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GeSi/Si PIN红外探测器的漏电现象分析 被引量:1
1
作者 李娜 刘恩科 +1 位作者 李国正 许雪林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期54-58,共5页
根据半导体理论并结合实验结果,分析了以GeSi/Si超晶格为吸收材料的PIN红外探测器的漏电现象。结果表明:当锗含量x=0.6时,探测器的暗电流密度可达到10-5A/cm2,这是由超晶格的禁带宽度决定的。实际器件的暗电流较大,主要是表面... 根据半导体理论并结合实验结果,分析了以GeSi/Si超晶格为吸收材料的PIN红外探测器的漏电现象。结果表明:当锗含量x=0.6时,探测器的暗电流密度可达到10-5A/cm2,这是由超晶格的禁带宽度决定的。实际器件的暗电流较大,主要是表面因素和加工工艺的影响。 展开更多
关键词 探测器 超晶格 红外探测器 PIN
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GeSi/Si共振隧穿二极管 被引量:1
2
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2008年第11期627-634,共8页
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅... GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/SiRITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/SiRTD器件结构。 展开更多
关键词 gesi/si共振隧穿二极管 gesi/si异质结 gesi/si带间共振隧穿二极管 能带结构 材料结构
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GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计
3
作者 李娜 李宁 +3 位作者 陆卫 沈学础 李国正 刘恩科 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期203-208,共6页
根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中.Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影... 根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中.Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响.并结合吸收特点对MQW吸收层结构进行优化设计. 展开更多
关键词 gesi/si 多量子阱 光波导 吸收层 模特性
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GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和结构设计
4
作者 任中杰 李娜 +1 位作者 李国正 刘恩科 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期33-36,共4页
根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程,分析了以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响.结合吸... 根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程,分析了以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响.结合吸收特点,对波导探测器MQW吸收层结构进行优化设计. 展开更多
关键词 多量子阱 光波导 结构设计 半导体 硅化锗
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p-GeSi/n+-Si异质结电光调制器
5
作者 李国正 高勇 刘恩科 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期234-237,共4页
文章介绍了硅基光电子器件——p-GeSi/n+-Si异质结电光调制器的初步试验研究之后,给出了所研制调制器的调制深度为90%时的调制电流约180mA。为了进一步减小调制电流和提高调制频率。
关键词 半导体器件 调制器 异质结
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GeSi/Si应变超晶格探测器的制作
6
作者 刘淑平 闫进 +1 位作者 扬型建 李国正 《应用光学》 CAS CSCD 1996年第2期37-38,共2页
介绍GeSi/Si应变新材料探测器的制作方法,它不仅与Si微电子工艺相兼容,而且还可调节Ge含量使其禁带宽度满足现代光纤通信器件的要求。
关键词 红外探测器 光电器件 应变 超晶格
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用光电压谱研究 GeSi/Si 量子阱的带间光跃迁
7
作者 朱文章 徐恭勤 《集美航海学院学报》 1997年第4期20-24,共5页
在18~300K温度范围内,测量了x=0.2和0.5两种不同结构的GexSi1-x/Si应变层多量子阱的光电压谱,观测到HH1,LH1,HH2等激子光吸收跃迁信号以及TO声子辅助HH1激子光吸收跃迁信号.低温下的光电... 在18~300K温度范围内,测量了x=0.2和0.5两种不同结构的GexSi1-x/Si应变层多量子阱的光电压谱,观测到HH1,LH1,HH2等激子光吸收跃迁信号以及TO声子辅助HH1激子光吸收跃迁信号.低温下的光电压谱反映了量子阱台阶式的状态密度分布.方形势阱模型的理论计算结果与实验结果符合较好. 展开更多
关键词 gesi/si 量子阱 带间光跃迁 光电压谱
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GeSi/Si应变异质结构应变和应力分布的模型研究 被引量:1
8
作者 李炳辉 韩汝琦 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期81-87,共7页
本文给出了分析GeSi/Si应变异质结中应变分布和弯曲的力学模型.该模型将外延层和衬底中的应变分为失配应变和弯曲应变,在假设整个异质结构均匀弯曲的情况下,根据力学、平衡条件得到了计算应变异质结构应变分布和弯曲半径的有... 本文给出了分析GeSi/Si应变异质结中应变分布和弯曲的力学模型.该模型将外延层和衬底中的应变分为失配应变和弯曲应变,在假设整个异质结构均匀弯曲的情况下,根据力学、平衡条件得到了计算应变异质结构应变分布和弯曲半径的有关公式.这些模型结果结合X射线双晶衍射测量和模拟可以得到外延层的生长参数和整个异质结构的应变分布及弯曲半径. 展开更多
关键词 gesi/si 异质结构 应力分布 应变分布
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GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究
9
作者 肖剑飞 封松林 彭长四 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期321-324,共4页
用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变... 用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理.同时测定Pd+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为EC=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致. 展开更多
关键词 gesi/si 应变超晶格 退火 离子注入
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GeSi/Si异质结光波导光栅耦合器的设计与模拟
10
作者 徐勤昌 刘淑平 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2008年第4期453-458,共6页
GeSi/Si异质结光波导是硅基光电集成(OEIC)领域一种重要的连接器件,研究其光的输入耦合,提高耦合效率有着重要的意义。通过分析导模—辐射模的耦合理论求得光栅耦合器的辐射损耗系数,设计分析了波导层厚度为2500 nm,入射波长为1300 nm... GeSi/Si异质结光波导是硅基光电集成(OEIC)领域一种重要的连接器件,研究其光的输入耦合,提高耦合效率有着重要的意义。通过分析导模—辐射模的耦合理论求得光栅耦合器的辐射损耗系数,设计分析了波导层厚度为2500 nm,入射波长为1300 nm的单模Ge0.05Si0.95/Si异质结波导光栅耦合器的周期、长度和槽深,得出从空气中输入角为75°(从衬底中入射角为16°)时,周期为0.512μm,槽宽为0.256μm,光栅长度为2.3 mm,从空气侧输入时耦合效率为22.5%,从衬底输入时耦合效率为46.3%,并对其输入、输出光场进行了数值模拟。 展开更多
