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面向高帧率CMOS图像传感器的12位列级全差分SAR/SS ADC设计
1
作者 牛志强 陈志坤 +4 位作者 胡子阳 王刚 刘剑 吴南健 冯鹏 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第5期48-54,共7页
针对高帧率CMOS图像传感器的应用需求,提出一种结合逐次逼近型(Successive Approximation Register,SAR)和单斜坡(Single Slope,SS)结构的混合型模拟数字转换器(Analog to Digital Converter,ADC)。该ADC的分辨率为12位,其中SAR ADC实现... 针对高帧率CMOS图像传感器的应用需求,提出一种结合逐次逼近型(Successive Approximation Register,SAR)和单斜坡(Single Slope,SS)结构的混合型模拟数字转换器(Analog to Digital Converter,ADC)。该ADC的分辨率为12位,其中SAR ADC实现高6位量化,SS ADC实现低6位量化。该ADC采用了全差分结构消除采样开关的固定失调并减少非线性误差,同时在SAR ADC中采用了异步逻辑电路进一步缩短转换周期。采用110 nm 1P4M CMOS工艺对该电路进行了设计和版图实现,后仿真结果表明,在20 MHz的时钟下,转换周期仅为3.3μs,无杂散动态范围为77.12 dB,信噪失真比为67.38 dB,有效位数为10.90位。 展开更多
关键词 高帧率cmos图像传感器 混合型列ADC 单斜ADC 逐次逼近型ADC 电流舵DAC
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基于粗细量化并行与TDC混合的CMOS图像传感器列级ADC设计方法
2
作者 郭仲杰 苏昌勖 +3 位作者 许睿明 程新齐 余宁梅 李晨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期486-499,共14页
针对传统单斜式模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)和串行两步式ADC在面向大面阵CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器读出过程中的速度瓶颈问题,本文提出了一种用于高速CMOS图像传感器的全并行ADC设计方... 针对传统单斜式模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)和串行两步式ADC在面向大面阵CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器读出过程中的速度瓶颈问题,本文提出了一种用于高速CMOS图像传感器的全并行ADC设计方法.该方法基于时间共享和时间压缩思想,将细量化时间提前到粗量化时间段内,解决了传统方法的时间冗余问题;同时采用插入式时间差值TDC(Time-to-Digital Converter),实现了全局低频时钟下的快速转换机制.本文基于55-nm 1P4M CMOS工艺对所提方法完成了详细电路设计和全面测试验证,在模拟电压3.3 V,数字电压1.2 V,时钟频率250 MHz,输入电压1.2~2.7 V的情况下,将行时间压缩至825 ns,ADC的微分非线性和积分非线性分别为+0.6/-0.6LSB和+1.6/-1.2LSB,信噪失真比(Signal-to-Noise-and-DistortionRatio,SNDR)为68.271 dB,有效位数(Effective Numbers Of Bits,ENOB)达到11.0489 bit,列不一致性低于0.05%.相比现有的先进ADC,本文提出的方法在保证低功耗、高精度的同时,ADC转换速率提高了87.1%以上,为高速高精度CMOS图像传感器的读出与量化提供了一定的理论支撑. 展开更多
关键词 cmos图像传感器 列并行ADC 单斜式ADC 两步式 全并行 时间数字转换器
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2.79μm中红外激光对CMOS图像传感器的辐照效应研究
3
作者 王玺 赵楠翔 +5 位作者 张永宁 王毕艺 董骁 邹岩 雷武虎 胡以华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第6期386-392,共7页
