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以Beattie课程设计理念为指导的《健康促进》课程内容设计 被引量：1
1
作者 章彩芳 尹萍 《护理实践与研究》 2007年第12期71-72,共2页
新时期护士的专业角色正在发生改变,不仅要为患者服务,还要为促进人群健康服务。《健康促进》课程正是为这一角色转变而设置的,但我们的教学由于受教材的束缚,无法真正体现实用型人才的培养目标。以Beattie课程设计理念为指导,改革该课... 新时期护士的专业角色正在发生改变,不仅要为患者服务,还要为促进人群健康服务。《健康促进》课程正是为这一角色转变而设置的,但我们的教学由于受教材的束缚,无法真正体现实用型人才的培养目标。以Beattie课程设计理念为指导,改革该课程教学内容,能使学生更好地掌握健康促进的概念,明确护士在健康促进中应承担的责任。 展开更多
关键词 beattie课程 设计理念 设计
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CsPbBr_(3)晶体生长及变温霍尔效应研究
2
作者 王杰 金致远 +3 位作者 彭静 张绍卿 黄巍 何知宇 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期5101-5105,5113,共6页
以定向凝固法提纯的CsPbBr_(3)多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸为∅30 mm×70 mm的CsPbBr_(3)单晶。采用ICP-OES对提纯后的多晶测试表明,提纯后的CsPbBr_(3)多晶中杂质含量减少了28.7%。经XRD和EDS对切割得到的晶片分析发现... 以定向凝固法提纯的CsPbBr_(3)多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸为∅30 mm×70 mm的CsPbBr_(3)单晶。采用ICP-OES对提纯后的多晶测试表明,提纯后的CsPbBr_(3)多晶中杂质含量减少了28.7%。经XRD和EDS对切割得到的晶片分析发现,晶片的晶面方向属{210}晶面族,晶体中Cs、Pb、Br_(3)种元素分布均匀,原子百分含量符合化学计量比。采用傅里叶红外光谱仪和紫外-可见分光光度计对晶体的透过率测试显示,生长晶体在500~4000 cm^(-1)波数范围内的红外透过率超过75%,紫外短波截止边为552 nm,拟合计算出对应的禁带宽度为2.246 eV。选取7个不同温度点对CsPbBr_(3)单晶进行变温霍尔效应测试发现,生长晶体为P型导电,在250~300 K和300~350 K之间晶体中主要的载流子散射机制分别为声学波散射和电离杂质散射,在150~250 K温度范围内,更符合多种散射机构共同作用的散射机制。进一步拟合载流子浓度p与1/T的关系,计算获得晶体中杂质电离能ΔE_(A)=0.3042 eV。 展开更多
关键词 晶体生长 CsPbBr_(3)单晶 垂直布里奇曼法 变温霍尔 散射机制
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中长波Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe激光晶体生长及元件制备
3
作者 黄昌保 胡倩倩 +5 位作者 朱志成 李亚 毛长宇 徐俊杰 吴海信 倪友保 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期551-553,共3页
本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm... 本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm波段存在明显的吸收,同时,Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体在7~15μm波段透过率均接近CdSe晶体透过极限(~70%),换算吸收系数约为0.005 cm^(-1)。采用钼坩埚密封布里奇曼法制备的Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe晶体具有过渡金属离子掺杂浓度可控、掺杂均匀、晶体品质高等优点,可同时作为中波红外激光晶体和长波红外非线性光学晶体材料。 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 激光晶体 过渡金属掺杂 CdSe晶体 晶体生长 布里奇曼法
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垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟 被引量：11
4
作者 魏彦锋 方维政 +2 位作者 张小平 杨建荣 何力 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期853-859,共7页
