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容性耦合CF4/Ar等离子体放电特性研究
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作者 梁英爽 赵程琳 潘建壮 《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》 2024年第4期0145-0148,共4页
容性耦合CF4/Ar等离子体被广泛应用于半导体材料的刻蚀工艺中,本文采用流体力学模型,研究了气体比例对容性耦合CF4/Ar等离子体放电特性的影响。结果表明,随着CF4含量的增加,电子和Ar+离子的密度单调递减,而F-离子密度的变化趋势相反。... 容性耦合CF4/Ar等离子体被广泛应用于半导体材料的刻蚀工艺中,本文采用流体力学模型,研究了气体比例对容性耦合CF4/Ar等离子体放电特性的影响。结果表明,随着CF4含量的增加,电子和Ar+离子的密度单调递减,而F-离子密度的变化趋势相反。在Ar含量较高时,电子主要是通过电子与背景气体(特别是Ar)之间的碰撞电离反应产生的,但随着CF4含量增加,F-离子与CF3基团的碰撞电荷分离反应逐渐成为其最主要的产生途径;电子主要通过附着反应生成负离子而损失,因此这也是F-离子最主要的产生机制。当CF4含量较低时,F-离子主要通过其与Ar+离子之间的复合反应损耗;随着CF4含量的增加,F-离子与CF3基团的碰撞反应成为其主要消耗方式。对于中性粒子CF3基团和F原子,它们的密度随CF4含量的增加而增加,但当CF4含量高于50%时,呈现相反的变化趋势,这种非单调的变化是由于两种粒子的主要产生反应的反应物浓度随气体比例的变化导致的。CF3基团和F原子主要是通过电荷转移反应和复合反应来产生和损耗的。 展开更多
关键词 cf4/Ar等离子体 容性耦合等离子体 流体力学模型
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专访CF40学术委员会主席蔡昉:老龄化可通过政策调整赢得改革红利
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作者 谢玮 《中国经济周刊》 2023年第9期54-57,共4页
人口状况是一个国家最基本、最重要的国情。2023年1月,国家统计局公布人口数据显示,2022年末我国人口141175万人,相较上年末减少85万人。在中国经济转型升级的关键期,人口趋势变化也深刻地影响着中国经济的走势。中国经济面临哪些增长... 人口状况是一个国家最基本、最重要的国情。2023年1月,国家统计局公布人口数据显示,2022年末我国人口141175万人,相较上年末减少85万人。在中国经济转型升级的关键期,人口趋势变化也深刻地影响着中国经济的走势。中国经济面临哪些增长的挑战与机遇?直面焦点问题,CF40学术委员会主席、中国社科院国家高端智库首席专家蔡昉接受《中国经济周刊》记者专访表示,人口老龄化对经济社会的影响既有挑战和冲击,也有赢得改革红利的机遇。 展开更多
关键词 改革红利 国家统计局 蔡昉 数据显示 cf4 人口老龄化 趋势变化 中国经济转型升级
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PMMA人工晶状体表面的CF4/O2等离子体修饰 被引量:3
3
作者 张丽华 吴迪 +3 位作者 陈亚芍 李雪娇 赵宝明 黄长征 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1854-1858,共5页
为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis... 为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis)等方法进行表征,结果表明,经CF4/O2等离子体处理后,PMMA表面的含氟和含氧基团增加,其表面的亲水性增强,生物相容性改善,紫外光的隔离效率增大.因此,通过CF4/O2等离子体修饰能够有效地改善PMMA人工晶状体的性质. 展开更多
关键词 PMMA人工晶状体 cf4/O2 等离子体处理 生物相容性 透光性
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CF4在Al2O3上的分解反应——最佳反应温度探索 被引量:1
4
作者 牛宪军 徐秀峰 范杰 《洁净煤技术》 CAS 2009年第2期67-69,103,共4页
以程序升温及恒温反应方式研究了CF4在Al2O3上的分解反应,测试了CF4的转化率,用XRD、比表面积测试、SEM-EDS等技术对反应前后的Al2O3进行了结构表征。结果表明:程序升温反应至700℃时CF4转化率达到最高;850℃恒温反应时γ-Al2O3的... 以程序升温及恒温反应方式研究了CF4在Al2O3上的分解反应,测试了CF4的转化率,用XRD、比表面积测试、SEM-EDS等技术对反应前后的Al2O3进行了结构表征。结果表明:程序升温反应至700℃时CF4转化率达到最高;850℃恒温反应时γ-Al2O3的结构稳定性和反应活性较高,900℃反应时部分γ-Al2O3转变成了低活性的α-Al2O3导致比表面积和CF4转化率急剧下降。850℃是γ-Al2O3与CF4反应的最佳温度。 展开更多
关键词 cf4分解反应 反应温度 AL2O3
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CF4在P/Al2O3上的分解反应及活性组分的确认
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作者 牛宪军 徐秀峰 +3 位作者 范杰 李继森 管仁贵 齐世学 《洁净煤技术》 CAS 2009年第3期46-48,共3页
程序升温联合恒温反应方式研究了CF4在P/Al2O3上分解反应,用XRD、BET表面积测试技术对反应前后的P/Al2O3上进行了表征。结果表明:在Al2O3上表面负载助剂P,生成的ALPO4抑制了CF4高温分解时γ-P/Al2O3上发生仅相变,提高了γ-P/Al... 程序升温联合恒温反应方式研究了CF4在P/Al2O3上分解反应,用XRD、BET表面积测试技术对反应前后的P/Al2O3上进行了表征。结果表明:在Al2O3上表面负载助剂P,生成的ALPO4抑制了CF4高温分解时γ-P/Al2O3上发生仅相变,提高了γ-P/Al2O3上的结构稳定性,但加入P助剂减少了P/P/Al2O3上中P/Al2O3上的含量,使得P/Al2O3的脱氟活性没有显著提高,这说明P/Al2O3中Al2O3是活性成分,AlPO4是Al2O3的保护层。。 展开更多
关键词 cf4分解 P/Al2O3 AlPO4 活性组分
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用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN/GaN异质结能带