研究中红外波段激光对CMOS图像传感器的辐照效应,对探索空间态势感知系统光学成像器件的激光干扰和损伤条件具有重要军事意义。开展了不同重频下2.79μm中红外激光对CMOS图像传感器的干扰与损伤实验。观察到CMOS图像传感器的饱和、过饱... 研究中红外波段激光对CMOS图像传感器的辐照效应,对探索空间态势感知系统光学成像器件的激光干扰和损伤条件具有重要军事意义。开展了不同重频下2.79μm中红外激光对CMOS图像传感器的干扰与损伤实验。观察到CMOS图像传感器的饱和、过饱和以及损伤产生的绿屏、彩色条纹、黑屏、亮线等一系列干扰损伤现象。同时测量了传感器各种辐照现象相对应的2.79μm中红外激光干扰损伤阈值,研究了图像传感器辐照效应与激光重频之间的内在关系,分析了2.79μm中红外激光对CMOS图像传感器的干扰损伤机理。研究表明,CMOS图像传感器的激光损伤主要以材料的热熔融为主,热效应明显。在激光重频10 Hz的辐照下,饱和干扰阈值为0.44 J/cm^(2)、过饱和阈值为0.97 J/cm^(2)、损伤阈值为203.71 J/cm^(2)。研究表明CMOS图像传感器具有很好的抗干扰和抗损伤能力,实验测得的相关阈值数据在空间激光攻防领域具有重要的参考价值。 展开更多
关键词 中红外激光 辐照效应 cmos图像传感器 损伤阈值
原文传递
面向超大面阵CMOS图像传感器的列总线自加速建立方法研究 被引量：2
4
作者 郭仲杰 程新齐 +3 位作者 余宁梅 许睿明 李晨 苏昌勖 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1581-1589,共9页
在超大面阵CMOS图像传感器(COMS Image Sensor,CIS)中,由于像素面阵输出的列总线上存在超大的寄生电阻电容,列总线信号建立速度的主导因素发生改变,严重影响了读出速度.为了解决这一问题,本文提出了一种可应用于超大面阵CIS列并行读出... 在超大面阵CMOS图像传感器(COMS Image Sensor,CIS)中,由于像素面阵输出的列总线上存在超大的寄生电阻电容,列总线信号建立速度的主导因素发生改变,严重影响了读出速度.为了解决这一问题,本文提出了一种可应用于超大面阵CIS列并行读出机制的列总线自加速建立方法,基于电流增益增强理论,在不引入额外总线的前提下,通过对模拟信号建立过程的实时跟踪,加快列总线信号的变化过程,在列总线终端实现了自加速,将超长列总线的读出速度提升了一个数量级. 55 nm工艺下的测试与实验结果显示,采用本文提出的方法后,在亿级像素规模CIS列总线引入的寄生电容与寄生电阻分别为47 pF和20 kΩ的情况下,光电信号从像素节点到列级电路采样节点的上升建立时间由4μs缩短至790 ns,下降建立时间由22.43μs缩短至1.17μs,将亿级像素规模的CMOS图像传感器帧频提升至100帧,压缩了相关双采样的取样间隔时间,从而拓宽了噪声抑制的频率范围.本文方法实现了在保持低噪声和高速读出的同时,单列功耗仅有6.6μW. 展开更多
关键词 cmos图像传感器 列并行 相关双采样 低噪声 高速读出
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晕苯增强CMOS图像传感器
5
作者 罗磊 宋立媛 +3 位作者 唐利斌 王善力 才玉华 李俊斌 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2023年第6期932-937,共6页
由于紫外光在硅中的穿透深度有限,以及多晶硅栅极对紫外光的吸收,导致传统的硅基CMOS图像传感器在紫外光波段的响应不高。在此,本文选择一种低成本的下转换法来提升CMOS图像传感器的紫外响应能力,采用真空热蒸发法分别在石英衬底和CMOS... 由于紫外光在硅中的穿透深度有限,以及多晶硅栅极对紫外光的吸收,导致传统的硅基CMOS图像传感器在紫外光波段的响应不高。在此,本文选择一种低成本的下转换法来提升CMOS图像传感器的紫外响应能力,采用真空热蒸发法分别在石英衬底和CMOS图像传感器的像敏面上蒸镀了晕苯薄膜,并对薄膜的光学性能、红外光谱、光稳定性和热稳定性进行了研究。实验结果表明,晕苯薄膜能吸收紫外光并发射出500 nm的绿色荧光,可以与CMOS图像传感器的光谱响应峰值很好地匹配;同时,发现晕苯红外吸收光谱的实验值和计算值基本吻合;薄膜在200℃温度下退火20 min后,其发射峰的荧光强度保持在原来的95.7%;在280 nm激发波长照射大约60 min后,发光强度呈指数衰减至初始值的64%。采用CMOS单色相机在可见光(400~780 nm)和紫外光(365 nm)下定性分析了薄膜的紫外增强效果,发现蒸镀晕苯薄膜后的CMOS单色相机可以提高对紫外光的灵敏度。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 紫外增强 下转换 晕苯
