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一种结合GAAC和K-means的维吾尔文文本聚类算法 被引量:5
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作者 吐尔地.托合提 艾海麦提江.阿布来提 +1 位作者 米也塞.艾尼玩 艾斯卡尔.艾木都拉 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2013年第7期149-155,共7页
介绍了K-means和GAAC聚类算法思想和两种特征提取方法对维吾尔文文本表示及聚类效率的影响。在较大规模文本语料库基础上,分别用K-means和GAAC的方法进行维吾尔文文本聚类实验及性能对比分析,针对经典K-means算法对初始聚类中心的过分... 介绍了K-means和GAAC聚类算法思想和两种特征提取方法对维吾尔文文本表示及聚类效率的影响。在较大规模文本语料库基础上,分别用K-means和GAAC的方法进行维吾尔文文本聚类实验及性能对比分析,针对经典K-means算法对初始聚类中心的过分依赖性及不稳定性缺点以及GAAC的高计算复杂性,提出了一种结合GACC和K-means的维吾尔文聚类算法。本算法分两步完成聚类操作,首先是GAAC模块从少量文本集中获取最优的初始类中心,然后是K-means模块对大量文本集进行快速聚类。实验结果表明,新算法在聚类准确率和时间复杂度上都有了显著的提高。 展开更多
关键词 维吾尔文 文本聚类 K—means gaac 结合算法
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A novel GAAC FinFET transistor:device analysis, 3D TCAD simulation, and fabrication
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作者 肖德元 王曦 +3 位作者 袁海江 俞跃辉 谢志峰 季明华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期11-15,共5页
We report the analysis and TCAD results of a gate-all-around cylindrical (GAAC) FinFET with operation based on channel accumulation. The cylindrical channel of the GAAC FinFET is essentially controlled by an infinit... We report the analysis and TCAD results of a gate-all-around cylindrical (GAAC) FinFET with operation based on channel accumulation. The cylindrical channel of the GAAC FinFET is essentially controlled by an infinite number of gates surrounding the cylinder-shaped channel. The symmetrical nature of the field in the channel leads to improved electrical characteristics, e.g. reduced leakage current and negligible corner effects. The Ion/Ioff ratio of the device can be larger than 106, as the key parameter for device operation. The GAAC FinFET operating in accumulation mode appears to be a good potential candidate for scaling down to sub-10 nm sizes. 展开更多
关键词 accumulation mode gaac FinFET device analysis TCAD simulation FABRICATION
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区域配电网全寿命周期成本优化研究 被引量:6
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作者 刘志伟 董力通 +3 位作者 谷志红 齐慧文 陈英华 葛艳琴 《技术经济》 CSSCI 北大核心 2020年第10期27-37,共11页
为了有效控制配电网运营成本和提高效益,针对新一轮电力体制改革的深入改革,区域配电网全寿命周期成本优化已成为一个重要研究方向。本文首先借助系统动力学模型分析了配电网复杂成本构成和筛选了影响成本的关键因子,并采用改进的蒙特... 为了有效控制配电网运营成本和提高效益,针对新一轮电力体制改革的深入改革,区域配电网全寿命周期成本优化已成为一个重要研究方向。本文首先借助系统动力学模型分析了配电网复杂成本构成和筛选了影响成本的关键因子,并采用改进的蒙特卡法对关键影响因子进行混合抽样,得出配电网各关键因子对区域配电网全寿命周期成本影响的综合灵敏度系数;其次,建立了以关键影响因子对配电网全寿命周期成本总影响量最小为目标的成本优化模型,以及提出了GAACS组合算法对模型进行求解;最后,选取了某省的10千伏配电网区域进行了实例分析,结果表明,经济条件对配电网成本影响最大,以及技术条件差的区域降低成本能力较大。 展开更多
关键词 配电网成本 改进蒙特卡洛法 灵敏性分析 gaacS组合算法
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基于遗传蚁群算法的片上网络映射研究 被引量:8
