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热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响
1
作者 李阳 曹昆 介万奇 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第10期1705-1711,共7页
衬底的表面质量对生长膜层的质量有重要影响,衬底表面的粗糙度、均匀性、附着物残留及氧化层均是其表面质量的评价标准。本文报道了一种热处理方法,通过近距离升华设备原位去除GaSb(001)衬底上的氧化层后用于制备CdZnTe外延膜。通过控... 衬底的表面质量对生长膜层的质量有重要影响,衬底表面的粗糙度、均匀性、附着物残留及氧化层均是其表面质量的评价标准。本文报道了一种热处理方法,通过近距离升华设备原位去除GaSb(001)衬底上的氧化层后用于制备CdZnTe外延膜。通过控制热处理的温度和时间,获得洁净且平整的较优衬底状态。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱表征了热处理对GaSb衬底形貌和成分的影响,采用双晶X射线摇摆曲线对经过热处理后的GaSb衬底上生长的CdZnTe外延膜的结晶质量进行了评价。为了深入研究这种异质界面附近微观缺陷的性质和外延形成机制,还对CdZnTe/GaSb截面进行了TEM分析研究。GaSb衬底在600℃经过180 s热处理后,可以去除衬底表面大部分氧化物且相对平整,提高了CdZnTe外延膜的结晶质量,在双晶X射线摇摆曲线中的半峰全宽为94″,接近已报道的块体CdZnTe晶体的结晶质量。 展开更多
关键词 cdznte GASB 外延生长 薄膜 物理气相沉积 热处理 半导体
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CdZnTe衬底的退火改性技术研究
2
作者 范叶霞 周振奇 +4 位作者 刘江高 李振兴 侯晓敏 折伟林 王丛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期79-83,共5页
针对高性能碲镉汞红外探测器对碲锌镉(CdZnTe)衬底质量需求的不断提升,采用高温-真空退火方式,对碲锌镉衬底进行退火改性研究。结果发现:碲锌镉衬底的红外透过率得到明显地改善,在红外波段(2.5~25μm)均达到60%以上;晶片中的第二相夹杂... 针对高性能碲镉汞红外探测器对碲锌镉(CdZnTe)衬底质量需求的不断提升,采用高温-真空退火方式,对碲锌镉衬底进行退火改性研究。结果发现:碲锌镉衬底的红外透过率得到明显地改善,在红外波段(2.5~25μm)均达到60%以上;晶片中的第二相夹杂得到极大地改善,可实现无大于1μm的第二相夹杂,即可实现红外显微镜下夹杂不可见;Zn组分分布均匀性得到极大地改善,通过退火分压的调节,可实现衬底中Zn组分可调和Zn值的组分均匀分布,其中Zn组分可控制在0.044~0.051范围内,成分标准偏差可控制在0.001以下,衬底的组分可控和均匀分布为大面阵碲镉汞红外探测器的质量提升奠定了坚实的材料基础。 展开更多
关键词 碲锌镉(cdznte) 退火技术 性能改进 第二相夹杂 Zn组分
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电极对CdZnTe光电探测器性能的影响 被引量：1
3
作者 师好智 王林军 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期796-802,共7页
CdZnTe材料具有较宽的禁带宽度和化学稳定性,使其成为制备紫外光电探测器的理想材料.电极与CdZnTe材料之间良好的接触特性对制备高灵敏度和高稳定性的紫外探测器具有关键作用.制备了单电极Au/CdZnTe/Au探测器和复合电极Au/GaZnO(GZO)/Cd... CdZnTe材料具有较宽的禁带宽度和化学稳定性,使其成为制备紫外光电探测器的理想材料.电极与CdZnTe材料之间良好的接触特性对制备高灵敏度和高稳定性的紫外探测器具有关键作用.制备了单电极Au/CdZnTe/Au探测器和复合电极Au/GaZnO(GZO)/CdZnTe/GZO/Au探测器,研究了不同电极对CdZnTe紫外光电探测器性能的影响. 展开更多
关键词 cdznte 电极 光电探测器 紫外线探测器 接触特性
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双轴应变对单层CdZnTe电子特性和光学性能的影响
4
作者 聂凡 韩硕 曾冬梅 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第8期1394-1399,共6页
研究双轴应变对单层CdZnTe半导体材料电子特性与光学性能的影响,可为制备光学性能优异的CdZnTe器件提供理论支持。本文采用Material Studio软件构建单层CdZnTe模型,并在其(100)和(010)方向上施加应变。基于密度泛函理论的第一性原理模... 研究双轴应变对单层CdZnTe半导体材料电子特性与光学性能的影响,可为制备光学性能优异的CdZnTe器件提供理论支持。本文采用Material Studio软件构建单层CdZnTe模型,并在其(100)和(010)方向上施加应变。基于密度泛函理论的第一性原理模拟计算了单层双轴应变对单层CdZnTe带隙、载流子有效质量、迁移率和介电常数等性能的影响。结果表明,拉伸和压缩应变均能减小单层CdZnTe的带隙,且双轴应变可有效调控单层CdZnTe的载流子有效质量、迁移率和介电常数。与拉伸应变相比,相同大小的压缩应变对单层CdZnTe性能的调控更加明显。随施加双轴压缩应变的增大,单层CdZnTe的带隙值逐渐减小,CdZnTe半导体吸收光的波长范围得到提高,单层CdZnTe的载流子有效质量、迁移率总体呈下降趋势,介电常数实部逐渐下降,虚部逐渐上升,意味着单层CdZnTe的金属性增强,光学性能提高。 展开更多
