期刊导航
期刊开放获取
重庆大学
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
被引量：
1
1
作者
钱聪
张恩霞
+9 位作者
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期308-312,共5页
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(...
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
展开更多
关键词
绝缘体上硅(SOI)
总剂量辐照效应
环
栅
结构
h型栅结构
下载PDF
职称材料
题名
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
被引量：
1
1
作者
钱聪
张恩霞
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国航天时代电子公司第
信息产业部电子第五研究所(中国赛宝实验室)
出处
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期308-312,共5页
文摘
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
关键词
绝缘体上硅(SOI)
总剂量辐照效应
环
栅
结构
h型栅结构
Keywords
silicon on insulator
total - dose irradiation effect
gate - all - around structure
h
- gate structure
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
钱聪
张恩霞
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
