镀层发生界面反应生成(Ni,Au)3Sn2、ζ-(Au,Cu)5Sn、Au5Sn、Ni3Sn4等金属间化合物(IMC),IMC的形成和组织演变与焊点结构、工艺参数、服役条件等因素有关。 展开更多
关键词 Au80Sn20 镀层 界面反应 金属间化合物
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微波芯片共晶焊接技术研究 被引量:9
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作者 陈帅 赵志平 +2 位作者 张飞 黄建国 赵文忠 《电子工艺技术》 2018年第3期157-159,167,共4页
利用共晶炉,采用Au80Sn20共晶焊片对GaAs微波芯片与MoCu载体进行了共晶焊接。利用推拉力测试仪、X射线衍射仪对焊接样品的焊接强度和孔洞率进行了测试。采用正交试验法分析了焊料尺寸、焊接压力及温度曲线等工艺参数对共晶焊接的影响。... 利用共晶炉,采用Au80Sn20共晶焊片对GaAs微波芯片与MoCu载体进行了共晶焊接。利用推拉力测试仪、X射线衍射仪对焊接样品的焊接强度和孔洞率进行了测试。采用正交试验法分析了焊料尺寸、焊接压力及温度曲线等工艺参数对共晶焊接的影响。研究发现:各因素影响主次顺序为焊接压力、焊接曲线、焊片大小;当焊料尺寸为70%,焊接压力为0.001N/mm2,选用优化的温度曲线时,共晶焊接效果最优,孔洞率小于1%,剪切强度大于50N,满足GJB548B的要求。 展开更多
关键词 微波芯片 Au80Sn20焊片 共晶焊接
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Effect of microstructure of Au80Sn20 solder on the thermal resistance TO56 packaged GaN-based laser diodes 被引量:4
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作者 Hao Lin Deyao Li +4 位作者 Liqun Zhang Pengyan Wen Shuming Zhang Jianping Liu Hui Yang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2020年第10期29-32,共4页
Au80Sn20 alloy is a widely used solder for laser diode packaging.In this paper,the thermal resistance of Ga N-based blue laser diodes packaged in TO56 cans were measured by the forward voltage method.The microstructur... Au80Sn20 alloy is a widely used solder for laser diode packaging.In this paper,the thermal resistance of Ga N-based blue laser diodes packaged in TO56 cans were measured by the forward voltage method.The microstructures of Au80Sn20 solder were then investigated to understand the reason for the difference in thermal resistance.It was found that the microstructure with a higher content of Au-rich phase in the center of the solder and a lower content of(Au,Ni)Sn phase at the interface of the solder/heat sink resulted in lower thermal resistance.This is attributed to the lower thermal resistance of Au-rich phase and higher thermal resistance of(Au,Ni)Sn phase. 展开更多
关键词 Au80Sn20 laser diodes package thermal resistance
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AuSn20/Au/Ni焊点剪切性能研究 被引量:1
16
作者 叶惠婕 王捷 +1 位作者 吴懿平 陈卫民 《电子工艺技术》 2020年第2期63-66,70,共5页
采用3种应变率(0.3 s^-1、3 s^-1、30 s^-1)对4种AuSn20焊层厚度(3μm、6μm、9μm、12μm)的AuSn20/Au/Ni焊接接头进行了剪切实验,分析了不同应变率以及AuSn20焊层尺寸对AuSn20/Au/Ni焊接接头抗剪切性能的影响。结果表明,AuSn20/Au/Ni... 采用3种应变率(0.3 s^-1、3 s^-1、30 s^-1)对4种AuSn20焊层厚度(3μm、6μm、9μm、12μm)的AuSn20/Au/Ni焊接接头进行了剪切实验,分析了不同应变率以及AuSn20焊层尺寸对AuSn20/Au/Ni焊接接头抗剪切性能的影响。结果表明,AuSn20/Au/Ni焊接接头的剪切强度随应变率增大而增大,在3μm^12μm的AuSn20焊层厚度范围内,AuSn20/Au/Ni焊接接头的剪切强度随AuSn20焊层厚度增大而增大。 展开更多
关键词 AuSn20/Au/Ni 金锡焊料 剪切强度 金属间化合物
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Hot deformation behavior and related microstructure evolution in Au−Sn eutectic multilayers 被引量:1
17
作者 Yong MAO Dan-li ZHU +5 位作者 Jun-jie HE Chao DENG Ying-jie SUN Guang-jie XUE Heng-fei YU Chen WANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第6期1700-1716,共17页