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一种优化CMOS图像传感器成像质量的方法
6
作者 白琼 杨少华 +3 位作者 严明 刘璐 周二瑞 张雪莹 《现代应用物理》 2023年第1期28-33,53,共7页
噪声及动态范围是衡量CMOS图像传感器成像质量优劣的重要指标,CMOS图像传感器中的噪声主要包括模式噪声及随机噪声。在成像过程中,模式噪声对信号的影响明显大于随机噪声。本文提出了利用线性校正、分段线性校正及多项式拟合校正等多种... 噪声及动态范围是衡量CMOS图像传感器成像质量优劣的重要指标,CMOS图像传感器中的噪声主要包括模式噪声及随机噪声。在成像过程中,模式噪声对信号的影响明显大于随机噪声。本文提出了利用线性校正、分段线性校正及多项式拟合校正等多种非均匀性校正方法降低图像的模式噪声;并根据CMOS图像传感器光响应特性曲线,利用二阶多项式拟合方法,将传感器非线性区域的各像素响应校正到接近线性的目标响应曲线上,进一步提升了图像传感器的动态范围及响应线性度。通过实验验证,本文选择的CMOS图像传感器,当图像像元灰度值小于3.6×10^(3)时,采用线性校正方法;灰度值大于3.6×10^(3)时,采用二阶多项式拟合校正方法,对图像在整个曝光区间内的模式噪声的抑制效果最优;此外,经基于多项式拟合方法扩展动态范围后,图像的最大量程可从4.09×10^(3)增至4.79×10^(3)。 展开更多
关键词 非均匀性校正 模式噪声 动态扩展 cmos图像传感器 多项式拟合
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面向亿级CMOS图像传感器的高速全并行两步式ADC设计方法
7
作者 郭仲杰 许睿明 +3 位作者 程新齐 余宁梅 苏昌勖 李晨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期2067-2075,共9页
针对传统单斜式模数转换器(Analogue-to-Digital Conversion,ADC)和串行两步式ADC在面向大面阵CMOS图像传感器读出过程中的速度瓶颈问题,本文提出了一种用于高速CMOS图像传感器的全并行两步式ADC设计方法,该ADC设计方法基于时间共享和... 针对传统单斜式模数转换器(Analogue-to-Digital Conversion,ADC)和串行两步式ADC在面向大面阵CMOS图像传感器读出过程中的速度瓶颈问题,本文提出了一种用于高速CMOS图像传感器的全并行两步式ADC设计方法,该ADC设计方法基于时间共享和时间压缩思想,将细量化时间提前到粗量化时间段内,解决了传统方法的时间冗余问题;同时针对两步式结构在采样过程中的电荷注入和时钟馈通问题,提出了一种基于误差同步存储技术的误差校正方法,消除了采样电路非理想因素对ADC性能的影响.本文基于55 nm 1P4M CMOS工艺对所提方法完成了详细电路设计和全面测试验证,在模拟电压为3.3 V,数字电压为1.2 V,时钟频率为250 MHz,输入信号为1.472 V的设计条件下,本文设计实现的13 bit ADC转换时间为512 ns,DNL(Differential NonLinearity)为+0.8/-0.8LSB,INL(Integral NonLinearity)为+2.1/-3.5LSB.信噪失真比(Signal to Noise and Distortion Ratio,SNDR)达到70 dB,有效位数为11.33 bit,列级功耗为47μW.相比现有的先进ADC,本文提出的方法在保证低功耗、高精度的同时,使ADC转换速率提高了74.4%以上,为高速高精度CMOS图像传感器的读出与量化提供了一定的理论支撑. 展开更多
关键词 cmos图像传感器 列并行ADC 单斜式ADC 两步式 全并行
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面向CMOS图像传感器芯片的3D芯粒(Chiplet)非接触互联技术 被引量：1
8
作者 徐志航 徐永烨 +2 位作者 马同川 杜力 杜源 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期3150-3156,共7页
