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硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 被引量:3
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作者 刘波 宋志棠 +2 位作者 封松林 Chen Bomy 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期158-160,共3页
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂... 采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围. 展开更多
关键词 ge2Sb2Te5 硅离子注入掺杂 方块电阻
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Gd5Si2Ge2巨磁熵变合金的粒度效应研究
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作者 牛培利 曾宏 +1 位作者 岳明 张久兴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期626-629,共4页
GdSiGe系合金的发现为磁致冷的常温范围实用化发展提供了可能,但目前其成型方面还有一定的问题.根据合金成型特点,本文研究了磁制冷材料Gd5Si2Ge2合金的颗粒尺寸对其磁热效应的影响,从而为磁制冷材料的加工成型和粒度范围提供了实验依据... GdSiGe系合金的发现为磁致冷的常温范围实用化发展提供了可能,但目前其成型方面还有一定的问题.根据合金成型特点,本文研究了磁制冷材料Gd5Si2Ge2合金的颗粒尺寸对其磁热效应的影响,从而为磁制冷材料的加工成型和粒度范围提供了实验依据.结果表明,Gd5Si2Ge2合金的磁热效应在微米级随着粒度的增大而减小. 展开更多
关键词 磁热效应 Gd5Si2ge2合金 粒度效应
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Ge2Sb2Te5相变薄膜的结构及结晶温度研究
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作者 刘巧丽 刘军伟 +2 位作者 孟繁强 王璐 李廷取 《吉林化工学院学报》 CAS 2016年第9期41-44,共4页
利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.(原位)XRD测试表明,室温下沉积的GST薄膜为非晶态,且在室温-375℃温度范围内,样品经历了非晶态→立方晶态→六方晶态相转... 利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.(原位)XRD测试表明,室温下沉积的GST薄膜为非晶态,且在室温-375℃温度范围内,样品经历了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;通过原位XRD和DSC测试确定的GST薄膜的结晶温度一致,为-150℃. 展开更多
关键词 相变材料 ge2Sb2Te5 结构 DSC 结晶温度
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B元素的添加对Gd5.1Si2Ge2合金磁热性能的影响 被引量:3
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作者 张岸 侯雪玲 +5 位作者 张鹏 胡星浩 徐晖 倪健森 周邦新 赵彤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1597-1600,共4页
研究了B元素的添加对Gd5.1Si2Ge2合金的晶体结构和磁热效应的影响。XRD表明:对于Gd5.1Si2Ge2-xBx系列合金,少量的B(x=0.01)替代Ge的样品具有单斜Gd5Si2Ge2结构。随着B含量的增加,合金中开始出现正交结构的Gd5Si4相,居里温度也从285K(x=0... 研究了B元素的添加对Gd5.1Si2Ge2合金的晶体结构和磁热效应的影响。XRD表明:对于Gd5.1Si2Ge2-xBx系列合金,少量的B(x=0.01)替代Ge的样品具有单斜Gd5Si2Ge2结构。随着B含量的增加,合金中开始出现正交结构的Gd5Si4相,居里温度也从285K(x=0.01)提高到303K(x=0.15),增加幅度为18K;相应地绝热温变从2.4K下降到2K(1.2T),仍然保持着较大的绝热温变。对于Gd5.1Si2-yGe2By系列合金,少量的B替代Si的样品具有Gd5Si2Ge2型的单斜结构。随着B含量的增加,合金中出现了低温反铁磁性Gd5Ge3相,居里温度和绝热温变呈现下降趋势。 展开更多
关键词 室温磁制冷 Gd5.1Si2ge2合金 B合金化 晶体结构 绝热温变 磁热效应
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制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响 被引量:2
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作者 夏吉林 刘波 +1 位作者 宋志棠 封松林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期155-157,共3页
研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明... 研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低. 展开更多
关键词 ge2Sb2Te5 电学性能 制备条件 相变
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Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光
6
作者 刘奇斌 张楷亮 +2 位作者 王良咏 宋志棠 封松林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期161-164,共4页
从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛... 从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析.结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构. 展开更多
关键词 ge2Sb2Te5 相变存储器 化学机械抛光 电化学
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In2Ge2O7薄膜制备及其紫外光敏特性研究