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作者 刘炎华 刘静 +1 位作者 赖宗声 景为平 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第22期262-264,共3页
基于2DMesh结构的片上网络在设计之初就要考虑模块映射问题,以满足通信功耗的约束。提出一种基于遗传蚁群映射算法的方法解决片上网络设计中通信功耗最小化问题。该算法针对标准蚁群算法易于出现早熟停滞等缺陷,引入轮盘赌选择机制及染... 基于2DMesh结构的片上网络在设计之初就要考虑模块映射问题,以满足通信功耗的约束。提出一种基于遗传蚁群映射算法的方法解决片上网络设计中通信功耗最小化问题。该算法针对标准蚁群算法易于出现早熟停滞等缺陷,引入轮盘赌选择机制及染色体杂交等手段,使映射功耗函数快速收敛,达到良好的全局寻优效果。 展开更多
关键词 片上网络 遗传蚁群映射算法 轮盘赌选择 染色体杂交
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胍乙酸壳聚糖的合成及其对黄瓜的保鲜研究 被引量:3
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作者 曾涵 赵淑贤 +1 位作者 张雷 王永疆 《天然产物研究与开发》 CAS CSCD 2011年第3期504-507,525,共5页
以自制的不同脱乙酰度的壳聚糖和1-氯胍乙酸为原料合成了胍乙酸壳聚糖,研究了胍乙酸壳聚糖对黄瓜的保鲜效果。结果表明,由脱乙酰度为96%的壳聚糖制得的胍乙酸壳聚糖平均分子量为5287。随着脱乙酰度的增加,黄瓜失重率的增加逐渐减缓,随... 以自制的不同脱乙酰度的壳聚糖和1-氯胍乙酸为原料合成了胍乙酸壳聚糖,研究了胍乙酸壳聚糖对黄瓜的保鲜效果。结果表明,由脱乙酰度为96%的壳聚糖制得的胍乙酸壳聚糖平均分子量为5287。随着脱乙酰度的增加,黄瓜失重率的增加逐渐减缓,随着贮存时间延长总叶绿素含量先升高然后缓慢下降,而维生素C含量则一直缓慢下降;脱乙酰度为96%的壳聚糖制得的胍乙酸壳聚糖贮存35 d后,黄瓜的质量损失为0.7%;贮存20 d后,总叶绿素含量仍然可达1.34 mg/g;贮存时间20 d后,维生素C含量可达0.18 mg/g。 展开更多
关键词 胍乙酸壳聚糖 黄瓜 涂膜 保鲜
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Ad Hoc网络中基于遗传蚁群算法的QoS多播路由算法 被引量:1
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作者 邬长安 邵罕 孙艳歌 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2008年第20期107-110,共4页
利用遗传算法的快速全局搜索能力和蚁群算法的正反馈收敛机制,把蚁群算法和遗传算法融合起来,提出了一种遗传蚁群算法(GAAC)来解决Ad Hoc网络中QoS路由问题。首先利用遗传算法生成信息素分布,然后用蚁群算法求精解,优势互补,期望获得优... 利用遗传算法的快速全局搜索能力和蚁群算法的正反馈收敛机制,把蚁群算法和遗传算法融合起来,提出了一种遗传蚁群算法(GAAC)来解决Ad Hoc网络中QoS路由问题。首先利用遗传算法生成信息素分布,然后用蚁群算法求精解,优势互补,期望获得优化性能和时间性能的双赢。并针对算法应用于Ad Hoc网络QoS路由普遍产生的拥塞问题,采用拥塞回避的策略,从而实现网络业务流负载均衡。仿真表明该算法比其它单一采用蚁群算法进行路由选择更适合于动态AdHoc网络环境。 展开更多
关键词 Ad HOC网络 QOS多播路由 遗传蚁群算法 拥塞回避
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一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管 被引量:3
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作者 肖德元 王曦 +8 位作者 俞跃辉 袁海江 程新红 陈静 甘甫烷 张苗 季明华 吴汉明 谢志峰 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第14期2051-2059,共9页
提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构.与目前其他报道的CMOS器件相比,NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向,且均有埋层氧化层将其与衬底隔离,器件结构简单、紧凑,集成度增加... 提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构.与目前其他报道的CMOS器件相比,NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向,且均有埋层氧化层将其与衬底隔离,器件结构简单、紧凑,集成度增加了一倍.报道了积累型圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,由于克服了不对称场的积聚,如锐角效应导致的漏电,器件沟道的电完整性得到很大改善.SOI圆柱体全包围栅场效应晶体管在积累工作模式下,电流流过整个圆柱体,具备高载流子迁移率,低低频器件噪声,并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应,增大了器件的阈值电压.亚10nm尺寸下,器件的开/关态电流比值大于106,表明器件具备良好的性能及进一步按比例缩小的能力.另外还简单介绍了器件制作工艺流程,提出的工艺流程具备简单且与常规CMOS工艺流程兼容的特点. 展开更多
关键词 亚10nm器件 混合晶向 无PN结 圆柱体共包围栅 互补金属氧化物 场效应晶体管 器件分析 器件仿真 器件工艺
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