6
作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期31-35,共5页
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。... 自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。针对GaN HFET对肖特基势垒、欧姆接触和沟道电场分布的要求,提出了用CF4等离子体剪裁能带的方案。 展开更多
关键词 cf4 等离子体处理 能带剪裁 F离子注入和势垒层腐蚀 肖特基势垒 欧姆接触 沟道电场控制 电流崩塌
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超疏水CF4等离子体改性PVDF膜及其DCMD性能 被引量:6
7
作者 魏星 李雪梅 +3 位作者 殷勇 王周为 沈周 何涛 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第4期96-100,共5页
采用低温CF_4等离子体技术,通过化学气相沉积,将一般疏水聚偏氟乙烯(PVDF)膜表面成功改性为接触角为169.5°±4.9°的超疏水表面,研究改性后的超疏水膜的直接接触式膜蒸馏(DCMI))过程结果表明:当进料液为4%的NaCl溶液时,高... 采用低温CF_4等离子体技术,通过化学气相沉积,将一般疏水聚偏氟乙烯(PVDF)膜表面成功改性为接触角为169.5°±4.9°的超疏水表面,研究改性后的超疏水膜的直接接触式膜蒸馏(DCMI))过程结果表明:当进料液为4%的NaCl溶液时,高温侧温度70.5℃,改性膜通量为26.5 kg/(m^2·h),截留率高达99.976 6%。 展开更多
关键词 cf4等离子体 表面改性 PVDF膜 膜蒸馏
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CF4-1B型车载火箭发射装置装卸架研制与应用
8
作者 徐学义 苗长忠 +2 位作者 赵刚 贾思之 张晓慧 《山东气象》 2013年第1期37-38,共2页
采用槽钢、方钢管和万向轮,对江西九三九四厂生产的CF4-1B型车载火箭发射装置研制、生产了装卸架。经过反复应用证明该装卸架结构简单、合理、造价低,能使火箭发射装置轻巧、方便地在皮卡车上装卸。也可在装卸架上直接进行火箭作业。
关键词 cf4-1B型车载火箭 装卸架 发射装置
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交联聚苯乙烯表面CF4等离子体改性及其真空沿面闪络性能 被引量:7
9
作者 万方超 许飞凡 +2 位作者 魏伟 王钧 朱泉峣 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期3857-3864,共8页
绝缘材料的真空沿面闪络性能是目前电气工程领域的研究热点,为此采用大气压介质阻挡放电技术,对交联聚苯乙烯(CLPS)进行CF4等离子体表面改性。通过静态水接触角、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)等技术,分析改性前后CLPS的表... 绝缘材料的真空沿面闪络性能是目前电气工程领域的研究热点,为此采用大气压介质阻挡放电技术,对交联聚苯乙烯(CLPS)进行CF4等离子体表面改性。通过静态水接触角、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)等技术,分析改性前后CLPS的表面特性;同时测量改性前后的真空沿面闪络性能,讨论了表面微观形貌在纳米尺度上的变化及表面氟含量与闪络电压的关系。结果表明:CF4等离子体可以改变材料表面微观形貌并对表面进行氟化,使得CLPS真空沿面闪络电压提高50%以上。表面高度特征参数Ra随改性时间增加先增加后减小,引入氟以单氟接枝碳原子(C—F)的形式存在,纳米尺度下增加Ra以及在表面分子链中引入C—F键可提高CLPS真空沿面闪络电压。 展开更多
关键词 交联聚苯乙烯 cf4等离子体 表面微观形貌 真空沿面闪络 表面氟化
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基于NDIR技术的高压组合电器中CF4气体检测方法研究 被引量:6
10
作者 张施令 李京伟 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期158-164,共7页
为了实现对高压组合电器GIS气室中CF4气体的在线实时检测,完善基于气体化学成分分析实现对高压电气设备缺陷诊断,应用非分散红外(NDIR)技术设计了一种光学CF4气体传感器。系统采用单光束双波长结构,确定了折返光路气室类型,提高系统灵... 为了实现对高压组合电器GIS气室中CF4气体的在线实时检测,完善基于气体化学成分分析实现对高压电气设备缺陷诊断,应用非分散红外(NDIR)技术设计了一种光学CF4气体传感器。系统采用单光束双波长结构,确定了折返光路气室类型,提高系统灵敏度。硬件方面,采用具有多路12位精度的模数转换器高性能单片机,进一步提高检测精度。多组分配气系统实验测试结果显示:不同体积分数的CF4气体在RBF?PSO算法温度补偿前后传感器测试的最大示值误差分别为7.93%、1.20%;对不同体积分数的CF4气体量程标定测试时的参比信号幅值与测量通道信号幅值的比值SB/SA进行指数拟合,非线性相关度R2为0.9993;传感器重复性平行实验显示RSD分别为0.87%、0.44%、0.32%。综上,验证了该CF4传感器在测量范围、抗干扰能力、检测精度及重复性等方面的优势。 展开更多
关键词 GIS气室 cf4气体 非分散红外技术 双波长红外差分 传感器 温度补偿 校准实验
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CF4及其N2混合物微观放电参数计算与绝缘特性仿真研究 被引量:5
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作者 侯孟希 于昊洋 +2 位作者 金钊 阳以歆 刘钊 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期121-127,共7页
为研究SF6替代气体CF4及其N2混合物微观放电参数,通过两项近似Boltzmann方程对室温环境下CF4及CF4/N2混合物在混合比为20%~80%区间内的有效电离系数(α-η)/N进行了求解分析。利用COMSOL Multiphysics多物理场仿真软件首次对CF4及CF4/N... 为研究SF6替代气体CF4及其N2混合物微观放电参数,通过两项近似Boltzmann方程对室温环境下CF4及CF4/N2混合物在混合比为20%~80%区间内的有效电离系数(α-η)/N进行了求解分析。利用COMSOL Multiphysics多物理场仿真软件首次对CF4及CF4/N2混合物在均匀场下,不同混合比,不同压力条件下放电通道进行了一维模拟。仿真结果表明,CF4/N2混合物放电过程存在明显协同效应;CF4放电延时随气压增大而增大,仿真结果与数值计算结果吻合。 展开更多