关键词 cdznte 第一性原理 带隙 双轴应变 载流子有效质量 介电常数
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CdZnTe光电探测器的应用研究
5
作者 别佳 《电光系统》 2023年第3期57-63,共7页
CdZnTe(碲锌镉)是一种性能优异的三元化合物半导体材料,与制备成本高、尺寸受限的CdZnTe体单晶材料相比,CdZnTe薄膜具有生长周期短、工艺简单、可大面积制备的优势。文章开展了电极结构、薄膜厚度及退火处理对CdZnTe光电探测器性能的影... CdZnTe(碲锌镉)是一种性能优异的三元化合物半导体材料,与制备成本高、尺寸受限的CdZnTe体单晶材料相比,CdZnTe薄膜具有生长周期短、工艺简单、可大面积制备的优势。文章开展了电极结构、薄膜厚度及退火处理对CdZnTe光电探测器性能的影响研究。研究表明,相对于采用金(Au)电极的CdZnTe光电探测器,采用镓掺杂氧化锌(GZO)电极的CdZnTe光电探测器的灵敏度更高,响应时间更短;薄膜厚度的增加提高了CdZnTe光电探测器的灵敏度,但响应速度略有降低;退火处理提高了CdZnTe光电探测器的灵敏度,但响应速度降低,其将被广泛应用于太阳能电池、辐射探测器及医疗成像器件等领域,也可以实现光电探测功能的进一步提升。 展开更多
关键词 cdznte薄膜 光电探测器 电极结构 薄膜厚度 退火
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CdZnTe伽马射线探测器的能谱特性分析 被引量：3
6
作者 于晖 张蒙蒙 +3 位作者 杜园园 席守智 查钢强 介万奇 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第10期1883-1891,共9页
CdZnTe(CZT)探测器目前在国内外天体物理研究中占有重要的地位。本文采用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了CZT伽马射线探测器对伽马射线的能谱响应,研究了电子和空穴的输运特性、外加偏压、探测器厚度等因素对平面型探测器的能谱特性的影响规... CdZnTe(CZT)探测器目前在国内外天体物理研究中占有重要的地位。本文采用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了CZT伽马射线探测器对伽马射线的能谱响应,研究了电子和空穴的输运特性、外加偏压、探测器厚度等因素对平面型探测器的能谱特性的影响规律。结果表明,在电子收集效率较高时,能量分辨率明显受迁移率寿命积比值((μτ)_(e)/(μτ)_(h))的影响,比值越小,能量分辨率越好。增加工作电压可以提高载流子的收集效率和探测器的能量分辨率。在电子收集效率较高时,增大厚度可以弱化空穴信号贡献,提高能量分辨率。漂移程与晶体厚度之比(μτ)_(e)E/d可以用来估算平面型CZT探测器对低能射线的收集效率,并计算出其对应关系。 展开更多
关键词 辐射探测晶体 伽马射线探测器 cdznte探测器 GEANT4 cdznte晶体 能量分辨率 能谱
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CdZnTe探测器在便携式探测仪中的设计应用研究 被引量：10
7
作者 郝魁红 王化祥 +2 位作者 马敏 何永勃 郝贵和 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期95-98,共4页
通过分析CdZnTe半导体射线探测器性能,并考虑到电荷灵敏放大器噪声特性,本文设计了用于便携式探测器中的低噪声、小尺寸电荷灵敏放大器。常温下3mm×7mm×3mm的CdZnTe探测器与小尺寸电荷灵敏前置放大器探测系统对于59．5 keV的2... 通过分析CdZnTe半导体射线探测器性能,并考虑到电荷灵敏放大器噪声特性,本文设计了用于便携式探测器中的低噪声、小尺寸电荷灵敏放大器。常温下3mm×7mm×3mm的CdZnTe探测器与小尺寸电荷灵敏前置放大器探测系统对于59．5 keV的241 Amγ源,其能量分辨率可达4．38％。 展开更多
关键词 便携式 电荷灵敏放大器 cdznte 能量分辨率
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基于CdZnTe像素阵列探测技术的伽玛源成像 被引量：8
8
作者 黎淼 肖沙里 +4 位作者 张流强 曹玉琳 陈宇晓 沈敏 王玺 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2165-2170,共6页
根据高能射线针孔成像理论,采用CdZnTe像素阵列探测器建立了直接成像探测模式的伽玛源针孔探测系统。测试分析了CdZnTe像素阵列探测器的能量分辨力及峰值效率,讨论研究了针孔成像探测系统的调制传递函数和附加噪声特性,测试获得直径5mm1... 根据高能射线针孔成像理论,采用CdZnTe像素阵列探测器建立了直接成像探测模式的伽玛源针孔探测系统。测试分析了CdZnTe像素阵列探测器的能量分辨力及峰值效率,讨论研究了针孔成像探测系统的调制传递函数和附加噪声特性,测试获得直径5mm137Cs源的探测图像,采用Lucy-Richardson迭代算法得到了137Cs源的复原图像。实验结果表明:CdZnTe探测器对662keV137Cs源的能量分辨力为6.25%～7.50%,峰值效率65.0%～72.5%;成像系统探测图像存在一定扩散现象,所采用的Lucy-Richardson迭代复原算法能较好地修正图像扩散,提高探测图像中心区域细节分辨力;估算所得137Cs源尺寸误差约0.5mm,所建立的CdZnTe针孔成像探测系统能有效得到小尺寸伽玛源的辐照强度分布及尺寸信息。 展开更多
