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基于接触电阻的GFET高频等效噪声表征与建模
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作者 李睿 王军 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期127-135,共9页
本文提出了一种石墨烯场效应晶体管(Graphene Field Effect Transistors,GFET)的小信号等效电路模型,该模型考虑了金属-石墨烯界面的内部物理传输现象,即漏极与源极的接触电阻.提出了一种将接触电阻从等效电路中本征和寄生部分分离的方... 本文提出了一种石墨烯场效应晶体管(Graphene Field Effect Transistors,GFET)的小信号等效电路模型,该模型考虑了金属-石墨烯界面的内部物理传输现象,即漏极与源极的接触电阻.提出了一种将接触电阻从等效电路中本征和寄生部分分离的方法,接触电阻有效且准确的分离能够模拟其对该器件截止频率fT和最大振荡频率fmax的影响.基于所建立的小信号等效电路,提出了GFET的高频等效噪声电路模型.噪声模型包括散粒噪声、热通道噪声和热噪声,基于这些噪声模型,在500 MHz~30 GHz的频率范围内通过噪声去嵌提取出本征噪声相关矩阵,利用其中的最小噪声系数(NFmin)得到接触电阻以及不同噪声源对高频噪声的影响.最终通过模拟数据与实测数据的验证分析,所提模型能够有效且准确的表征该器件的小信号特性以及高频噪声特性,并且接触电阻的影响不可忽略. 展开更多
关键词 gfet 接触电阻 小信号模型 噪声模型 S参数 噪声参数
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腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响
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作者 蒋月 彭冬生 +2 位作者 陈祖军 张茂贤 彭争春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期305-309,320,共6页
对比分析了过硫酸铵(APS)与三氯化铁(FeCl3)两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上... 对比分析了过硫酸铵(APS)与三氯化铁(FeCl3)两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上的石墨烯样品蒸镀100 nm厚的金的源漏电极后分别制成了石墨烯场效应晶体管(GFET),并在室温下对其进行了电学性能测试。测试结果表明,相对于FeCl3腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成的器件,采用APS腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成器件的狄拉克点从75 V左右降低到了0 V左右,载流子迁移率从823 cm^2/(V·s)提升到了1 324 cm^2/(V·s)。因此,采用APS腐蚀溶液转移石墨烯引入杂质更少,制备的器件性能更优越。 展开更多
关键词 石墨烯 腐蚀溶液 石墨烯场效应晶体管(gfet) 电学性能 狄拉克点
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固态微波电子学的新进展 被引量:4
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作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-14,47,共15页
固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达... 固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹。目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局。综述了具有代表性的11类固态器件(RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET)近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位。最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术。 展开更多
关键词 固态微波电子学 RF CMOS SiGe BIMOS RF LDMOS RF MEMS GAAS PHEMT GAAS MHEMT INP HEMT INP HBT GaN/SiC HEMT gfet 金刚石FET 射频微系统 3D异构集成
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石墨烯基场效应晶体管技术的发展及相关专利分析 被引量:1
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作者 朱丹丹 张燕楠 +1 位作者 王建霞 孙健 《河南科技》 2019年第36期60-64,共5页
石墨烯基场效应晶体管(GFET)技术是实现基于石墨烯的高频器件、存储器、传感器以及集成电路的基本器件结构,其在半导体电子器件领域具有广泛的应用前景。本文从专利申请的角度对GFET的发展进行了统计分析,介绍了GFET技术的国内外专利申... 石墨烯基场效应晶体管(GFET)技术是实现基于石墨烯的高频器件、存储器、传感器以及集成电路的基本器件结构,其在半导体电子器件领域具有广泛的应用前景。本文从专利申请的角度对GFET的发展进行了统计分析,介绍了GFET技术的国内外专利申请情况、主要技术分布和重要申请人分布,并对GFET的研究现状进行了梳理。 展开更多
关键词 石墨烯 gfet 专利分析
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石墨烯场效应管的Verilog-A建模
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作者 邓雄彰 常胜 +2 位作者 王高峰 黄启俊 王豪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第8期493-497,533,共6页
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应管作为一种新型纳米器件受到了广泛关注。以漂移-扩散传输理论为基础,得到了石墨烯场效应管的漏电流解析表达式,并以此建立了适合电路设计的石墨烯场效应管Verilog-A模型。利用该... 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应管作为一种新型纳米器件受到了广泛关注。以漂移-扩散传输理论为基础,得到了石墨烯场效应管的漏电流解析表达式,并以此建立了适合电路设计的石墨烯场效应管Verilog-A模型。利用该模型对栅长为10μm、沟道宽度为5μm的石墨烯场效应管进行HSPICE仿真,仿真结果与实验所测数据相符。在此基础上,给出了基于石墨烯场效应管的共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路三种基本电路组态的仿真结果,表明石墨烯场效应管应用于模拟及RF电路具有广阔的前景。 展开更多