采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区... 采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区域的温度梯度也是改善固液界面形状的一个有效方法 .同时 ,通过对生长系统中的热流分析 ,表明在生长过程的中间阶段 ,热量交换主要集中在梯度区附近 。 展开更多
关键词 CDTE 垂直bridgman方法 有限元法 数值模拟
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自发成核Bridgman法生长LaBr_3∶Ce晶体 被引量：8
5
作者 史宏声 秦来顺 +3 位作者 魏钦华 陈晓峰 任国浩 舒康颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期231-233,共3页
本文用垂直Bridgman自发成核的方法生长了尺寸达φ25mm×30mm的LaBr3∶Ce单晶,晶体透明,无宏观缺陷。分析了晶体生长中主要的问题,指出了原料处理的关键,并指出了自发成核条件下晶体最有可能的生长取向为[001]方向,该方向对抑制晶... 本文用垂直Bridgman自发成核的方法生长了尺寸达φ25mm×30mm的LaBr3∶Ce单晶,晶体透明,无宏观缺陷。分析了晶体生长中主要的问题,指出了原料处理的关键,并指出了自发成核条件下晶体最有可能的生长取向为[001]方向,该方向对抑制晶体开裂非常有利。 展开更多
关键词 bridgman法 LaBr3:Ce晶体 自发成核 晶体取向 晶体开裂
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Bridgman法生长的PWO晶体的发光特性和透光特性 被引量：5
6
作者 张明荣 胡关钦 +2 位作者 李培俊 徐力 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期303-307,共5页
本文采用改进的Bridgman法，以纯度不低于99．99％的PbO和WO3为原料，生长出无色透明的、大尺寸的PbWO4（PWO）晶体，研究了晶体沿生长方向不同部位的透射光谱及X射线激发的发射光谱特性．发现改进的Bridgman法生长的PWO晶体具有较好的... 本文采用改进的Bridgman法，以纯度不低于99．99％的PbO和WO3为原料，生长出无色透明的、大尺寸的PbWO4（PWO）晶体，研究了晶体沿生长方向不同部位的透射光谱及X射线激发的发射光谱特性．发现改进的Bridgman法生长的PWO晶体具有较好的发光均匀性和透光均匀性，其原因主要是改进的Bridgman法采用密封的坩埚，有效地抑制了组份（PbO和WO3）的挥发. 展开更多
关键词 bridgman法 PBWO4 发光特性 透光特性 晶体生长
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Bridgman法晶体生长过程中界面形状的改变 被引量：3
7
作者 张海斌 任国浩 +2 位作者 邓群 刘高联 陈建明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期8-11,16,共5页
对不同生长条件下,Bridgm an法晶体生长过程进行了计算,对界面形状的改变的规律加以总结,并讨论了不同生长条件对界面形状的改变的影响。换热系数、导热系数和晶体宽度是影响界面凸凹程度及其变化趋势的重要参数。
关键词 bridgman法 晶体生长 界面 形状 宽度 参数 导热系数 改变 影响 变化趋势
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用NH_4Cl-H_2O溶液共晶凝固实验模拟Bridgman法晶体生长过程 被引量：3
8
作者 李恒 白博峰 +2 位作者 苏燕兵 张磊 郭烈锦 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1298-1302,共5页
利用NH4Cl-H2O溶液的共晶凝固模拟Bridgman法晶体生长过程,通过粒子图像测速系统测量了矩形腔和圆柱腔内NH4Cl-H2O溶液共晶凝固过程中的流场,结合温度变化得到了凝固过程中流动和温度的耦合规律.实验结果表明:在侧壁和底部冷却条件下,... 利用NH4Cl-H2O溶液的共晶凝固模拟Bridgman法晶体生长过程,通过粒子图像测速系统测量了矩形腔和圆柱腔内NH4Cl-H2O溶液共晶凝固过程中的流场,结合温度变化得到了凝固过程中流动和温度的耦合规律.实验结果表明:在侧壁和底部冷却条件下,两种腔室内溶液共晶凝固过程中流场的变化基本相似,形成竖壁面附近溶液向下流动、中心区域溶液向上流动的对流涡;凝固开始后,热交换和潜热的释放使液相区内温度下降趋于平缓;圆柱腔内出现了角区绕流和二次对流涡现象.实验得到的流动和温度变化规律为理论建模及数值计算提供了有用的实验数据. 展开更多
关键词 共晶凝固 粒子图像测速系统 bridgman法
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在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体 被引量：2
