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第一性原理对GanNn(n=2～5)小团簇的结构及电子性质的研究 被引量：7
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作者 葛桂贤 雷雪玲 +4 位作者 闫玉丽 杨致 赵文杰 王清林 罗有华 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期143-148,共6页
利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G^＊的水平上对GanNn（n=2～5）团簇的结构进行优化，得到了GanNn（n=2～5）团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析．结果表明，团簇的最稳定结构为平面结构，且存在... 利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G^＊的水平上对GanNn（n=2～5）团簇的结构进行优化，得到了GanNn（n=2～5）团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析．结果表明，团簇的最稳定结构为平面结构，且存在着N2和N3单元，说明N—N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用；能隙间隔为1．776～3．563eV，表明GanNn（n=2～5）团簇已具有了半导体的性质． 展开更多
关键词 gannn团簇 最低能量结构 电子性质
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