关键词 gesi/si异质结 光电集成 光栅耦合器
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GeSi/Si应变结构内应力纵向分布
11
作者 肖剑飞 封松林 彭长四 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期325-329,共5页
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延n-Ge0.2Si0.8/Si应变超晶格,观察到两个与位错有关的深中心,其中一个能级位置在EC=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显的移动,深能级位置从EC=0.21e... 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延n-Ge0.2Si0.8/Si应变超晶格,观察到两个与位错有关的深中心,其中一个能级位置在EC=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显的移动,深能级位置从EC=0.21eV变化到EC=0.276eV,我们认为是内应力引起的.取该深能级的流体静压力系数γ=6.59meV/Kba,求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好.在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法. 展开更多
关键词 gesi/si 应变超晶格 内应力 深能级瞬态谱
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1.3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器的设计
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作者 徐勤昌 刘淑平 《红外》 CAS 2008年第1期24-27,共4页
分析了导模-辐射模耦合理论和利用经塔米尔的传输回路方法论改造过的扰动理论进行解析的结果。根据上述理论对1.3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器波导层的厚度、槽形、长度、宽度、周期、槽深等做了近似的设计。
关键词 光栅耦合器 gesi/si异质结 辐射系数 耦合系数
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Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector
13
作者 LIU Shu-ping JIA Yue-hu 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2006年第1期21-24,共4页
According to Maxwell’s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is ... According to Maxwell’s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out. 展开更多
关键词 gesi/si Superlattice nanoerystalline PHOTODETECTOR
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MEB法生长纳米结构Si/GeSi
14
作者 一凡 《电子材料快报》 1996年第6期4-5,共2页
关键词 半导体 MBE法 纳米结构 si/gesi
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究 被引量:4
15
作者 段晓峰 冯国光 +4 位作者 王玉田 褚一鸣 刘学锋 盛篪 周国良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期14-21,共8页
本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度... 本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好. 展开更多
关键词 gesi/si 超晶格 双晶衍射 运动学
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射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用 被引量:3
16
作者 邹德恕 徐晨 +4 位作者 罗辑 陈建新 高国 魏泽民 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期12-14,共3页
介结了射频溅射SiO2的原理与工艺,对制造出的Si/SiGeHBT作了分析。
关键词 si/siGeHBT 射频溅射 二氧化硅
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子
17
作者 张树霖 金鹰 +3 位作者 秦国刚 盛篪 周国良 周铁成 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第7期448-451,共4页
用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间... 用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用. 展开更多
关键词 gesi/si 应变层 超晶格 声学声子
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Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管
18
作者 江若琏 罗志云 +8 位作者 陈卫民 臧岚 朱顺明 徐宏勃 刘夏冰 程雪梅 陈志忠 韩平 郑有炓 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期27-29,共3页
采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm... 采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm,峰值波长位于1.06μm,暗电流密度低达0.033μA/mm^2(-2V),在1.06μm和1.3μm处的响应度分别为1.8A/W(-2V)和0.066A/W(-V)。 展开更多
关键词 光电二极管 异质结 硅基 硅化鳍
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温度对势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构的影响
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作者 徐至中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期561-566,共6页
采用有效质量近似下的包络函数方法,对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布进行了自洽计算.详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响.
关键词 势垒区 Δ掺杂 gesi si 电子能带结构 温度
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Ge_xSi_(1-x)/Si量子阱和超晶格红外光电压谱
20
作者 朱文章 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期398-401,共4页
采用电容耦合法,在18~300K 温度范围内测量了一系列 Ge_xSi_(1-x)/Si应变层多量子阱和 Ge/Si 超薄超晶格在不同温度下的红外光电压谱。实验结果表明,在长波段有强的光电压信号。文中还对 Ge_xSi_(1-x)/Si 量子阱和超晶格的能带排列和... 采用电容耦合法,在18~300K 温度范围内测量了一系列 Ge_xSi_(1-x)/Si应变层多量子阱和 Ge/Si 超薄超晶格在不同温度下的红外光电压谱。实验结果表明,在长波段有强的光电压信号。文中还对 Ge_xSi_(1-x)/Si 量子阱和超晶格的能带排列和光伏效应作了讨论。 展开更多
关键词 量子阱 超晶格 gesi/si材料
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