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先进封装铜-铜直接键合技术的研究进展
1
作者
张明辉
高丽茵
+2 位作者
刘志权
董伟
赵宁
《电子与封装》
2023年第3期52-62,共11页
在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电...
在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电迁移性能好,其工艺制备尺寸可减小到微米级且无坍塌现象。铜-铜(Cu-Cu)直接互连结构可以实现精密制备以及在高电流密度下服役。对Cu-Cu键合材料的选择、键合工艺的特点及服役可靠性的相关研究进展进行了总结。
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关键词
cu-cu直接键合
先进电子封装
表面处理
键
合
工艺
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职称材料
题名
先进封装铜-铜直接键合技术的研究进展
1
作者
张明辉
高丽茵
刘志权
董伟
赵宁
机构
大连理工大学材料科学与工程学院
中国科学院深圳先进技术研究院
深圳先进电子材料国际创新研究院
出处
《电子与封装》
2023年第3期52-62,共11页
基金
广东省基础与应用基础研究基金(2022A1515011485)。
文摘
在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电迁移性能好,其工艺制备尺寸可减小到微米级且无坍塌现象。铜-铜(Cu-Cu)直接互连结构可以实现精密制备以及在高电流密度下服役。对Cu-Cu键合材料的选择、键合工艺的特点及服役可靠性的相关研究进展进行了总结。
关键词
cu-cu直接键合
先进电子封装
表面处理
键
合
工艺
Keywords
cu-cu
direct bonding
advanced electronic packaging
surface finish
bonding process
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
先进封装铜-铜直接键合技术的研究进展
张明辉
高丽茵
刘志权
董伟
赵宁
《电子与封装》
2023
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