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CdTe/Si复合衬底Ex-situ退火研究 被引量:8
1
作者 刘铭 周立庆 +3 位作者 巩锋 常米 王经纬 王丛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期917-920,共4页
复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是确保硅基碲镉汞走上工程化的关键所在。降低复合衬底CdTe/Si位错密度方法一般有:生长超晶格缓冲层、衬底... 复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是确保硅基碲镉汞走上工程化的关键所在。降低复合衬底CdTe/Si位错密度方法一般有:生长超晶格缓冲层、衬底偏向、In-situ退火和Ex-situ退火等,本文主要研究Ex-situ退火对复合衬底CdTe/Si晶体质量的影响。研究表明复合衬底经过Ex-situ退火后位错密度最好值达4.2×105cm-2,双晶半峰宽最好值达60arcsec。 展开更多
关键词 cdte/si MBE 晶体质量 Ex-situ退火
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3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究 被引量:20
2
作者 周立庆 刘铭 +3 位作者 巩锋 董瑞清 折伟林 常米 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期537-541,共5页
报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化... 报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化镉薄膜进行了表征,测试分析结果表明碲化镉薄膜的晶向得到了较好的控制,孪晶得到了抑制,且具有较好晶体结构质量和均匀性。 展开更多
关键词 碲化镉 硅基 分子束外延
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Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究 被引量:4
3
作者 折伟林 田璐 +3 位作者 晋舜国 许秀娟 沈宝玉 王文燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1351-1354,共4页
在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计... 在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。 展开更多
关键词 碲镉汞/碲化镉/硅 傅里叶变换红外光谱仪 扫描电子显微镜 分子束外延 液相外延
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The Effects of Fabrication Prameters and Electroforming Phenomenon on CdTe/Si (p) Heterojunction Photovoltaic Solar Cell
4
作者 Wagah F. Mohammad 《Circuits and Systems》 2012年第1期42-47,共6页
The In-doped CdTe/Si (p) heterostruture was fabricated and its electrical and photoelectrical properties were studied and interpreted. During the fabrication processes of CdTe/Si heterojunction, some practical trouble... The In-doped CdTe/Si (p) heterostruture was fabricated and its electrical and photoelectrical properties were studied and interpreted. During the fabrication processes of CdTe/Si heterojunction, some practical troubles were encountered. However, the important one was the formation of the SiO2 thin oxide layer on the soft surface of the Si during the formation of the back contact. The silicon wafer was subjected to different chemical treatments in order to remove the thin oxide layer from the silicon wafer surfaces. It was found that the heterojunction with Si (p+) substrate gave relatively high open circuit voltage comparing with that of Si (p) substrate. Also an electroforming phenomenon had been observed in this structure for the first time which may be considered as a memory effect. It was observed that there are two states of conduction, non-conducting state and conducting state. The normal case is the non-conducting state. As the forward applied voltage increased beyond threshold value, it switches into the conducting state and remains in this state even after the voltage drops to zero. 展开更多