关键词 辐射成像探测 半导体探测器 cdznte 针孔成像 峰值效率
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籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体 被引量：10
9
作者 徐亚东 介万奇 +1 位作者 王涛 刘伟华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1180-1184,共5页
采用改进的垂直布里奇曼（MVB）法并引入籽晶生长技术，成功生长出直径60mm，单晶体积超过200cm^2的CdZeTe（CZT）晶锭。根据CZT晶片在近红外（NIR）波段的透过谱，由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量，进一步的拟合得出晶体生长过... 采用改进的垂直布里奇曼（MVB）法并引入籽晶生长技术，成功生长出直径60mm，单晶体积超过200cm^2的CdZeTe（CZT）晶锭。根据CZT晶片在近红外（NIR）波段的透过谱，由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量，进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1．30；分析了晶片在中红外波段内的红外透过率，发现波数在2000-4000cm^-1内透过率平直且较高，超过60％，而从2000cm^-1到500cm^-1随波数的减小透过率急速下降至零；由钝化后的Au／CZT晶片的I-V曲线，计算得到生长态C2T晶片的电阻率P达到1．8×10^9-2．6×10^10Ω·cm。 展开更多
关键词 cdznte 籽晶 垂直布里奇曼法 近红外光谱
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CdZnTe材料的表面钝化新工艺 被引量：4
10
作者 王昆黍 桑文斌 +4 位作者 闵嘉华 腾建勇 张奇 夏军 钱永彪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1475-1479,共5页
研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH KC... 研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH KCl和NH4F/H2O2两种工艺进行了比较.AES能谱分析表明,采用二步法工艺钝化,既可获得化学计量比较好的CZT表面,又可在表面形成一层起保护作用的氧化层.I V特性曲线显示,两步法钝化后CZT器件的漏电流与KOH KCl和NH4F/H2O2钝化相比都有一定程度的下降.说明文中提出的新工艺在CZT器件制备方面具有良好的应用前景. 展开更多
关键词 cdznte晶体 表面钝化 漏电流 KOH-KCl溶液 NH4F/H2O2溶液
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Cd气氛退火对CdZnTe晶片质量影响 被引量：6
11
作者 张鹏举 赵增林 +4 位作者 胡赞东 万锐敏 岳全龄 王晓薇 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2005年第5期379-383,共5页
在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相。采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量。实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除... 在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相。采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量。实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除大颗粒(>5μm)的Cd沉积相, 改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)和腐蚀坑密度(EPD)。在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能。 展开更多
关键词 cdznte 退火 Cd沉积相 红外透过率
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VB法生长CdZnTe晶体的放肩角度优化
12
作者 上官旻杰 袁文辉 +4 位作者 梁红昱 汪帅 饶吉磊 万佳琪 黄立 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1555-1561,共7页
基于有限元法构建了CdZnTe晶体生长模型,分析了不同放肩角度下固液界面的形态演变。模拟结果表明,放肩角度变化导致了放肩区域内温度梯度分布的变化,进而改变了该区段的固液界面形态。在60°/90°/120°/150°四种放肩... 基于有限元法构建了CdZnTe晶体生长模型,分析了不同放肩角度下固液界面的形态演变。模拟结果表明,放肩角度变化导致了放肩区域内温度梯度分布的变化,进而改变了该区段的固液界面形态。在60°/90°/120°/150°四种放肩角度中,120°能在放肩段得到最平坦的固液界面。随着生长进行,不同角度下固液界面的形态差异逐渐减小,在主体生长中所有界面形状趋于一致。根据模型参数进一步实施了CdZnTe晶体的生长实验,结果表明,在90°/120°/150°三种放肩角度中,120°放肩时晶锭头部的单晶率更高。 展开更多