关键词 石墨烯场效应管(gfet) 纳米器件 漂移-扩散理论 Verilog—A HSPICE
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新型自对准石墨烯场效应晶体管制备工艺
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作者 邓建国 杨勇 +5 位作者 马中发 韩东 吴勇 张鹏 张策 肖郑操 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期525-529,共5页
提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容。利用该工艺制备的自对准栅GFET器件可以消除传统GFET器件制备过程中存在的栅极与漏极和源极覆盖区的寄生... 提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容。利用该工艺制备的自对准栅GFET器件可以消除传统GFET器件制备过程中存在的栅极与漏极和源极覆盖区的寄生电容或栅极与源极和漏极暴露区的寄生电阻,使器件直流特性得到了很大改善。对制作的样品进行直流I-V特性测试时,清楚地观测到了双极型导电特性。制作的沟道长度为1μm的自对准GFET器件样品最大跨导gm为2.4μS/μm,提取的电子与空穴的本征场效应迁移率μeeff和μheff分别为6 924和7 035 cm2/(V·s),顶栅电压VTG为±30 V时,器件的开关电流比Ion/Ioff约为50,远大于目前已报道的最大GFET开关电流比。 展开更多
关键词 石墨烯 石墨烯场效应晶体管(gfet) 自对准 集成电路(IC)
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固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展 被引量:12
7
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期897-904,共8页
固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的"能带工程"(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着... 固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的"能带工程"(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的进展。描述了固态微波、毫米波和太赫兹器件与电路当前发展的新亮点,包括纳米加工技术、石墨烯新材料、GaN MMIC功率合成突破3 mm频段百瓦级、三端器件进入太赫兹和两端器件倍频链突破2.7 THz微瓦功率。并重点就当前发展的RF CMOS,SiGe HBT,LDMOS,GaAsPHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN HEMT,GFET和THz倍频链等10个领域的发展特点、2011年最新发展以及未来发展趋势进行介绍。 展开更多
关键词 固态微波 毫米波 太赫兹 RF CMOS 高电子迁移率晶体管 栅控式场发射三 极管
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源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究 被引量:1
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作者 曾荣周 李平 +1 位作者 廖永波 张庆伟 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第2期118-121,共4页
石墨烯场效应管(GFET)在栅极和源/漏电极之间存在的不对称的未被栅极覆盖的区域,会引起栅、源和栅、漏电极之间的串联电阻不相等,这将对GFET的性能会产生影响.首次测试了源漏不对称GFET在互换源、漏电极的情况下的输出特性、转移特性和... 石墨烯场效应管(GFET)在栅极和源/漏电极之间存在的不对称的未被栅极覆盖的区域,会引起栅、源和栅、漏电极之间的串联电阻不相等,这将对GFET的性能会产生影响.首次测试了源漏不对称GFET在互换源、漏电极的情况下的输出特性、转移特性和跨导,并采用带源极负反馈电阻的共源极电路模型和石墨烯沟道总电阻计算公式,分析了源漏不对称对器件特性的影响机理.为研制GFET及其他的纳米结构材料晶体管提供了有益的参考. 展开更多
关键词 石墨烯场效应管 源漏不对称 un-gated区域 串联电阻
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Novel Graphene Biosensor Based on the Functionalization of Multifunctional Nano-bovine Serum Albumin for the Highly Sensitive Detection of Cancer Biomarkers 被引量:2
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作者 Lin Zhou Kun Wang +5 位作者 Hao Sun Simin Zhao Xianfeng Chen Dahong Qian Hongju Mao Jianlong Zhao 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第2期24-36,共13页
A simple,convenient,and highly sensitive bio-interface for graphene field-effect transistors(GFETs) based on multifunctional nano-denatured bovine serum albumin(nano-dBSA) functionalization was developed to target can... A simple,convenient,and highly sensitive bio-interface for graphene field-effect transistors(GFETs) based on multifunctional nano-denatured bovine serum albumin(nano-dBSA) functionalization was developed to target cancer bio-markers.The novel graphene–protein bioelectronic interface was constructed by heating to denature native BSA on the graphene substrate surface.The formed nano-d BSA film served as the