关键词 cdte SOLAR CELLS cdte/si HETEROJUNCTION In-Doped cdte
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在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变 被引量:2
5
作者 王元樟 陈路 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期861-863,共3页
文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构... 文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。 展开更多
关键词 cdte/si 倒易点二维扫描图 剪切应变 正应变 分子束外延
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在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变
6
作者 王元樟 陈路 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期429-431,494,共4页
利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚... 利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角[γ1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且[γ1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si结构,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。 展开更多
关键词 cdte/si 倒易点二维扫描图 剪切应变 分子束外延
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在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变
7
作者 王元樟 陈路 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期729-733,共5页
本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一... 本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位。对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力。该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义。 展开更多
关键词 cdte/GaAs cdte/si 热应变 高分辨率多重晶多重反射X射线衍射 分子束外延
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分子束外延CdTe(211)B/Si复合衬底材料 被引量:7
8
作者 陈路 王元樟 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 乔怡敏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期245-249,共5页
报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTeIRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,... 报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTeIRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRDFWHM平均值为120arcsec,最好达到100arcsec,无(133)孪晶和其他多晶晶向. 展开更多
关键词 分子束外延 碲化镉 硅基
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偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究 被引量:1
9
作者 王丛 高达 +2 位作者 王经纬 强宇 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期876-879,共4页
晶面偏角是提高(211)Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬... 晶面偏角是提高(211)Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向。 展开更多
关键词 碲化镉 偏转角si衬底 分子束外延
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Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析 被引量:1
10
作者 徐庆庆 陈新强 +2 位作者 魏彦锋 杨建荣 陈路 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1078-1082,共5页
通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规(111)CdZnTe衬底HgCdT... 通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规(111)CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为(5~8)×10^5cm^-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70"左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用. 展开更多