9
作者 蓝慕杰 叶水驰 +2 位作者 鲍海飞 周士仁 姚枚 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期76-81,共6页
在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．... 在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．当安瓿绕生长轴匀速旋转时、晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征，也没有常规 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长晶体的径向对称性尾部呈现圆锥状的凸起。 展开更多
关键词 HGCDTE bridgman法 磁场 晶体生长 金属复合物
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Bridgman解的试验验证与分析 被引量：3
10
作者 李智慧 师俊平 汤安民 《应用力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期488-492,642,共5页
为研究韧性材料单轴拉伸试样的颈缩规律及颈部应力场的分布,对Q235钢、14CrNiMoV合金钢、LY12铝合金等三种典型的金属材料光滑试样和切口试样进行了单向拉伸试验,通过研究材料屈服过程的细观机理和颈缩部位最小截面上不同位置处孔洞大... 为研究韧性材料单轴拉伸试样的颈缩规律及颈部应力场的分布,对Q235钢、14CrNiMoV合金钢、LY12铝合金等三种典型的金属材料光滑试样和切口试样进行了单向拉伸试验,通过研究材料屈服过程的细观机理和颈缩部位最小截面上不同位置处孔洞大小和形状的变化规律,分析了颈部应力解Bridgman公式中主要试验和理论上的依据和假设,并给出了影响颈部应力场分布的主要因素。结果表明:Bridgman公式中等轴假设基本成立,屈服条件应用不合理,且颈缩部位的复杂应力场并非由颈缩部位最小截面的全面屈服和材料塑性流动导致,颈缩后构件几何形状的变化是引起应力场重新分布的主要因素。 展开更多
关键词 颈缩 断裂机理 应力三维度 bridgman公式
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四方品系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟 被引量：2
11
作者 张海斌 沈定中 +1 位作者 任国浩 邓群 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期455-459,共5页
本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟。当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,将产生“W”形固液界面。通过比较,指出不同导热系数组合时晶体生长的难易。当熔体的导热系数位于晶体横... 本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟。当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,将产生“W”形固液界面。通过比较,指出不同导热系数组合时晶体生长的难易。当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,界面平坦,容易长出较好质量的晶体。对中、低级晶系的生长,晶体横向导热系数应大于纵向导热系数。 展开更多
关键词 四方晶系晶体 bridgman法 晶体生长 稳态数值模拟 导热系数
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ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文) 被引量：2
12
作者 杜园园 介万奇 +3 位作者 郑昕 王涛 白旭旭 于晖 《中国有色金属学会会刊：英文版》 CSCD 2012年第S1期143-147,共5页
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观... 采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。 展开更多
关键词 溶液法生长 垂直bridgman法 CDMNTE 孪晶 生长界面 Te夹杂相
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Bridgman压砧几种内加热方式及其温度测量 被引量：1
13
作者 刘秀茹 吕世杰 +4 位作者 苏磊 邵春光 胡云 黄代绘 洪时明 《高压物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期444-448,共5页