关键词 碲锌镉晶体 垂直布里奇曼法 放肩角度 数值模拟 生长固液界面
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CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定 被引量：9
13
作者 查钢强 介万奇 +1 位作者 李强 刘永勤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期120-122,共3页
研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm。采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度。通过分... 研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm。采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度。通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm。 展开更多
关键词 cdznte 机械抛光 X射线摇摆曲线 表面损伤层
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平面型CdZnTe探测器电荷收集效率对能谱测量的影响 被引量：4
14
作者 李杨 罗文芸 +2 位作者 贾晓斌 张家磊 王林军 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期231-237,共7页
采用蒙特卡洛程序Geant4构建平面型CdZnTe探测器,模拟^(241)Am(59.5 keV)与^(137)Cs(662 keV)两种不同能量射线从阴极面垂直入射探测器.通过在Geant4中添加Hecht方程来计算探测器不同位置处的电荷收集效率.根据模拟输出的能谱,结合能量... 采用蒙特卡洛程序Geant4构建平面型CdZnTe探测器,模拟^(241)Am(59.5 keV)与^(137)Cs(662 keV)两种不同能量射线从阴极面垂直入射探测器.通过在Geant4中添加Hecht方程来计算探测器不同位置处的电荷收集效率.根据模拟输出的能谱,结合能量沉积分布、电子-空穴对分布及其相互作用类型,在考虑电荷收集效率的情况下,研究了探测器能谱测量的变化.结果发现,在考虑电荷收集效率后,能谱向低能部分偏移,偏移程度与最大电荷收集效率紧密相关. 展开更多
关键词 GEANT4 cdznte探测器 电子 空穴对 电荷收集效率 能谱
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钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响 被引量：4
15
作者 李万万 桑文斌 +3 位作者 闵嘉华 郁芳 张斌 王昆黍 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期312-315,共4页
表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能 ,尤其对于共面栅探测器 ,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响 ,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段 ... 表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能 ,尤其对于共面栅探测器 ,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响 ,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段 ,研究了CZT表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系 。 展开更多
关键词 cdznte晶体 Γ射线探测器 钝化处理 漏电流
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载流子输运性能对CdZnTe晶体脉冲X射线响应特性的影响 被引量：3
16
作者 徐亚东 王昌盛 +3 位作者 谷亚旭 郭榕榕 苏春磊 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期24078-24081,24086,共5页
采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线。分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2 ns,且不受外加偏压影响,而脉冲衰减过程可分为3阶段。利用α粒子... 采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线。分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2 ns,且不受外加偏压影响,而脉冲衰减过程可分为3阶段。利用α粒子结合飞行时间技术研究了CdZnTe晶体的载流子传输特性,分析了结构缺陷的散射和俘获-佉俘获对载流子传输特性的影响。同时对比了不同厚度的CdZnTe探测器在不同电压下对脉冲X射线的响应特性。结果表明,当外加电场强度增加时,诱导脉冲电流曲线的半峰宽呈指数衰减,但当探测器厚度大于0.2 mm时,随着探测器厚度的增加变化不明显。可能是由于材料中结构缺陷的浓度增加,对载流子的俘获和散射作用加剧,严重影响了载流子的传输过程和复合时间。 展开更多