在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利... 在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华(CSMC)0.25μm CMOS工艺和东部高科(DB HiTek)0.11μm CIS工艺,通过仿真和流片测试验证了所提出的互联技术的有效性。测试结果表明,该3D Chiplet非接触互联链路采用20 GHz载波频率,收发机通信距离为5~20μm,在数据速率达到200 Mbit/s时,误码率小于10^(-8),接收端功耗为1.09 mW,能效为5.45 pJ/bit。 展开更多
关键词 芯粒(Chiplet) 电感耦合 3维芯片集成技术 cmos图像传感器
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基于CMOS图像传感器的铣刀侧刃磨损检测误差自补偿方法研究
9
作者 田崇顺 胥实现 +3 位作者 李国超 孙丽 唐莹 郭述豪 《制造技术与机床》 北大核心 2023年第10期104-110,共7页
铣刀广泛用于船舶、医疗等各领域零部件的加工,由于刀具磨损直接影响工件的加工质量和加工效率,因此,针对工件加工过程中立铣刀侧刃的不规则磨损难以精确检测的问题,提出一种自适应拍摄角度的磨损误差补偿方法。通过分析拍摄角度对不同... 铣刀广泛用于船舶、医疗等各领域零部件的加工,由于刀具磨损直接影响工件的加工质量和加工效率,因此,针对工件加工过程中立铣刀侧刃的不规则磨损难以精确检测的问题,提出一种自适应拍摄角度的磨损误差补偿方法。通过分析拍摄角度对不同形状磨损域的影响规律,结合刀具结构参数建立刀具磨损量与拍摄角度之间的映射模型,实现因拍摄角度不同而导致的刀具磨损检测误差自动偿算。不同拍摄角度的实验结果表明,磨损检测精度大于95%,验证了磨损检测误差自补偿方法的可行性。该研究方法与思路对后续刀具磨损测量的高精度智能化检测具有借鉴意义。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 磨损检测 拍摄角度 多项式拟合 自补偿方法
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应用于CMOS图像传感器的高速全差分两步式ADC设计方法
10
作者 郭仲杰 王杨乐 +1 位作者 许睿明 刘绥阳 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期3410-3419,共10页
由于传统的单斜式模数转换器(SS ADC)以及改进的各种架构串行两步式SS ADC普遍存在速度瓶颈问题,均无法满足工业界高帧率CMOS图像传感器的发展需求,该文提出一种应用于高帧率CMOS图像传感器的高速全差分两步式ADC设计方法。该ADC设计方... 由于传统的单斜式模数转换器(SS ADC)以及改进的各种架构串行两步式SS ADC普遍存在速度瓶颈问题,均无法满足工业界高帧率CMOS图像传感器的发展需求,该文提出一种应用于高帧率CMOS图像传感器的高速全差分两步式ADC设计方法。该ADC设计方法基于差动斜坡与时间数字转换(TDC)技术,将差动量化嵌套在两步式的量化中,形成了区别于串行量化的并行量化模式,不仅提升了数据量化的速率,而且保证了系统的一致性和鲁棒性;针对传统TDC技术与单斜式ADC的匹配性问题,提出了一种基于电平编码的TDC技术,在ADC量化的最后一个时钟周期内,在不提升系统时钟的情况下,完成时间数字转换,实现了更高精度的量化。该文基于55 nm 1P4M CMOS实验平台完成了所提方法的电路设计、版图设计和测试验证。在模拟电压3.3 V、数字电压1.2 V、时钟频率100 MHz、动态输入范围1.6 V的设计环境下,该文ADC设计精度为12 bit,转换时间仅有480 ns,列级功耗低至62μW,DNL以最低有效位(LSB)计为+0.6/–0.6,INL以最低有效位(LSB)计为+1.2/–1.4,信噪失真比(SNDR)达到70.08 dB,与现有的先进单斜式ADC相比,ADC转换速度提高了52%以上,可以有效压缩行处理时间,为高帧率大面阵CMOS图像传感器的实现提供了有效的解决方案。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 差动斜坡 时间数字转换 电平编码 两步式
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激光干扰和损伤CMOS图像传感器研究进展(特邀)
11
作者 温佳起 卞进田 +3 位作者 李欣 孔辉 郭磊 吕国瑞 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第6期371-385,共15页