Hot compression was performed on a multilayered Au−20Sn eutectic alloy to investigate the deformation behavior and microstructure evolution.During hot compression,microstructural spheroidization was initiated from pla... Hot compression was performed on a multilayered Au−20Sn eutectic alloy to investigate the deformation behavior and microstructure evolution.During hot compression,microstructural spheroidization was initiated from plastic instability regions,and it was preferentially activated in vertical lamellae with a growth direction parallel to the compressive direction.Continuous dynamic recrystallization associated with lattice dislocations was the mechanism in both AuSn and Au5Sn multilayers.After spheroidization,strain accumulations were weakened in both of the equiaxed phases,and the deformation mechanism was substantially replaced by grain boundary sliding and migration.Based on these findings,hot rolling was conducted on an as-cast Au−20Sn alloy and a foil with a thickness of~50μm was successfully prepared.The present study can promote the development of Au−20Sn foils,and provide insights into the deformation behavior and microstructure evolution of multilayered eutectic alloys. 展开更多
关键词 Au−20Sn eutectic alloy INTERMETALLICS hot compression multilayered structure deformation SPHEROIDIZATION
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金带平行微隙焊工艺中Au80Sn20焊膏的应用
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作者 刘微微 尉志霞 种静 《电子工艺技术》 2021年第5期299-301,306,共4页
金带平行微隙焊工艺中,采用在金带和焊盘之间增加Au80Sn20焊膏的方法,将电阻焊工艺变为共晶工艺,成功实现500 μm×25 μm金带在Ni3~5 μm Au0.05~0.30 μm /Ni3~5 μm Au≥3 μm RO4350B焊盘的焊接。试验结果表明,金锡焊膏的引入... 金带平行微隙焊工艺中,采用在金带和焊盘之间增加Au80Sn20焊膏的方法,将电阻焊工艺变为共晶工艺,成功实现500 μm×25 μm金带在Ni3~5 μm Au0.05~0.30 μm /Ni3~5 μm Au≥3 μm RO4350B焊盘的焊接。试验结果表明,金锡焊膏的引入可降低焊接参数值,有效解决焊接不牢或过焊的问题,实现可靠连接。通过控制焊膏用量及涂敷形状可实现合格焊点,适当缩短焊接时间,可有效解决焊点过宽的问题。 展开更多
关键词 微隙焊 Au80Sn20焊膏 共晶 焊接时间
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多次回流下Au80Sn20微观演变及对半导体激光性能影响 被引量:1
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作者 成健 尧舜 +4 位作者 罗校迎 王志平 贾冠男 邱运涛 王智勇 《应用激光》 CSCD 北大核心 2017年第5期674-680,共7页
研究了在多次回流下Au80Sn20焊层的微观演变机制及对半导体激光性能的影响,为采用自动化精密校准机械设备,多次回流实现激光叠阵自动化高精度封装提供技术支持。实验中,采用扫描电镜对不同回流次数下Au80Sn20焊层金属化合物(IMC)的SEM... 研究了在多次回流下Au80Sn20焊层的微观演变机制及对半导体激光性能的影响,为采用自动化精密校准机械设备,多次回流实现激光叠阵自动化高精度封装提供技术支持。实验中,采用扫描电镜对不同回流次数下Au80Sn20焊层金属化合物(IMC)的SEM形貌特征进行了观察,并做EDS能谱组分分析。同时,对多次回流过程中各阶段进行光电性能测试,分析Au80Sn20焊料在多次回流焊接下的微观演变,以及对激光光电性能的影响。实验结果表明:对于相同芯片,同一封装形式,同批次的器件,在340℃,30s的回流焊接条件下,多次回流加热2~6次,即340℃间歇循环作用180s以内,Au80Sn20焊层演变主要在于微观相形态的变化,对激光光电性能影响不大;在加热到8~10次时,即340℃间歇循环作用300s左右,Au80Sn20焊层与芯片边界处出现柯肯达尔空洞;12~20次后,即340℃间歇循环作用至600s,柯肯达尔空洞融合变大,数量增多,致使半导体激光光电性能明显下降。 展开更多
关键词 半导体激光叠阵 Au80Sn20焊料 回流焊接 柯肯达尔空洞
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