关键词 SF6替代气体 cf4 BOLTZMANN方程 COMSOL仿真
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Reduction of Reactive-Ion Etching-Induced Ge Surface Roughness by SF6/CF4Cyclic Etching for Ge Fin Fabrication 被引量:2
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作者 马学智 张睿 +2 位作者 孙家宝 施毅 赵毅 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第4期69-72,共4页
关键词 反应离子蚀刻 表面粗糙度 反应离子刻蚀 cf4 SF6 翅片 制造 循环
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Calculation of Transport Properties of CF4+Noble Gas Mixtures 被引量:2
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作者 Soodabeh Nikmanesh Jalil Moghadasi Mohammad Mehdi Papari 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期814-821,共8页
The present work is concerned with determining the viscosity,diffusion,thermal diffusion factor and thermal conductivity of five equimolar binary gas mixtures including:CF4-He,CF4-Ne,CF4-Ar,CF4-Kr,CF4-Xe from the prin... The present work is concerned with determining the viscosity,diffusion,thermal diffusion factor and thermal conductivity of five equimolar binary gas mixtures including:CF4-He,CF4-Ne,CF4-Ar,CF4-Kr,CF4-Xe from the principle of corresponding states of viscosity by the inversion technique.The Lennard-Jones (12-6) model potential is used as the initial model potential.The calculated interaction potential energies obtained from the inversion procedure is employed to reproduce the viscosities,diffusions,thermal diffusion factors,and thermal conductivities.The accuracies of the calculated viscosity and diffusion coefficients were 1% and 4%,respectively. 展开更多
关键词 cf4 混合特性 惰性气体 计算 热扩散系数 运输 气体混合物 导热系数
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CF4/CO2混合气体工频击穿特性的试验研究 被引量:1
14
作者 王兴伟 彭彦卿 +2 位作者 袁传镇 傅飞峰 张达敏 《中国电力》 CSCD 北大核心 2019年第4期74-79,共6页
SF6是目前电气设备中广泛使用的气体绝缘介质,但其产生的温室效应对环境影响极大,因此,研究能替代SF6的环保型气体绝缘介质具有重要的意义。CF4是一种具有低温室效应指数(global warming potential,GWP)和低液化温度的强电负性气体。通... SF6是目前电气设备中广泛使用的气体绝缘介质,但其产生的温室效应对环境影响极大,因此,研究能替代SF6的环保型气体绝缘介质具有重要的意义。CF4是一种具有低温室效应指数(global warming potential,GWP)和低液化温度的强电负性气体。通过工频击穿试验,研究了CF4/C02混合气体的工频击穿特性,并对其协同效应和GWP值进行分析。结果表明:CF4混合比为50%的CF4/C02混合气体的绝缘强度能达到纯CF4的90%左右,同时GWP值低,具有用于气体绝缘的潜力;CF4/C02混合气体的协同效应值在0.12~0.38,表现出明显的协同效应。 展开更多
关键词 cf4/C02 工频击穿 绝缘强度 协同效应 GWP
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Breakdown characteristics of CF4 and CF4/N2 hybrid gas in refrigeration temperature range 被引量:1
15
作者 侯孟希 李卫国 +2 位作者 袁创业 阳以歆 欧阳洁 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期861-865,共5页
Common insulation gas cannot normally work in refrigeration temperature range(153-243 K), especially in extremely cold regions. To solve this problem, this essay uses cubic equation combined with two-parameter model i... Common insulation gas cannot normally work in refrigeration temperature range(153-243 K), especially in extremely cold regions. To solve this problem, this essay uses cubic equation combined with two-parameter model in theorem of corresponding states to estimate dew-point of hybrid gas. The influence of temperature on