设计了4种Bridgman压砧内加热方式,尝试了钽和石墨作为加热材料,采用双热电偶测温,分别测量了不同加热方式的样品中部和上部温度与输入电压的关系,并粗略地讨论了样品的温度梯度。在0.1 GPa压力下,样品温度达到1 300℃以上。另外,在5.0 ... 设计了4种Bridgman压砧内加热方式,尝试了钽和石墨作为加热材料,采用双热电偶测温,分别测量了不同加热方式的样品中部和上部温度与输入电压的关系,并粗略地讨论了样品的温度梯度。在0.1 GPa压力下,样品温度达到1 300℃以上。另外,在5.0 GPa高压下、1000℃范围内测量了样品温度随输入电压变化的曲线。 展开更多
关键词 bridgman对顶压砧 内加热 钽 石墨
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垂直Bridgman法多组元晶体生长的多场耦合模型 被引量：1
14
作者 陆军 李恒 +4 位作者 苏燕兵 白博峰 王跃社 王国祥 郭烈锦 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期582-586,共5页
对垂直Bridgman法多组元晶体生长的准稳态模型所采用的Boussinesq线性密度假设进行了改进,基于密度的Taylor展开式,得到了熔体密度随温度、浓度变化的非线性函数关系并引入到模型中,改进后的准稳态模型(PSSM)能揭示晶体生长过程的非线... 对垂直Bridgman法多组元晶体生长的准稳态模型所采用的Boussinesq线性密度假设进行了改进,基于密度的Taylor展开式,得到了熔体密度随温度、浓度变化的非线性函数关系并引入到模型中,改进后的准稳态模型(PSSM)能揭示晶体生长过程的非线性本质.明确了模型的边界条件,得到了晶体生长的完整数学描述.改进后的PSSM以及已获得的多组元晶体准确物性为晶体生长的多场耦合定量数值模拟研究奠定了基础. 展开更多
关键词 垂直bridgman 多场耦合 准稳态模型
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Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析 被引量：2
15
作者 谷智 刘泉喜 介万奇 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第5期249-254,共6页
利用ANSYS有限元软件,以实际炉膛内的温度分布为边界条件,分析了包括生长中的Hg0.9Mn0.1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场。结果表明,晶体、熔体、高压Hg蒸气和石英的存在,使炉膛内的温度分布趋于平缓。在气液(气固)界面、液... 利用ANSYS有限元软件,以实际炉膛内的温度分布为边界条件,分析了包括生长中的Hg0.9Mn0.1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场。结果表明,晶体、熔体、高压Hg蒸气和石英的存在,使炉膛内的温度分布趋于平缓。在气液(气固)界面、液固界面、石英坩埚顶部和底部,轴向温度出现转折。随着晶体的生长,固液界面的轴向温度梯度逐渐减小。当石英坩埚完全处于高温区或低温区时,所在位置的温度分布更均匀,但远离坩埚区域的温度场受到的影响很小。 展开更多
关键词 Hg1-xMnxTe晶体 垂直bridgman法 数值模拟 温度场
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二元半导体合金垂直Bridgman晶体生长的热质对流Ⅰ-原型炉 被引量：2
16
作者 陆军 白博峰 郭烈锦 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期561-567,共7页
以GeSi半导体合金为例,采用准稳态模型数值研究了理想垂直Bridgman装置-原型炉中二元合金单晶生长过程的热质对流现象,分析了热瑞利数、生长炉绝热区长度对热质对流、熔体径向溶质分凝的影响规律。结果表明,原型炉中熔体的流动结构随热... 以GeSi半导体合金为例,采用准稳态模型数值研究了理想垂直Bridgman装置-原型炉中二元合金单晶生长过程的热质对流现象,分析了热瑞利数、生长炉绝热区长度对热质对流、熔体径向溶质分凝的影响规律。结果表明,原型炉中熔体的流动结构随热瑞利数的变化出现三种截然不同的形式;热质对流的驱动力是生长炉热边界条件不连续性引起的径向温度梯度;随着熔体流动强度的增加,径向溶质分凝变化出现两个极小点。 展开更多
关键词 垂直bridgman装置 热质对流 径向温度梯度 径向溶质分凝
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掺铈Cs_(2)BaBr_(4)晶体的生长和闪烁性能研究 被引量：1
17
作者 殷洁 张小强 +1 位作者 陈灿 潘建国 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期760-765,共6页