高能激光是对抗光电成像系统的有效手段。随着互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器性能和制作工艺的快速发展,其市场占有率已逐步赶超电荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD),成为当前主... 高能激光是对抗光电成像系统的有效手段。随着互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器性能和制作工艺的快速发展,其市场占有率已逐步赶超电荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD),成为当前主流的图像传感器。CMOS图像传感器的激光干扰和损伤也随之成为国内外相关领域的研究热点。文中首先根据CMOS图像传感器的发展历程,对其结构和工作原理进行了介绍,并在此基础上简要分析了CMOS图像传感器在激光辐照过程中的薄弱环节,之后综述了CMOS在激光辐照下受到干扰及损伤现象的研究进展,并对干扰的评价方法和损伤阈值的主要测量方法进行了总结归纳,最后探讨了利用复合激光系统提升损伤CMOS图像传感器能力的发展现状和前景。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 激光辐照 干扰 损伤
原文传递
基于列共用多采样技术的CMOS图像传感器读出电路设计
12
作者 王得剑 高静 聂凯明 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期503-510,共8页
针对CMOS图像传感器中相关多采样(Correlated Multiple Sampling,CMS)技术在抑制噪声的同时使读出速度受影响的问题,设计了低噪声读出电路。读出电路采用列共用多采样技术,能够在不影响读出速度的情况下,抑制时域噪声和列固定模式噪声(F... 针对CMOS图像传感器中相关多采样(Correlated Multiple Sampling,CMS)技术在抑制噪声的同时使读出速度受影响的问题,设计了低噪声读出电路。读出电路采用列共用多采样技术,能够在不影响读出速度的情况下,抑制时域噪声和列固定模式噪声(Fixed Pattern Noise,FPN),改善CMOS图像传感器的成像质量。列共用多采样技术采用开关控制读出电路和像素的连接关系,以多列共用的读出电路对像素依次进行时序错开时间缩短的多次采样,完成所有像素量化的总时间保持不变。基于列共用多采样技术读出电路的降噪效果在110 nm的CMOS工艺下进行了仿真和验证。随着采样数M从1到4变化,读出时间没有增长,瞬态噪声仿真得到整个读出链路的输入参考噪声从123.8μV降低到60.6μV;加入列FPN进行仿真,输入参考失调电压由138μV降低到69μV。 展开更多
关键词 低噪声cmos图像传感器 低噪声读出电路 列共用多采样 单斜模数转换器 时域噪声 列固定模式噪声
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面向CMOS图像传感器应用的列级模数转换器研究进展
13
作者 廖文丽 张植潮 +2 位作者 张九龄 蔡铭嫣 陈铖颖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期961-971,共11页
随着有源像素工艺以及互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路技术迅速发展,CMOS图像传感器(CIS)朝着高分辨率、高动态范围、低功耗、小体积的方向不断发展,在数码相机、汽车驾驶、安防监控、医学等多个领域中逐渐取代原市场主流的电荷耦... 随着有源像素工艺以及互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路技术迅速发展,CMOS图像传感器(CIS)朝着高分辨率、高动态范围、低功耗、小体积的方向不断发展,在数码相机、汽车驾驶、安防监控、医学等多个领域中逐渐取代原市场主流的电荷耦合器件(CCD)图像传感器。模数转换器(ADC)作为模拟信号和数字信号的转换端口,是CMOS图像传感器中的重要组成部分,其性能的优劣直接决定了CMOS图像传感器的成像质量。对应用于CMOS图像传感器的模数转换器进行了综述,分析了几种主流架构的优缺点,阐述了面临的挑战以及解决方案,最后对未来的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 cmos图像传感器(CIS) 模数转换器(ADC) 单斜(SS)ADC 逐次逼近寄存器(SAR)ADC 循环ADC Sigma-Delta ADC