mixing ratio is studied by using van der Waals equation. The result shows that the mixing ratio is stable during temperature-fall period. Insulation property of CF_4 and CF_4/N_2 in refrigeration temperature range is studied through self-designed low-temperature test system. The result shows when the density of hybrid gas is invariable, temperature changing has less influence on breakdown voltage, and when the mixing ratio is 20%, CF_4/N_2 is the greatest potential hybrid gas. 展开更多
关键词 dew-point REFRIGERATION temperature RANGE cf4 gas INSULATION
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CF4G27降高型发动机进气歧管的设计 被引量:2
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作者 李祥兰 《车用发动机》 北大核心 2002年第1期15-17,共3页
运用气体动力学原理 ,结合计算机辅助设计 (CAD)方法设计了CF4G2 7降高型发动机的进气歧管。经气道试验和装车试验验证 ,功率和扭矩的降低值在预期范围内。改进设计后的进气歧管提高了CF4G2 7发动机的适用性 ,且广泛适用于 4 95Q汽油机。
关键词 cf4G27降高型 发动机 设计 进气歧管 气体动力学
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CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究 被引量:4
17
作者 魏育才 《集成电路应用》 2019年第7期40-43,共4页
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜... 探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。 展开更多
关键词 cf4和O2等离子刻蚀 ICP刻蚀 氮化硅刻蚀 掩膜退缩 PA工艺
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Numerical analysis of thermal plasma scrubber for CF4 decomposition
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作者 J KO T H KIM S CHOI 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期9-14,共6页
CF4 gas emitted in the semiconductor and display manufacturing process is a very harmful greenhouse gas.It must be removed or converted safely due to its extreme toxicity.Although a CF4 decomposition system using a th... CF4 gas emitted in the semiconductor and display manufacturing process is a very harmful greenhouse gas.It must be removed or converted safely due to its extreme toxicity.Although a CF4 decomposition system using a thermal plasma scrubber was commercialized,its removal efficiency is limited.In this work,a numerical analysis of CF4 decomposition in the thermal plasma scrubber was carried out in order to propose an efficient decomposition environment.The decomposition and recombination temperatures of CF4 were analyzed using thermodynamic equilibrium calculations.The chemical reaction of CF4 decomposition into carbon and fluorine gas was considered in this numerical analysis.The injection position and angle of the CF4 were controlled in order to enhance the decomposition rate.The vertical injection of CF4 near the torch exit improved the mixing of the CF4 with the thermal plasma flame.In addition,it was confirmed that the high temperature region expanded due to a vortex generated by strong turbulence in the bottleneck-shaped reactor.As a result,it is revealed that the CF4 injection location and the reactor configuration are the most important factors in improving the decomposition rate. 展开更多
关键词 NUMERICAL simulation DECOMPOSITION cf4 THERMAL PLASMA SCRUBBER
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Surface modification of silicone rubber by CF4 radio frequency capacitively coupled plasma for improvement of flashover