以高纯度BaBr_(2)、CsBr、CeBr_(3)为原料,采用高温固相反应法合成了Cs_(2)BaBr_(4)∶1%Ce^(3+)多晶料,并通过坩埚下降法生长了Cs_(2)BaBr_(4)∶1%Ce^(3+)晶体。将晶体切割研磨抛光后得到不同厚度的Cs_(2)BaBr_(4)∶1%Ce^(3+)晶片。对... 以高纯度BaBr_(2)、CsBr、CeBr_(3)为原料,采用高温固相反应法合成了Cs_(2)BaBr_(4)∶1%Ce^(3+)多晶料,并通过坩埚下降法生长了Cs_(2)BaBr_(4)∶1%Ce^(3+)晶体。将晶体切割研磨抛光后得到不同厚度的Cs_(2)BaBr_(4)∶1%Ce^(3+)晶片。对晶体进行了物相分析,XRD图谱表明晶体为一致熔融物,且无相变。研究了晶体的闪烁性能,测试了光学透射率、光致发光、X射线激发发光、多通道gamma能谱、衰减时间。与LaBr_(3)晶体对比,分析了晶体的吸湿性。结果表明,晶体的光学透过率接近80%,在一定波段的紫外光及X射线的激发下,晶体在349与372 nm波长有发射峰。^(137)Cs源伽马射线的激发下,能量分辨率为11%,在紫外激发下,晶体衰减时间为21.9 ns。晶体的吸湿性比LaBr_(3)晶体有大幅改善。 展开更多
关键词 Cs_(2)BaBr_(4)∶1%Ce^(3+)晶体 坩埚下降法 光致发光 X射线激发发光 衰减时间 吸湿性
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Te溶剂Bridgman法CdMnTe晶体核辐射探测器的制备和表征 被引量：2
18
作者 杜园园 姜维春 +1 位作者 陈晓 雒涛 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第10期1892-1899,共8页
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对^(24... 碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对^(241)Am@59.5 keVγ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×10^(10)Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对^(241)Am@59.5 keVγ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10^(-3)cm^(2)/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。 展开更多
关键词 碲锰镉 Te溶剂bridgman法 红外透过率 钝化 漏电流 核辐射探测器 能量分辨率
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利用焓-多孔介质法对垂直Bridgman生长CdTe的数值模拟 被引量：6
19
作者 刘夷平 黄为民 王经 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期225-230,共6页
利用数值模拟研究了碲化镉在垂直Bridgman炉中生长时的固-液界面的形状．采用焓-多孔介质法,在固定网格上对碲化镉的固液两相用统一的控制方程进行了整场求解,用一特征参数确定界面的位置和形状．结果表明,当晶体的生长速率较低时,界面... 利用数值模拟研究了碲化镉在垂直Bridgman炉中生长时的固-液界面的形状．采用焓-多孔介质法,在固定网格上对碲化镉的固液两相用统一的控制方程进行了整场求解,用一特征参数确定界面的位置和形状．结果表明,当晶体的生长速率较低时,界面的形状与物质在固态和液态两相下的热扩散率有关．如果两种热扩散率的数值相近,界面的形状是平坦的．液态区自然对流是界面形状的影响因素之一,而积聚在固态区的结晶潜热是形成弯曲固-液界面的主要原因． 展开更多
关键词 材料科学基础学科 数值模拟 焓-多孔介质 垂直bridgman法 CdTe
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Bridgman法晶体生长的瞬态数值模拟 被引量：1
20
作者 张海斌 陈文斌 +1 位作者 沈定中 任国浩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期546-549,共4页
采用变形有限元法对坩埚下降法晶体生长过程进行了瞬态数值模拟。对随下降距离生长位置、生长速度、界面位置处的法线方向温度梯度和凹度的变化进行了分析说明,将生长过程划分为三个阶段。结果表明在整个生长过程中,晶体生长条件一直处... 采用变形有限元法对坩埚下降法晶体生长过程进行了瞬态数值模拟。对随下降距离生长位置、生长速度、界面位置处的法线方向温度梯度和凹度的变化进行了分析说明,将生长过程划分为三个阶段。结果表明在整个生长过程中,晶体生长条件一直处于变化之中,因而晶体的质量也在整块晶体中呈现一定的波动性。 展开更多
关键词 晶体生长 bridgman法 瞬态数值模拟 坩埚下降法 变形有限元法
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