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作者 冯琳 褚夫同 +2 位作者 唐永旭 李瑶 刘兴钊 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期204-206,共3页
以In2O3和GeO2为原料,采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜,利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属-半导体-金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量,结果显示:在波长为250nm的紫外光照射下,在5V偏... 以In2O3和GeO2为原料,采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜,利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属-半导体-金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量,结果显示:在波长为250nm的紫外光照射下,在5V偏压下,器件的光电流为727μA(暗电流为12μA),光响应度达到262.9A.W-1,光响应上升时间约为67s,下降时间约为15s。分析认为较长的响应时间是由于内部的缺陷与位错造成的。初步研究结果表明:In2Ge2O7薄膜可以作为一种良好的日盲紫外探测材料。 展开更多
关键词 In2ge2O7薄膜 碳还原法 紫外探测器
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层状热电材料SrAl2Ge2的制备与性质研究
8
作者 史晓曼 陈龙庆 +3 位作者 何欢 孙奕翔 曾珠 唐军 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期939-943,共5页
以Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ族元素为主的笼状物热电材料研究近年来发展迅速,尤其是在优值系数ZT值上取得了重大突破,而从Sr-Al-Ge笼状物体系中获得的层状结构热电材料却鲜有人关注.本研究利用铝元素作为助溶剂,在1150℃下成功合成了层状SrAl_2Ge_2单... 以Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ族元素为主的笼状物热电材料研究近年来发展迅速,尤其是在优值系数ZT值上取得了重大突破,而从Sr-Al-Ge笼状物体系中获得的层状结构热电材料却鲜有人关注.本研究利用铝元素作为助溶剂,在1150℃下成功合成了层状SrAl_2Ge_2单晶.采用X射线衍射仪对样品粉末进行表征,通过Rietveld精修证明该晶体具有CaAl_2Si_2结构(空间群为P3-m1,晶胞参数a=b=4.2339(1)?,c=7.4809(0)?).变温电阻率测试发现单晶样品沿c轴方向具有p型半导体行为,此外其在2~300K低温下的比热(C_p)数据符合德拜模型.本研究结果对于开发新型无毒、高性能热电材料具有一定参考价值. 展开更多
关键词 热电材料 SrAl2ge2单晶 变温电阻率 比热
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相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用(续)
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作者 杨冲 韩伟华 +3 位作者 陈俊东 张晓迪 郭仰岩 杨富华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第6期421-429,共9页
3相变材料GST的介电性质及其应用GST的介电性质主要体现在其对光的调控作用,在GST相变过程中伴随的折射率变化可以使其应用于光学存储。不仅是多媒体光盘,GST材料与波导材料结合还可以形成非易失性的光子存储单元。3.1相变材料GST介电... 3相变材料GST的介电性质及其应用GST的介电性质主要体现在其对光的调控作用,在GST相变过程中伴随的折射率变化可以使其应用于光学存储。不仅是多媒体光盘,GST材料与波导材料结合还可以形成非易失性的光子存储单元。3.1相变材料GST介电性质的机理以正、负电荷中心不重合的电极化方式来传递或记录(存储)电场的作用和影响是材料介电性质的体现。对于应用于光学存储的GST来说,其相变过程中的性质状态,尤其是介电性质会对存储性能产生重要的影响。 展开更多
关键词 光学存储 ge2Sb2Te5 多媒体光盘 存储单元 非易失性 介电性质 存储性能 数据存储
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Magneto-Caloric Effect of Gd5Si2Ge2Compounds under Different Processing Conditions
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作者 Zeng Hong Yue Ming +1 位作者 Niu Peili Zhang Jiuxing 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第z1期76-78,共3页
The magneto-caloric effect of Gd5 Si2Ge2 compounds produced by various techniques is investigated in terms of their magnetization behaviors in the magnetic field from 0 to 2.0 T.The studied materials include arc-melte... The magneto-caloric effect of Gd5 Si2Ge2 compounds produced by various techniques is investigated in terms of their magnetization behaviors in the magnetic field from 0 to 2.0 T.The studied materials include arc-melted, annealed and sintered alloys.The results demonstrate that the Gd5Si2Ge2 alloys obtained under different processing conditions possess distinct magneto-caloric effect due to their various microstructures.Proper annealing treatment can enhance the magneto-caloric effect of the alloy remarkably.While the sintered alloy bears relatively lower value of magnetic entropy change ( △ SM) than arc-melted one.The magnetic entropy change of the annealed Gd5 Si2Ge2 alloy arrives the arrives the maximum value of - △SM = 15.29 J· kg-1· K-1 for magnetic field change under 2.0 T in the present work. 展开更多