cross-linker to immobilize monoclonal antibody against car-cinoembryonic antigen(anti-CEA mAb) on the graphene channel activated by EDC and Sulfo-NHS.The nano-dBSA film worked as a self-protecting layer of graphene to prevent surface contamination by lithographic processing.The improved GFETbiosensor exhibited good specificity and high sensitivity toward the target at an ultralow concentration of 337.58 fg mL-1.The electrical detection of the binding of CEA followed the Hill model for ligand–receptor interaction,indicating the negative binding cooperativity between CEA and anti-CEA mAb with a dissociation constant of 6.82×10-10M.The multifunctional nano-dBSA functionalization can confer a new function to graphene-like 2D nanomaterials and provide a promising bio-functionalization method for clinical application in biosensing,nanomedicine,and drug delivery. 展开更多
关键词 Bio-interface Multifunctional denatured BSA gfet biosensor Cancer biomarker
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石墨烯场效应晶体管研究进展 被引量:3
10
作者 吕晓丽 肖荣林 +5 位作者 李克伦 苏艳敏 吴浩波 王文婧 马卫平 张文发 《陕西煤炭》 2020年第S01期138-142,共5页
石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该... 石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该提高GFET的最大振荡频率(f max)使之与截至频率(f T)相符;数字电路主要应该采取有效方法打开石墨烯带隙、提高开关比,并介绍了通过构建石墨烯纳米带、双层石墨烯、掺杂法及通过基底影响等来打开带隙的方法。与数字电路相比,GFET在模拟电路中更具有应用潜力,如在太赫兹领域已表现出优异的性能。石墨烯和硅互为补充,以混合电路的形式加以应用也是一个很好的切入点。 展开更多
关键词 石墨烯场效应晶体管(gfet) 模拟电路 数字电路 带隙调控
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Double-balanced mixer based on monolayer graphene fieldeffect transistors
11
作者 Min Wu Weida Hong +3 位作者 Guanyu Liu Jiejun Zhang Ziao Tian Miao Zhang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2022年第5期79-83,共5页
Graphene field-effect transistors(GFET) have attracted much attention in the radio frequency(RF) and microwave fields because of its extremely high carrier mobility. In this paper, a GFET with a gate length of 5 μm i... Graphene field-effect transistors(GFET) have attracted much attention in the radio frequency(RF) and microwave fields because of its extremely high carrier mobility. In this paper, a GFET with a gate length of 5 μm is fabricated through the van der Walls(vdW) transfer process, and then the existing large-signal GFET model is described, and the model is implemented in Verilog-A for analysis in RF and microwave circuits. Next a double-balanced mixer based on four GFETs is designed and analyzed in advanced design system(ADS) tools. Finally, the simulation results show that with the input of 300 and 280 MHz,the IIP3 of the mixed signal is 24.5 dBm. 展开更多
关键词 gfet MIXER RF SIMULATION IIP3
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自组装膜-石墨烯界面修饰及其在电子传递领域中的研究与应用
12
作者 左国防 李志锋 +1 位作者 杨建东 王宇晶 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期242-247,共6页
本研究将兼具自组装膜和石墨烯两者优点的复合材料作用于基底,讨论了具有特殊电化学性能的自组装膜-石墨烯电化学界面信号检测系统。同时,通过对自组装膜-石墨烯构建的以石墨烯为基础的FET(GFETs)结构特性的分析,发现以自组装膜功能化... 本研究将兼具自组装膜和石墨烯两者优点的复合材料作用于基底,讨论了具有特殊电化学性能的自组装膜-石墨烯电化学界面信号检测系统。同时,通过对自组装膜-石墨烯构建的以石墨烯为基础的FET(GFETs)结构特性的分析,发现以自组装膜功能化的石墨烯可以提供有效的方式调控其性质,减少界面的不纯散射及滞后的场效应行为。文章还探讨了自组装膜-石墨烯在染料敏化太阳能电池及p-n结领域中的研究与应用,对有机分子自组装膜-石墨烯复合材料在控制界面电子性质的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 自组装膜 石墨烯 修饰电极 电子传递 gfets
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