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基于二次电子发射的FED中支撑结构的优化设计
1
作者
仲雪飞
Wilbert van der Poel
+1 位作者
Daniel den Engelsen
尹涵春
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期249-254,262,共7页
基于二次电子发射的场致发射显示器 (HOPFED)是一种新型的场致发射器件。其新颖之处在于其独特的支撑形状 ,这种结构的优点是充分提高了场致发射显示的性能 ,如对比度、色纯及像素内的发光均匀性 ,并减少了离子轰击发射源。在目前已有...
基于二次电子发射的场致发射显示器 (HOPFED)是一种新型的场致发射器件。其新颖之处在于其独特的支撑形状 ,这种结构的优点是充分提高了场致发射显示的性能 ,如对比度、色纯及像素内的发光均匀性 ,并减少了离子轰击发射源。在目前已有的结构中 ,环形的屏上光点不能使荧光粉得到充分的利用 ,而且光点尺寸较小 ,容易使荧光粉达到饱和。为了得到符合荧光粉要求的光点形状 ,本文提出了diabolo形状flu支撑、ZEUs形状hop支撑以及长flu支撑三种支撑形状 ,并采用数值计算的方法对这几种不同的支撑结构对屏上光点的影响进行了模拟计算。计算结果表明 ,对这三种不同的支撑形状进行优化以后都能得到符合荧光粉的要求的屏上光点。在现有的工艺条件下 ,长flu支撑是一种能改善光点和场强分布 ,而又易于制作的支撑结构。
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关键词
光点
FED
荧光粉
场致发射显示器
色纯
对比度
像素
二次电子
场强分布
发光
下载PDF
职称材料
题名
基于二次电子发射的FED中支撑结构的优化设计
1
作者
仲雪飞
Wilbert van der Poel
Daniel den Engelsen
尹涵春
机构
东南大学电子工程系
LG.Philips Displays
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期249-254,262,共7页
文摘
基于二次电子发射的场致发射显示器 (HOPFED)是一种新型的场致发射器件。其新颖之处在于其独特的支撑形状 ,这种结构的优点是充分提高了场致发射显示的性能 ,如对比度、色纯及像素内的发光均匀性 ,并减少了离子轰击发射源。在目前已有的结构中 ,环形的屏上光点不能使荧光粉得到充分的利用 ,而且光点尺寸较小 ,容易使荧光粉达到饱和。为了得到符合荧光粉要求的光点形状 ,本文提出了diabolo形状flu支撑、ZEUs形状hop支撑以及长flu支撑三种支撑形状 ,并采用数值计算的方法对这几种不同的支撑结构对屏上光点的影响进行了模拟计算。计算结果表明 ,对这三种不同的支撑形状进行优化以后都能得到符合荧光粉的要求的屏上光点。在现有的工艺条件下 ,长flu支撑是一种能改善光点和场强分布 ,而又易于制作的支撑结构。
关键词
光点
FED
荧光粉
场致发射显示器
色纯
对比度
像素
二次电子
场强分布
发光
Keywords
HOPFED,Hop
spacer
flu spacer
Spot profile
Diabolo shaped
flu spacer
ZEUs shaped hop
spacer
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN141.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于二次电子发射的FED中支撑结构的优化设计
仲雪飞
Wilbert van der Poel
Daniel den Engelsen
尹涵春
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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