关键词 magneto-caloric effect processing conditions Gd5Si2ge2 magnetic entropy change
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GE2-52C电脑横编织机开发有跟弹力袜方法探讨
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作者 王新泉 董瑞兰 +1 位作者 丁慧 乔建成 《浙江纺织服装职业技术学院学报》 2020年第2期1-5,共5页
利用慈星GE2-52C电脑横编织机的特点,分析圆筒组织的编织方法,探讨线圈结构图和编织意匠图的绘制,详细叙述了在慈星GE2-52C电脑横编织机上编织有跟弹力袜的工艺方法,实现了一种机型编织多种产品的创新和产品延伸。其为加工弹力袜产品的... 利用慈星GE2-52C电脑横编织机的特点,分析圆筒组织的编织方法,探讨线圈结构图和编织意匠图的绘制,详细叙述了在慈星GE2-52C电脑横编织机上编织有跟弹力袜的工艺方法,实现了一种机型编织多种产品的创新和产品延伸。其为加工弹力袜产品的生产提供了新的生产方法,并为横编织机织造企业及设计师开发新产品提供了理论和实践依据。 展开更多
关键词 ge2-52C型电脑横机 有跟弹力袜 编织原理 工艺设计方法
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四川大学利用低纯钆制得巨磁熵变Gd5Si2Ge2合金
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作者 郭智臣 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2005年第3期25-25,共1页
最近,四川大学材料科学与工程学院的研究人员采用质量分数99%的低纯度普通商业Gd为原料,制备出具有巨磁熵变的Gd5Si2Ge2磁致冷合金,该材料居里温度268K,5T磁场变化下的最大磁熵变为17.6J/kg.K,达到了美国Ames国家实验室1997年... 最近,四川大学材料科学与工程学院的研究人员采用质量分数99%的低纯度普通商业Gd为原料,制备出具有巨磁熵变的Gd5Si2Ge2磁致冷合金,该材料居里温度268K,5T磁场变化下的最大磁熵变为17.6J/kg.K,达到了美国Ames国家实验室1997年在Phys.Rev.Lett上报道的水平,文中报道用质量分数99.99%的高纯Gd制备Gd5Si2Ge2合金的磁熵变为18.5J/kg·K。 展开更多
关键词 Gd5Si2ge2合金 四川大学 磁熵变 质量分数 1997年 国家实验室 研究人员 工程学院 材料科学 居里温度 磁场变化 AMES 低纯度 磁致冷 REV 制备
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基于GST薄膜的弯曲波导相变光学器件光学仿真与分析
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作者 罗明馨 张东亮 +1 位作者 鹿利单 祝连庆 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第2期228-233,共6页
研究了相变光学器件的光传输性能,使用时域有限差分法建立覆盖Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)薄膜的弯曲波导模型,得到了在晶态和非晶态两种情况下GST的面积、厚度和在弯曲波导中的位置对光传输效率及损耗的影响规律。结果表明:GST的最优覆盖... 研究了相变光学器件的光传输性能,使用时域有限差分法建立覆盖Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)薄膜的弯曲波导模型,得到了在晶态和非晶态两种情况下GST的面积、厚度和在弯曲波导中的位置对光传输效率及损耗的影响规律。结果表明:GST的最优覆盖面积为0.415μm^(2),厚度为17nm,器件光传输不受GST覆盖位置影响,光传输对比度最佳达到90.8%,插入损耗低至0.321dB,在1500~1670nm波长范围内能够实现宽光谱并行传输。该器件尺寸小,消光比大,理论上满足提高光计算准确率的需求。研究结果对于非易失性、并行集成光子矩阵计算单元器件的研制具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 光子计算 相变光学器件 ge2Sb2Te2 弯曲波导 覆盖型
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Tunable luminescence in co-doped Zn3Al2Ge2O10:Cr3+by controlling crystal field splitting and nephelauxetic effect 被引量:5
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作者 Qiongyu Bai Suling Zhao +1 位作者 Zheng Xu Panlai Li 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第12期1265-1272,共8页
Ce3+/Dy3+/Tb3+/Eu3+/Mn2+and Cr3+ions co-doped Zn3 Al2 Ge2 O10 phosphor were prepared by a hightemperature solid-state method.X-ray diffraction patterns prove the cubic phase structure of prepared Zn3 Al2 Ge2 O10 phosp... Ce3+/Dy3+/Tb3+/Eu3+/Mn2+and Cr3+ions co-doped Zn3 Al2 Ge2 O10 phosphor were prepared by a hightemperature solid-state method.X-ray diffraction patterns prove the cubic phase structure of prepared Zn3 Al2 Ge2 O10 phosphor,Emission,excitation spectra and decay curves confirm the tunable luminescence.Different degrees of the decrease