关键词 si/cdte复合衬底 HGcdte 液相外延
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HWE生长大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜的结构和形貌分析
11
作者 杨爱明 吴长树 +1 位作者 杨宇 唐利斌 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期457-459,共3页
用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试 ,结果发现 :Si衬底表面结构粗糙 ,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致 ,... 用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试 ,结果发现 :Si衬底表面结构粗糙 ,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致 ,CdTe薄膜较CdZnTe缓冲层表面结构光滑细密 ,即缺陷较CdZnTe缓冲层少很多。通过对该片子照像看出其表面如镜面。 展开更多
关键词 热壁外延 大面积 硅衬底 碲镉薄膜 结构 表面形貌
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Si-PIN与CdTe探测器应用于X射线荧光能谱测量的研究 被引量:2
12
作者 胡传皓 曾国强 +5 位作者 葛良全 喻明福 魏世龙 张开琪 杨剑 陈川 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期262-266,共5页
半导体探测器具有优异的性能因而被广泛应用于能量色散X射线荧光测量,以传统型Si-PIN半导体探测器与复合型CdTe半导体探测器为研究对象,分别从材料属性、探测效率、能量分辨率等方面对两种探测器进行对比,重点分析探测器灵敏区厚度、入... 半导体探测器具有优异的性能因而被广泛应用于能量色散X射线荧光测量,以传统型Si-PIN半导体探测器与复合型CdTe半导体探测器为研究对象,分别从材料属性、探测效率、能量分辨率等方面对两种探测器进行对比,重点分析探测器灵敏区厚度、入射X射线能量、后级电路成型时间等因素对其性能的影响,并对由逃逸峰、空穴拖尾效应所导致的X射线荧光能谱的差异进行分析;同时,针对探测器空穴收集不完全的问题,基于FPGA设计了带有上升时间甄别功能的数字多道脉冲幅度分析器,能够有效消除空穴拖尾的影响,提高能量分辨率。从实验结果可知:对能量低于15keV的射线,Si-PIN与CdTe探测器的探测效率基本相当;对能量大于15keV的射线,CdTe探测器的的探测效率明显占优;Si-PIN探测器的最佳成形时间约为10μs,CdTe探测器的最佳成形时间约为2.6μs,因而CdTe探测器更适用于高计数率条件;对于不同能量的X射线,Si-PIN探测器的能量分辨率优于CdTe探测器;CdTe探测器具有明显的空穴拖尾效应,将CdTe探测器与带上升时间甄别功能的数字多道脉冲幅度分析器配合使用,其能量分辨率显著提高。 展开更多
关键词 si-PIN cdte 能量色散X射线荧光 能谱测量
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Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究 被引量:9
13
作者 王经纬 巩锋 +3 位作者 刘铭 强宇 常米 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1161-1164,共4页
报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下... 报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下半峰宽达到90.72 arcsec,原生片位错密度(EPD)小于1×107 cm-2;采用此材料成功制备出了高性能的中波Si基1280×1024碲镉汞探测器。 展开更多
关键词 硅基碲镉汞 分子束外延 工艺优化 RHEED cdte二次缓冲层
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晶体硅与薄膜太阳电池多维度对比分析
14
作者 任睦 梁小荣 +2 位作者 陈旺 方阳 徐天宇 《太阳能》 2024年第10期15-20,共6页
光伏发电作为中国可再生能源体系中不可或缺的一部分,对中国实现能源体系转型及“双碳”目标具有重要意义,不同的光伏发电技术使中国光伏产业发展方向变得更加多样化。从原材料储量及制备工艺、光电转换效率、成本、应用场景等方面对晶... 光伏发电作为中国可再生能源体系中不可或缺的一部分,对中国实现能源体系转型及“双碳”目标具有重要意义,不同的光伏发电技术使中国光伏产业发展方向变得更加多样化。从原材料储量及制备工艺、光电转换效率、成本、应用场景等方面对晶体硅和薄膜太阳电池进行对比,并对两种太阳电池的应用前景进行了分析与展望。分析发现:晶体硅太阳电池具有较高的光电转换效率及较低的单瓦建设成本;而薄膜太阳电池的技术成熟度仍需进一步提高,包括光电转换效率的提升与单瓦建设成本的下降。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 薄膜太阳电池 碲化镉 铜铟镓硒 光电建筑一体化 对比分析
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广州地区薄膜光伏并网电站性能研究 被引量:9
15
作者 陈菊芳 沈辉 +3 位作者 李军勇 杨灼坚 刘勇 梁学勤 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期45-48,共4页
对3个薄膜光伏并网电站(CdTe、CIGS、a-Si,以下简称电站)进行了描述,对2008年2月~2009年1月的数据进行了分析。根据设计,电站每3min采集一次数据。对一年中3个电站的年发电量、月发电量、太阳辐照、光伏阵列的功率、电站效率、电站的... 对3个薄膜光伏并网电站(CdTe、CIGS、a-Si,以下简称电站)进行了描述,对2008年2月~2009年1月的数据进行了分析。根据设计,电站每3min采集一次数据。对一年中3个电站的年发电量、月发电量、太阳辐照、光伏阵列的功率、电站效率、电站的功率损失进行了对比分析。对2008年3月21日(阴天)和24日(晴天)逆变器的工作状况进行了分析。结果表明:在2008年中,CdTe、CIGS、a-Si 3个电站每千瓦的发电量依次为994.74、954.42、936.07kWh。CdTe电站在2008年中发电量最多。通过对3个电站每个月发电量的分析发现温度对CIGS电站的发电量影响较大,适合在气温较低的地区使用。最后指出通过优化太阳电池的质量可以优化温度系数,也可以通过新颖的设计改善电站和太阳能组件(简称组件)的散热从而提高电站的效率。 展开更多
