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ISSI推出首颗128M中低密度DDRDRAM
1
《集成电路应用》 2006年第1期15-16,共2页
Integrated Silicon Solution公司（ISSI）日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2．5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1．6Gbps。其应用包括各种需求量大的领域，如网络和通信设备、H... Integrated Silicon Solution公司（ISSI）日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2．5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1．6Gbps。其应用包括各种需求量大的领域，如网络和通信设备、HDTV、LCDTV、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。 展开更多
关键词 ddrdram Integrated SOLUTION Silicon RAM芯片 密度 工作电压 构成机制 传输速率 通信设备
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随机存储器技术及其产品的发展展望 被引量：1
2
作者 杨相生 《微型机与应用》 2002年第8期4-6,共3页
随着CPU主频超越千兆赫,存储器技术逐渐成为计算机内部体系结构性能的瓶颈。如果配置足够容量的高速存储器,较低主频的CPU的运行速度完全可以超过较高主频的CPU。本文对RAM技术及其常规产品进行了充分的研究和探讨,并将研究的注意力集... 随着CPU主频超越千兆赫,存储器技术逐渐成为计算机内部体系结构性能的瓶颈。如果配置足够容量的高速存储器,较低主频的CPU的运行速度完全可以超过较高主频的CPU。本文对RAM技术及其常规产品进行了充分的研究和探讨,并将研究的注意力集中在增加动态RAM的带宽技术上。 展开更多
关键词 随机存储器 产品 SDRAM ddrdram RDRAM 带宽技术 计算机
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内存架构谁主沉浮
3
作者 王寒晖 《计算机应用文摘》 2000年第9期26-27,共2页
关键词 内存架构 DRDRAM ddrdram VCMSDRAM
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BGA小型化封装技术DDR DRAM时代显异彩
4
作者 Roland Barth Johnny Gohata 《电子测试》 2003年第6期96-100,共5页
DRAM产业标准组织电子设备工程联合委员会定义了两种不同型态的DRAM包装,分别为薄型小尺寸封装(TSOP)以及球型栅数组(BGA)封装技术。其中TSOP由于拥有已经量产的优势以及较低的成本结构,因此长久以来就成为封装技术的当然选择,BGA过去... DRAM产业标准组织电子设备工程联合委员会定义了两种不同型态的DRAM包装,分别为薄型小尺寸封装(TSOP)以及球型栅数组(BGA)封装技术。其中TSOP由于拥有已经量产的优势以及较低的成本结构,因此长久以来就成为封装技术的当然选择,BGA过去则大部分使用在一些特定应用上,尤其是需要小型化的应用中,将BGA封装技术应用在标准型的DRAM上并非必要,因此基本上大多还是使用常见且较大包装尺寸的TSOP。不过接下来当DDR DRAM逐渐占据绝对的市场占有率时,我们应该重新检讨采用新封装标准所带来的成本效益与效率优点。 展开更多
关键词 BGA封装 球型栅数组 ddrdram CSP 芯片级封装 电路板面积 寄生阻抗
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英特尔新技术:存储器耗电至少降低25倍
5
《集成电路应用》 2014年第12期44-44,共1页
英特尔在台举办亚洲区创新高峰会，展示和工研院合作开发的新存储器技术，较现有DDRDRAM存储器更省电，耗电降低至少25倍，未来可望为移动运算装置延长电池使用时间。
关键词 存储器 新技术 英特尔 耗电 ddrdram 电池使用时间 合作开发 亚洲区
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照亮“DDR”的阿拉丁神灯
6
作者 大林 《计算机应用文摘》 2000年第9期25-25,共1页
关键词 微处理器 ddrdram 芯片组 主板
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