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Snappy Wide CMOS图像传感器Teledyne e2v
14
《传感器世界》 2023年第6期43-45,共3页
Teledyne e2v推出全新8K宽纵横比CMOS图像传感器Snappy Wide,专为日益常见的大型传送带的物流应用而设计。单个Snappy Wide传感器就可以覆盖宽广的视场,可取代多个传感器,实现更高效、更高性价比的解决方案。Snappy Wide拥有2.5μm的小... Teledyne e2v推出全新8K宽纵横比CMOS图像传感器Snappy Wide,专为日益常见的大型传送带的物流应用而设计。单个Snappy Wide传感器就可以覆盖宽广的视场,可取代多个传感器,实现更高效、更高性价比的解决方案。Snappy Wide拥有2.5μm的小型全局快门像素,采用Teledyne e2v最新一代光导管技术,在10-bit和12-bit ADC模式下动态范围是67 dB。该传感器具有低读出噪声,对于条形码识别应用至关重要,凭借在任何环境下都保持的MTF以及非常低的暗电流,使其即使在光线很少的条件下也能保证清晰的图像质量。凭借最大为8K(8192)×4K(4320)像素的分辨率(即17/9纵横比),Snappy Wide为物流市场和智能工厂等其他工业应用提供创新性传感器解决方案。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 条形码识别 智能工厂 物流应用 纵横比 清晰的图像 动态范围 暗电流
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思特威推出1300万像素手机应用CMOS图像传感器升级新品
15
《世界电子元器件》 2023年第10期39-40,共2页
思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213),正式推出Cellphone Sensor(CS)Series手机应用1300万像素图像传感器产品——SC1320CS。此款背照式(BSI)图像传感器新品拥有23.61mm2超小芯片尺寸,搭载思特威独特的S... 思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213),正式推出Cellphone Sensor(CS)Series手机应用1300万像素图像传感器产品——SC1320CS。此款背照式(BSI)图像传感器新品拥有23.61mm2超小芯片尺寸,搭载思特威独特的SmartClarity?-3技术,具备高感度、高动态范围、优异噪声控制等性能优势,可为智能手机后置主摄、后置超广角及前摄应用带来非凡质感影像。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 芯片尺寸 手机应用 Sensor 股票代码 噪声控制 超广角 智能手机
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BDTI深度对CMOS图像传感器性能影响的分析
16
作者 邵泽旭 《集成电路应用》 2023年第6期1-3,共3页
阐述具有1μm小像素的CMOS图像传感器设计,不同的BDTI深度对背照式CMOS图像传感器性能的影响。实验发现,较深的BDTI可以有效降低像素间的串扰,提升图像传感器在长波长处的量子效率,同时能提升图像传感器在白光下的色彩饱和度。
关键词 cmos图像传感器 BDTI深度 串扰 性能优化
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基于表面微结构与深沟道隔离协同的近红外响应增强CMOS图像传感器设计
17
作者 邵泽旭 《集成电路应用》 2023年第5期31-33,共3页
阐述普通单晶硅在近红外区域消光系数偏低,需要设计不同表面微纳结构提升光程,以增加对近红外光的吸收,提高信噪比。然而,表面微纳结构将恶化传感器的暗电流和光学串扰,降低清晰度和分辨率。因此,在设计端需要将微纳结构与深沟道隔离协... 阐述普通单晶硅在近红外区域消光系数偏低,需要设计不同表面微纳结构提升光程,以增加对近红外光的吸收,提高信噪比。然而,表面微纳结构将恶化传感器的暗电流和光学串扰,降低清晰度和分辨率。因此,在设计端需要将微纳结构与深沟道隔离协同处理,已达到提升红外吸收与降低光学串扰,同时平衡外延硅层结构破坏带来的噪声。探讨光学仿真和实验倒金字塔型与几何沟槽型表面微结构的红外增强水平,对比测试了其光学性能、暗电流与白点水平,得到电学与光学性能的平衡设计方案。 展开更多