关键词 cdznte 时间响应 脉冲X射线 载流子 俘获中心
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退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响 被引量：4
17
作者 何亦辉 介万奇 +4 位作者 周岩 刘惠敏 徐亚东 王涛 查钢强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期269-274,共6页
研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd／Zn和Te气氛退火后，其光电性能的变化规律。研究表明，在Cd／Zn气氛下退火180h后，CdznTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级，晶体的体电阻率由10^10Ω·cm减... 研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd／Zn和Te气氛退火后，其光电性能的变化规律。研究表明，在Cd／Zn气氛下退火180h后，CdznTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级，晶体的体电阻率由10^10Ω·cm减小至～10^7Ω·cm。同时发现，Cd／Zn源区的温度决定了退火后晶体在500～4000cm^-1范围内红外透过率曲线的平直状态，这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关，而与晶体中的载流子浓度和夹杂／沉淀相状态无关。在Te气氛下退火时，发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg（p）呈近似线性关系，同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化。 展开更多
关键词 cdznte晶体 红外透过率 Cd间隙 退火
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用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究 被引量：4
18
作者 陈军 闵嘉华 +3 位作者 梁小燕 张继军 王东 李辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1114-1118,共5页
采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数。研究表明,以... 采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数。研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜。采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低。 展开更多
关键词 cdznte晶体 真空镀碳 粗糙度 结合力 位错密度
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基于Monte-Carlo模拟和峰形拟合的CdZnTe探测器G(E)函数简便计算方法研究 被引量：5
19
作者 黄金峰 王莹 +2 位作者 熊文俊 骆志平 陈凌 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期165-169,共5页
提出了一种简便的CdZnTe探测器能谱-剂量转换函数(G(E)函数)的计算方法。峰形拟合函数被用于表征CdZnTe探测器对γ射线的低能拖尾,峰形拟合函数的参数通过实验测量获取,并通过拟合得到其随能量变化的关系。Monte-Carlo模拟计算得到的探... 提出了一种简便的CdZnTe探测器能谱-剂量转换函数(G(E)函数)的计算方法。峰形拟合函数被用于表征CdZnTe探测器对γ射线的低能拖尾,峰形拟合函数的参数通过实验测量获取,并通过拟合得到其随能量变化的关系。Monte-Carlo模拟计算得到的探测器理想沉积谱,经峰形拟合函数卷积得到了修正的模拟能谱,修正的模拟能谱与实际测量能谱吻合较好。基于修正的模拟能谱计算得到了CdZnTe探测器的G(E)函数。标准辐射场中的实验结果表明,用G(E)函数加权积分计算的周围剂量当量率与约定真值基本一致。 展开更多
关键词 cdznte探测器 G(E)函数 峰形拟合 MONTE-CARLO模拟
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HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制 被引量：6
20
作者 刘克岳 王金义 +2 位作者 张学仁 赵宏 张健平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期38-42,共5页
阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd... 阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd Zn Te衬底制备过程中 ,晶片处理的工艺和步骤 (晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀 ) ;报道了目前 Cd Zn Te晶体的性能水平、晶片处理结果和 Cd Zn Te的应用情况。 展开更多
关键词 cdznte 晶体半底 红外探测器
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