of emission FWHM in Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,RE(RE=Ce3+,Dy3+,Tb3+,Eu3+)and Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Mn2+are observed.The reason of variable FWHM is the effect of crystal field splitting and nephelauxetic effect,and the nephelauxetic effect is dominant.Therefore,the emission FWHM decreases with the increasing concentration of Mn2+/Tb3+/Eu3+in Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,and for Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Ce3+and Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Dy3+,it is a constant.The variation of Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Tb3+is more obvious than that of Zn3 Al2 Ge2 O10:0.02 Cr3+,Eu3+,because Tb3+ion has smaller electronegativity.Thus,the tunable luminescence of Cr3+can be realized by co-doping different ions.And these phosphors have potential applications in light-emitting diodes for plant growth. 展开更多
关键词 Iuminescence Zn3Al2ge2O10:Cr3+ CO-DOPING IONS Rare earths
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Superconductivity in LaPd2Bi2 with CaBe2Ge2-type structure
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作者 QingGe Mu BoJin Pan +5 位作者 BinBin Ruan Tong Liu Kang Zhao Lei Shan GenFu Chen ZhiAn Ren 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第12期63-66,共4页
Since the discovery of superconductivity in LaFeAsO1-xFx, the high-Tc iron-based superconductors have been extensively studied from both experimental and theoretical viewpoints [1-8].However,the mechanism of the uncon... Since the discovery of superconductivity in LaFeAsO1-xFx, the high-Tc iron-based superconductors have been extensively studied from both experimental and theoretical viewpoints [1-8].However,the mechanism of the unconventional superconductivity is still to be resolved.To address such issues,numerous 3d,4d,5d transition metal pnietide,silicide,germanide,chalcogenide materials crystalizing in the similar crystal structure with iron pnictide/ selenide suoerconductors were studied [9-24]. 展开更多
关键词 SUPERCONDUCTIVITY LaPd2Bi2 CaBe2ge2-type STRUCTURE
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Anion-site-modulated thermoelectric properties in Ge2Sb2Te5-based compounds
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作者 Ping Hu Tian-Ran Wei +5 位作者 Shao-Ji Huang Xu-Gui Xia Peng-Fei Qiu Jiong Yang Li-Dong Chen Xun Shi 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第10期1127-1133,共7页
The amalgamation of multi-subjects often elicits novel materials,new concepts and unexpected applications.Recently,Ge2 Sb2 Te5,as the most established phasechange material,has been found to exhibit decent thermoelectr... The amalgamation of multi-subjects often elicits novel materials,new concepts and unexpected applications.Recently,Ge2 Sb2 Te5,as the most established phasechange material,has been found to exhibit decent thermoelectric performance in its stable,hexagonal phase.The challenge for higher figure of merit(zT) values lies in reducing the hole carrier concentration and enhancing the Seebeck coefficient,which,however,can be hardly realized by conventional doping.Here in this work,we report