关键词 太阳能 光伏并网电站 CIGS cdte A-si
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薄膜太阳电池的最新进展 被引量:21
16
作者 王育伟 刘小峰 +2 位作者 陈婷婷 姜春萍 王瑞林 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期151-157,195,共8页
介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的地位,概述了包括多晶硅、非晶硅、CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)在内的薄膜太阳电池的发展状况。多晶硅,非晶硅太阳电池的生产技术成熟,商业化程度高,是目前太阳电池开发与应用的重点,随着技术和工艺水平... 介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的地位,概述了包括多晶硅、非晶硅、CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)在内的薄膜太阳电池的发展状况。多晶硅,非晶硅太阳电池的生产技术成熟,商业化程度高,是目前太阳电池开发与应用的重点,随着技术和工艺水平的提高,CdTe和CIGS等新型太阳电池商业化必将带来能源领域的新变革。文章同时还给出了这些太阳电池的未来研究方向。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 多晶硅 非晶硅 碲化镉 铜铟镓锡
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薄膜太阳电池研究进展和挑战 被引量:7
17
作者 张传军 褚君浩 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期2524-2531,共8页
近十几年来,由于一系列新材料、新结构和新工艺的引入,传统薄膜太阳电池技术,如非晶硅(a-Si)、碲化镉(Cd Te)、铜铟镓硒(CIGS)都得到显著的提高,一些新兴薄膜太阳电池技术,如金属卤化物钙钛矿(metalhalide perovskite,PSC)、铜锌硒硫(CZ... 近十几年来,由于一系列新材料、新结构和新工艺的引入,传统薄膜太阳电池技术,如非晶硅(a-Si)、碲化镉(Cd Te)、铜铟镓硒(CIGS)都得到显著的提高,一些新兴薄膜太阳电池技术,如金属卤化物钙钛矿(metalhalide perovskite,PSC)、铜锌硒硫(CZTS)、硒化锑(Sb_2Se_3)也得到快速发展。其中CdTe、CIGS、PSC薄膜太阳电池的转换效率都大于22%。CdTe、CIGS薄膜太阳电池的产业化和规模应用也取得了很大的进展。薄膜太阳电池技术经过这十几年的研究,厚积薄发,为今后的进一步发展打下了更加坚实的基础。文中选取a-Si、CdTe、CIGS、PSC薄膜太阳电池的主要技术进展、发展趋势、产业化现状和面临的挑战进行论述。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 光电转换 非晶硅 碲化镉 铜铟镓硒 金属卤化物钙钛矿
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薄膜太阳能电池研究进展 被引量:10
18
作者 孔继川 缪娟 《化工时刊》 CAS 2008年第7期60-64,共5页
薄膜太阳能电池是缓解能源危机的新型光伏器件。综述了硅基薄膜太阳能电池、CdTe薄膜太阳能电池、C IS(C IGS)薄膜太阳能电池、TiO2薄膜太阳能电池、ZnO薄膜太阳能电池和有机薄膜太阳能电池的研究现状,展望了太阳能电池的发展趋势。
关键词 薄膜太阳能电池 cdte CIS TIO2 ZNO 有机
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在硅衬底上研制大规格红外焦平面列阵 被引量:2
19
作者 顾聚兴 《红外》 CAS 2007年第5期40-46,共7页
第三代红外成像技术需要高性能的大规格红外焦平面列阵。HgCdTe红外焦平面列阵所呈现的性能可满足这种要求。基于硅的复合衬底已被证明是实现高分辨率HgCdTe列阵的首选衬底。复合衬底的工艺技术具有可量测性,目前使用的衬底尺寸已达6in... 第三代红外成像技术需要高性能的大规格红外焦平面列阵。HgCdTe红外焦平面列阵所呈现的性能可满足这种要求。基于硅的复合衬底已被证明是实现高分辨率HgCdTe列阵的首选衬底。复合衬底的工艺技术具有可量测性,目前使用的衬底尺寸已达6in,而且具有极好的组分均匀性。代表目前工艺水平的复合衬底所呈现的位错密度处于中低档范围,即10~5cm^(-2)。然而,在复合衬底上生长的HgCdTe外延层所呈现的缺陷密度为10~6cm^(-2)。最近在CdSeTe/Si复合衬底方面的研制工作表明,这种衬底很有希望与HgCdTe合金达到更好的晶格匹配。可以预见,若能进一步提高材料质量并改进器件结构,那么实现基于HgCdTe的可量测的工艺技术是完全可能的。 展开更多
关键词 CdSeTe cdte/si 长波红外 红外探测器 分子束外延 HGcdte
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薄膜太阳电池的研究进展及应用前景 被引量:22
20
作者 徐立珍 李彦 秦锋 《可再生能源》 CAS 2006年第3期9-12,共4页
阐述了非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池、锑化镉薄膜电池、铜铟镓硒薄膜太阳电池和染料敏化TiO2太阳电池的研究现状,简要介绍了我国薄膜太阳电池研究的进展,指出了太阳电池在我国的应用前景。
关键词 薄膜电池 非晶硅 多晶硅 锑化镉 铜铟镓硒 染料敏化
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