以Cr、Al、Cr3C2为原料,在700～1350℃温度范围内氩气环境下,采用无压烧结法合成Cr2AlC陶瓷粉体。研究了原料组成、烧结温度对合成Cr2AlC的影响。结果表明,原料摩尔比为1 Cr3C2/2.2Al/1Cr,温度1250℃时,样品中含有少量Cr7C3杂质,温度升...以Cr、Al、Cr3C2为原料,在700～1350℃温度范围内氩气环境下,采用无压烧结法合成Cr2AlC陶瓷粉体。研究了原料组成、烧结温度对合成Cr2AlC的影响。结果表明,原料摩尔比为1 Cr3C2/2.2Al/1Cr,温度1250℃时,样品中含有少量Cr7C3杂质,温度升高到1350℃时,获得高纯的Cr2AlC陶瓷。温度低于800℃时,Cr3C2和Al反应生成Cr2AlC和Al4C3。950℃时Cr2Al和C反应得到Cr2AlC。1350℃Cr2Al、Cr3C2和Al反应生成目标相Cr2AlC。用Kissinger方法和Owaza方法计算得到反应的表观活化能分别为362.24 k J/mol和389.01 k J/mol。展开更多
文摘以Cr、Al、Cr3C2为原料,在700～1350℃温度范围内氩气环境下,采用无压烧结法合成Cr2AlC陶瓷粉体。研究了原料组成、烧结温度对合成Cr2AlC的影响。结果表明,原料摩尔比为1 Cr3C2/2.2Al/1Cr,温度1250℃时,样品中含有少量Cr7C3杂质,温度升高到1350℃时,获得高纯的Cr2AlC陶瓷。温度低于800℃时,Cr3C2和Al反应生成Cr2AlC和Al4C3。950℃时Cr2Al和C反应得到Cr2AlC。1350℃Cr2Al、Cr3C2和Al反应生成目标相Cr2AlC。用Kissinger方法和Owaza方法计算得到反应的表观活化能分别为362.24 k J/mol和389.01 k J/mol。