关键词 集成电路设计 cmos图像传感器 BDTI 红外探测
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CMOS图像传感器的辐射实验 被引量：19
18
作者 周彦平 王晓明 +1 位作者 常国龙 汪黎黎 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期1270-1273,共4页
为了考察商用CMOS图像传感器应用于空间的可行性,对进行了空间辐射环境模拟实验研究。实验采用60Co-γ辐射源模拟空间辐射环境,辐射最大剂量为5×104rad(Si),辐射速率为1 Gy/s。在辐照时,根据实验需要在CMOS两端加偏置电压或不加偏... 为了考察商用CMOS图像传感器应用于空间的可行性,对进行了空间辐射环境模拟实验研究。实验采用60Co-γ辐射源模拟空间辐射环境,辐射最大剂量为5×104rad(Si),辐射速率为1 Gy/s。在辐照时,根据实验需要在CMOS两端加偏置电压或不加偏置电压,并采用在线和离线测量相结合的方法。实验结果表明:辐射初期各项性能指标变化不大,均匀度不变,暗电流略有增加,辐射停止一段时间后,性能下降较为明显,但经过较长时间退火后,性能渐趋稳定,且有一定恢复。研究表明:在采取一定防护措施后,商用CMOS像传感器可以应用在空间辐射环境中。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 总剂量效应 退火 Γ辐射
原文传递
基于USB 3.0的高速CMOS图像传感器数据采集系统 被引量：17
19
作者 丁宁 常玉春 +2 位作者 赵健博 王超 杨小天 《吉林大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期1298-1304,共7页
随着高速CMOS图像传感器分辨率和帧率的大幅度提升,无论在数据传输带宽方面还是缓存容量方面都需要图像采集系统能够应对巨大的实时数据量来满足使用要求。基于此,本文提出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)和USB 3.0的高速CMOS图像传... 随着高速CMOS图像传感器分辨率和帧率的大幅度提升,无论在数据传输带宽方面还是缓存容量方面都需要图像采集系统能够应对巨大的实时数据量来满足使用要求。基于此,本文提出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)和USB 3.0的高速CMOS图像传感器的数据采集系统实现方式。本文依次从系统电路硬件设计、FPGA和USB 3.0芯片软件功能设计以及上位机软件设计进行阐述,最后对系统进行整体调试并给出了实验结论。测试结果表明本系统能够最大化利用USB 3.0芯片的传输能力,同时实现图像接收过程的零误码率。因此,该系统可较好地满足目前高速高分辨率CMOS图像传感器对数据采集的数据实时性和准确性要求。 展开更多
关键词 通信技术 cmos图像传感器 高速数据采集 现场可编程门阵列 USB 3.0 LABVIEW
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CMOS图像传感器的研究新进展 被引量：14
20
作者 陈慧敏 栗苹 +2 位作者 张英文 孙建强 李昆 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期664-667,共4页
随着超大规模集成技术的发展,CMOS图像传感器显示出了强劲的发展趋势。简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程,在分析CCD和CMOS图像传感器工作原理的基础上,对比了CMOS图像传感器与CCD的特点。重点描述了国外CMOS图像传感器的最新商业化... 随着超大规模集成技术的发展,CMOS图像传感器显示出了强劲的发展趋势。简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程,在分析CCD和CMOS图像传感器工作原理的基础上,对比了CMOS图像传感器与CCD的特点。重点描述了国外CMOS图像传感器的最新商业化产品状况,同时给出了一些产品的性能参数,最后展望了CMOS图像传感器的未来发展趋势。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 像素 灵敏度 CCD
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