that the electrical properties of Ge2 Sb2 Te5 can be readily optimized by anion-site modulation.Specifically,Se/S substitution for Te induces stronger and more ionic bonding,lowering the hole density.Furthermore,an increase in electronic density of state is introduced by Se substitution,contributing to a large increase in Seebeck coefficient.Combined with the reduced thermal conductivity,maximum zT values above 0.7 at 800 K have been achieved in Se/S-alloyed materials,which is ~30% higher than that in the pristine Ge2Sb2 Te5. 展开更多
关键词 THERMOELECTRIC ge2Sb2Te5 Anion-site modulation Chemical bond Electronic density of states
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通过衬板加热控制Ge2Sb2Te5热电薄膜的结构
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《金属功能材料》 CAS 2018年第5期62-62,共1页
Athorn Vora-ud等人采用脉冲直流磁控管溅射法,以最佳等离子条件(脉冲频率和脉冲反向时间)制备Ge2Sb2Te5薄膜,系统地研究250-450℃温度范围内衬板温度对沉积薄膜微结构、形貌、原子组成、载流子浓度和移动性及塞贝克系数的影响。研... Athorn Vora-ud等人采用脉冲直流磁控管溅射法,以最佳等离子条件(脉冲频率和脉冲反向时间)制备Ge2Sb2Te5薄膜,系统地研究250-450℃温度范围内衬板温度对沉积薄膜微结构、形貌、原子组成、载流子浓度和移动性及塞贝克系数的影响。研究结果表明,要得到立方结构薄膜,就必须对衬板进行加热。 展开更多
关键词 ge2SB2TE5薄膜 热电薄膜 加热控制 内衬板 微结构 磁控管溅射法 脉冲直流 温度范围
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稀土化合物RE_2Ge_2In(RE=Ce,Pr,Nd)的磁性和晶场效应
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作者 李玉山 王海英 路庆凤 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2006年第3期20-23,共4页
基于晶场理论和分子场理论,采用点电荷晶场模型,通过模拟Zaremba小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物RE2Ge2In(RE=Ce,Pr,Nd)的晶场分裂能和相应波函数。计算表明,Kramer离子Ce3+和Nd3+在晶场效应的作用下简并部分消除得到了双基态,而... 基于晶场理论和分子场理论,采用点电荷晶场模型,通过模拟Zaremba小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物RE2Ge2In(RE=Ce,Pr,Nd)的晶场分裂能和相应波函数。计算表明,Kramer离子Ce3+和Nd3+在晶场效应的作用下简并部分消除得到了双基态,而非Kramer离子Pr3+分裂后得到了单基态。计算得到的Ce2Ge2In的第一激发能和总分裂能与Adroja小组中子散射实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 Ce2ge2In Pr2ge2In Nd2ge2In 磁化率 晶场效应
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GE FASTlab2化学合成模块典型故障分析与处理
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作者 张颖 邓旋 +2 位作者 王联辉 张志博 田浩坤 《中国医疗设备》 2023年第10期176-180,共5页
本文介绍了GE FASTlab2化学合成模块的特点,列举了该化学合成模块在生产18F-2-脱氧-D-葡萄糖(18F-2-Deoxy-DGlucose,18F-FDG)放射性药物时合成前模块自检、合成初始核素接收及合成反应过程中出现的3例典型故障。通过对故障的分析及对相... 本文介绍了GE FASTlab2化学合成模块的特点,列举了该化学合成模块在生产18F-2-脱氧-D-葡萄糖(18F-2-Deoxy-DGlucose,18F-FDG)放射性药物时合成前模块自检、合成初始核素接收及合成反应过程中出现的3例典型故障。通过对故障的分析及对相应组件单独测试,排查出异常部件并更换。熟练掌握该化学合成模块结构、工作原理和运行流程,并做好日常维护,对降低故障发生率具有重要意义。 展开更多
关键词 GE FASTlab2 化学合成模块 18F-FDG 故障分析
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Ge_2Sb_2Te_5晶体结构的第一性原理模拟 被引量:3
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作者 刘富荣 韩欣欣 +2 位作者 白楠 范振坤 朱赞 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期137-141,148,共6页
基于密度泛函理论,采用CASTEP软件对Ge2Sb2Te5亚稳态晶体进行结构优化,并比较了局部密度泛函LDA CA-PZ和广义梯度近似GGA PBE两种不同电子交换关联函数对模型晶体结构、能带、态密度、分波态密度、布居数等相关性质的影响,获得Ge2Sb2Te... 基于密度泛函理论,采用CASTEP软件对Ge2Sb2Te5亚稳态晶体进行结构优化,并比较了局部密度泛函LDA CA-PZ和广义梯度近似GGA PBE两种不同电子交换关联函数对模型晶体结构、能带、态密度、分波态密度、布居数等相关性质的影响,获得Ge2Sb2Te5亚稳态晶体结构的性质.研究发现,电子交互关联函数采用局部密度泛函LDA CA-PZ时计算体系的总能量更低,具有更好的稳定性,但该优化使晶格常数缩小,而采用广义梯度近似GGA PBE方法对GST材料的晶胞结构进行模拟获得的结果与实验结果较为吻合.亚稳态Ge2Sb2Te5的能带没有带隙,呈现典型的金属性,而对材料性质影响最大的是Te原子. 展开更多
关键词 相变 ge2 Sb2 Te5 第一性原理 密度泛函
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