基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计一种应用于物联网系统射频前端的新型C类超低功耗压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO),VCO起振后通过动态偏置环路将其锁定在C类状态。动态偏置环路包含幅度检测器、锁存器、反相器和偏置控制器...基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计一种应用于物联网系统射频前端的新型C类超低功耗压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO),VCO起振后通过动态偏置环路将其锁定在C类状态。动态偏置环路包含幅度检测器、锁存器、反相器和偏置控制器等模块,动态偏置环路自动改变偏置电压并关闭动态偏置环路,将VCO从初始的AB类锁定在C类稳定工作。通过后仿真验证,在0.6 V电压供电下,功耗低至0.5 m W;中心频率为2.4 GHz时,在频偏100 k Hz和1 m Hz处的相位噪声分别为-96.1 d Bc/Hz和-115 d Bc/Hz;VCO输出频率的调谐范围为2.33~2.49 GHz,且线性度较高,FOM达到-186。展开更多
文摘基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计一种应用于物联网系统射频前端的新型C类超低功耗压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO),VCO起振后通过动态偏置环路将其锁定在C类状态。动态偏置环路包含幅度检测器、锁存器、反相器和偏置控制器等模块,动态偏置环路自动改变偏置电压并关闭动态偏置环路,将VCO从初始的AB类锁定在C类稳定工作。通过后仿真验证,在0.6 V电压供电下,功耗低至0.5 m W;中心频率为2.4 GHz时,在频偏100 k Hz和1 m Hz处的相位噪声分别为-96.1 d Bc/Hz和-115 d Bc/Hz;VCO输出频率的调谐范围为2.33~2.49 GHz,且线性度较高,FOM达到-186。
