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Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar
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作者 周明宝 崔铮 D.Prewett 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期64-69,81,共7页
报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术，研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，... 报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术，研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，采用Ｒｓ１／Ｄｉｓｃｏｖｅｒ软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率在１２０～１６０Ｗ范围，氩气和氟利昂流速分别在１５～３５ｓｃｍ和２０～５０ｓｃｃｍ范围，腔压在１００～１４０ｍＴｏｒ范围，相应的刻蚀速度为１５～２５ｎｍ／ｍｉｎ。 展开更多
关键词 石英 离子腐蚀 多层位相结构 混合气体.
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用CHF_3/Ar为工作气体刻蚀融石英 被引量：2
2
作者 周明宝 崔铮 Prewett D P 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1999年第2期67-72,共6页
报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术。研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，... 报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术。研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，采用Ｒｓ１／Ｄｉｓｃｏｖｅｒ软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率范围在１２０～１６０Ｗ，氩气和氟利昂流速分别在１５～３５ｓｃｃｍ（１ｃｍ３／ｍｉｎｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ／ｍｉｎｕｔｅ）和２０～５０ｓｃｃｍ范围，腔压在１３～１９Ｐａ范围，相应的刻蚀速度为１５～２５ｎｍ／ｍｉｎ。 展开更多
关键词 石英 反应离子刻蚀 氩气 氟利昂 衍射光学元件
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