文章采用AFORS-HET(automat for simulation of heterojunctions)2.4.1版软件模拟CdS/p-Si太阳电池的结构工艺参数,如CdS半导体材料的电子亲和势、禁带宽度、p-Si和CdS的厚度对其光电性能的影响。模拟结果显示,CdS的电子亲和势不能低于3...文章采用AFORS-HET(automat for simulation of heterojunctions)2.4.1版软件模拟CdS/p-Si太阳电池的结构工艺参数,如CdS半导体材料的电子亲和势、禁带宽度、p-Si和CdS的厚度对其光电性能的影响。模拟结果显示,CdS的电子亲和势不能低于3.8eV;随着CdS禁带宽度的增加,Voc、Jsc和Eff均逐渐减小;随着CdS厚度的增加,电池的FF、Jsc、Eff均明显下降;随着硅片厚度的增加,Jsc、Voc及Eff都有不同程度的提升。展开更多
基金supported by the National Natural Science Foundation of China(51072043)National Key Basic Research Program of China(973)(2011CBA00700)+2 种基金Anhui Province Science and Technology Plan Project of China(2010AKND0794)College Natural Science Foundation of AnhuiProvince,China(KJ2010A266)Undergraduate Innovation Fund of Hefei University of Technology,China(cxsy102084)~~
文摘文章采用AFORS-HET(automat for simulation of heterojunctions)2.4.1版软件模拟CdS/p-Si太阳电池的结构工艺参数,如CdS半导体材料的电子亲和势、禁带宽度、p-Si和CdS的厚度对其光电性能的影响。模拟结果显示,CdS的电子亲和势不能低于3.8eV;随着CdS禁带宽度的增加,Voc、Jsc和Eff均逐渐减小;随着CdS厚度的增加,电池的FF、Jsc、Eff均明显下降;随着硅片厚度的增加,Jsc、Voc及Eff都有不同程度的提升。