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作者 王晨旭 张波 +5 位作者 陈思乐 孙宇豪 杨雄 彭雅楠 陈星宇 张冠军 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期107-116,共10页
The flashover performance of insulating materials plays an important role in the development of high-voltage insulation systems.In this paper,silicone rubber(SIR)is modified by CF4 radio frequency capacitively coupled... The flashover performance of insulating materials plays an important role in the development of high-voltage insulation systems.In this paper,silicone rubber(SIR)is modified by CF4 radio frequency capacitively coupled plasma(CCP)for the improvement of surface insulation performance.The discharge mode and active particles of CCP are diagnosed by the digital single-lens reflex and the spectrometer.Scanning electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used for the surface physicochemical properties of samples,while the surface charge dissipation,charge accumulation measurement,and flashover test are applied for the surface electrical characteristics.Experimental results show that the fluorocarbon groups can be grafted and the surface roughness increases after plasma treatment.Besides,the surface charge dissipation is decelerated and the positive charge accumulation is inhibited obviously for the treated samples.Furthermore,the surface flashover voltage can be increased by 26.67%after 10 min of treatment.It is considered that strong electron affinity of C–F and increased surface roughness can contribute to deepening surface traps,which not only inhibits the development of secondary electron emission avalanche but also alleviates the surface charge accumulation and finally improves the surface flashover voltage of SIR. 展开更多
关键词 silicon rubber cf4 radio frequency capacitively coupled plasma surface modification FLASHOVER
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Barrier Formation on a YBa2Cu3Oy Thin Film Using CF4 Plasma Fluorination
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作者 阿巴斯 康琳 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2002年第6期850-853,共4页
We investigate the surface structure and composition of a YBa2Cu3Oy (YCO) thin film odified by CF4 plasma fluorination.In addition to the absorption of hydrocarbons,chemical reactions of the YBCO surface take place du... We investigate the surface structure and composition of a YBa2Cu3Oy (YCO) thin film odified by CF4 plasma fluorination.In addition to the absorption of hydrocarbons,chemical reactions of the YBCO surface take place during CF4 plasma treatment.Various x-ray photoelectron spectroscopic data are reported and discussed.The existence of a thin barrier is confirmed,which homogeneously covers the edge of the base YBCO film in our interface engineering Josephson junction.Measurements of Auger electron spectroscopic data and the resistance versus temperature indicate that the barrier is a controllable-insulating layer. 展开更多
关键词 薄膜 YBA2CU3OY cf4等离子体
原文传递
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