期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响 被引量：1
1
作者 任雪勇 谢泉 +4 位作者 杨吟野 肖清泉 杨创华 曾武贤 梁艳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1519-1521,共3页
采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上沉积了si-ca-si薄膜，并在高真空条件下对样品进行退火处理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面（断面）形貌的影响，并对其光学性质进行了测试分析。结果表明... 采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上沉积了si-ca-si薄膜，并在高真空条件下对样品进行退火处理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面（断面）形貌的影响，并对其光学性质进行了测试分析。结果表明：Ca2Si薄膜为立方结构且具有沿（111）向择优生长的特性，当溅射功率为120W时，Ca2Si薄膜变的均匀、致密，在400-800nm波长范围内，溅射功率对折射率n和吸收系数k的影响较小。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ca2si薄膜 溅射功率
下载PDF
环境半导体Ca_2Si薄膜制备及椭偏光谱研究
2
作者 肖清泉 谢泉 +2 位作者 杨吟野 余志强 赵珂杰 《湖南工程学院学报（自然科学版）》 2008年第4期37-39,共3页
采用磁控溅射系统成功地制备出了环境半导体Ca2Si薄膜,并对制备出的Ca2Si薄膜进行了椭偏光谱测量研究,得到了不同退火温度下Ca2Si薄膜的光学常数谱.结果表明,Ca2Si薄膜的折射率在4.3 eV附近取得极小值,其消光系数在3.3 eV附近取得极大值.
关键词 环境半导体 ca2si薄膜 磁控溅射 椭偏光谱
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部