采用磁控溅射的方法制备了Si_3N_4/FePd/Si_3N_4三层膜,研究了非磁性材料Si_3N_4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si_3N_4分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si_3N_4/FePd...采用磁控溅射的方法制备了Si_3N_4/FePd/Si_3N_4三层膜,研究了非磁性材料Si_3N_4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si_3N_4分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si_3N_4/FePd/Si_3N_4薄膜的颗粒明显得到细化;通过添加Si_3N_4层,FePd薄膜的晶体学参数c/a从0.960减小到0.946,表明Si_3N_4可以有效促进FePd薄膜的有序化进程,同时提升了矫顽力和剩磁比,分别提高到249 k A/m、0.86;随着600℃退火时间的进一步延长,添加Si_3N_4的薄膜磁性没有迅速下降,在较宽的热处理时间范围内磁性能保持在比较高的水平,提高了抗热影响的能力。Si_3N_4作为插入层对FePd薄膜的磁性能具有较大的提升作用,这对磁记录薄膜的发展具有重要意义。展开更多
采用直流磁控溅射法制备Dyx(Fe47.5Pd52.5)100-x(x=0,2.2,3.2,4.4,5.6)薄膜,X射线衍射实验结果表明:添加稀土元素Dy可以大幅缩短从无序的fcc相转变为有序的fct相的退火时间和退火温度,增加相转变的驱动力;此外适当添加Dy元素还具有细化...采用直流磁控溅射法制备Dyx(Fe47.5Pd52.5)100-x(x=0,2.2,3.2,4.4,5.6)薄膜,X射线衍射实验结果表明:添加稀土元素Dy可以大幅缩短从无序的fcc相转变为有序的fct相的退火时间和退火温度,增加相转变的驱动力;此外适当添加Dy元素还具有细化晶粒的作用,晶粒尺寸可达到12~31 nm,适当的晶粒尺寸有利于晶粒之间的交换耦合作用。薄膜的磁滞回线表明:矫顽力Hc与剩磁比Mr/Ms随Dy含量的增加而先急剧增加后减小,当稀土含量x=3.2时,矫顽力的最大值为3.27 k Oe。随着退火温度的增加,矫顽力的变化也是先增加后下降,并且在Ta=550℃时达到最大。展开更多
基金National Key Basic Research Development Program of China("973" Program)(2014CB643703)National Natural Science Foundation of China(51261004,51461012)+1 种基金Natural Science Foundation of Guangxi(2013GXNSFBA019242)the Research Foundation of Guangxi Key Laboratory of Information Materials(131003-Z,131007-Z)
文摘采用磁控溅射的方法制备了Si_3N_4/FePd/Si_3N_4三层膜,研究了非磁性材料Si_3N_4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si_3N_4分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si_3N_4/FePd/Si_3N_4薄膜的颗粒明显得到细化;通过添加Si_3N_4层,FePd薄膜的晶体学参数c/a从0.960减小到0.946,表明Si_3N_4可以有效促进FePd薄膜的有序化进程,同时提升了矫顽力和剩磁比,分别提高到249 k A/m、0.86;随着600℃退火时间的进一步延长,添加Si_3N_4的薄膜磁性没有迅速下降,在较宽的热处理时间范围内磁性能保持在比较高的水平,提高了抗热影响的能力。Si_3N_4作为插入层对FePd薄膜的磁性能具有较大的提升作用,这对磁记录薄膜的发展具有重要意义。
文摘采用直流磁控溅射法制备Dyx(Fe47.5Pd52.5)100-x(x=0,2.2,3.2,4.4,5.6)薄膜,X射线衍射实验结果表明:添加稀土元素Dy可以大幅缩短从无序的fcc相转变为有序的fct相的退火时间和退火温度,增加相转变的驱动力;此外适当添加Dy元素还具有细化晶粒的作用,晶粒尺寸可达到12~31 nm,适当的晶粒尺寸有利于晶粒之间的交换耦合作用。薄膜的磁滞回线表明:矫顽力Hc与剩磁比Mr/Ms随Dy含量的增加而先急剧增加后减小,当稀土含量x=3.2时,矫顽力的最大值为3.27 k Oe。随着退火温度的增加,矫顽力的变化也是先增加后下降,并且在Ta=550℃时达到最大。
