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具有组分梯度的HgCdTe探测器在激光测量中的潜在应用
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作者 徐国庆 王仍 +6 位作者 陈心恬 乔辉 杨晓阳 储开慧 王大辉 杨鹏翎 李向阳 《应用光学》 CAS 北大核心 2024年第3期549-556,共8页
该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在P... 该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在PN结附近构建不同的电场,不同电场下样品暗电流和噪声电流随温度的变化曲线表明,构建的电场越强,降低结区附近热激发载流子浓度的效果越明显。通过数据分析,提出构建103 V/cm量级的组分梯度内建电场可抑制热激发载流子向结区的扩散运动,有效地降低结区附近热激发载流子浓度。 展开更多
关键词 组分梯度内建电场 hgcdte外延薄膜材料 热激发载流子浓度 暗电流 噪声电流
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10μm 1280×1024 HgCdTe中波红外焦平面阵列探测性能提升
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作者 谭必松 毛剑宏 +9 位作者 陈殊璇 李伟伟 陈世锐 陈天晴 杜宇 彭成盼 熊雄 周永强 余波 王舒 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期36-43,共8页
对像元尺寸为10μm的1280×1024碲镉汞(HgCdTe)中波红外焦平面阵列的制备技术和性能进行了研究。通过B+注入制备小尺寸n-on-p平面结;采用高平整度HgCdTe外延材料和高精度的倒焊互连技术,实现高的电学连通率;采用多段温度填胶固化和... 对像元尺寸为10μm的1280×1024碲镉汞(HgCdTe)中波红外焦平面阵列的制备技术和性能进行了研究。通过B+注入制备小尺寸n-on-p平面结;采用高平整度HgCdTe外延材料和高精度的倒焊互连技术,实现高的电学连通率;采用多段温度填胶固化和边缘刻蚀工艺减轻HgCdTe器件和读出集成电路(ROICs)之间的热失配,从而降低焦平面器件失效率。在85 K焦平面工作温度下,研制探测器的光谱响应范围为3.67μm至4.88μm,有效像元率高达99.95%,并且探测器组件像元的平均噪声等效温差(NETD)和暗电流密度的平均值分别小于16 mK和2.1×10^(-8)A/cm^(2)。与像元尺寸为15μm的探测器相比,10μm的1280×1024中波红外探测器可获取更加精细的图像,具有更远的识别距离。目前,该技术已成功转移到浙江珏芯微电子有限公司(ZJM)的HgCdTe红外探测器产线。 展开更多
关键词 红外探测器 碲镉汞 1 K×1 K红外焦平面阵列 n-on-p
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具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性
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作者 徐国庆 王仍 +7 位作者 陈心恬 储开慧 汤亦聃 贾嘉 王妮丽 杨晓阳 张燕 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期285-291,共7页
PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端,研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。计算不同温度下组分梯度产生的内建电场,结果显示Cd组分线性分布产生的内建电场在100~200 V/cm,而Cd组分... PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端,研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。计算不同温度下组分梯度产生的内建电场,结果显示Cd组分线性分布产生的内建电场在100~200 V/cm,而Cd组分非线性分布使得样品表面薄层的内建电场高达2 000 V/cm,推测组分梯度产生的内建电场对光生少子运动的影响是引起两个样品光电性能差异的主要原因。通过分析样品响应率随温度的三种不同变化趋势,提出利用温度调控组分梯度产生的内建电场,有利于降低空间电荷效应,为大注入下提高HgCdTe探测器的饱和阈值提供了一种新的设计思路。 展开更多
关键词 组分梯度 内建电场 hgcdte外延薄膜材料 归一化响应光谱 响应率
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分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究(英文) 被引量:9
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作者 吴俊 徐非凡 +3 位作者 巫艳 陈路 于梅芳 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期81-83,共3页
报道了利用As4 作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEHgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBEHgCdTe材料.
关键词 hgcdte薄膜 分子束外延 掺杂 As hgcdte材料 激活 P型 MBE 退火技术 研究结果 SIMS 高温退火 原位
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退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究
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作者 邢晓帅 折伟林 +5 位作者 杨海燕 郝斐 胡易林 牛佳佳 王鑫 赵东生 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期566-569,共4页
实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降... 实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。 展开更多
关键词 碲镉汞 热处理 位错密度 电学性能 载流子迁移率
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高功率CO2激光对远场HgCdTe探测器的干扰实验 被引量:20
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作者 王思雯 郭立红 +4 位作者 赵帅 刘洪波 崔爽 于洋 李姜 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期798-804,共7页
理论分析和实验研究了高功率CO2激光对远场光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤。采用激光辐照探测器的温升理论模型,根据实验参数,讨论了高功率激光对长波红外探测器的损伤机理,计算了温升与辐照时间和功率的关系,并和CO2激光器在距... 理论分析和实验研究了高功率CO2激光对远场光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤。采用激光辐照探测器的温升理论模型,根据实验参数,讨论了高功率激光对长波红外探测器的损伤机理,计算了温升与辐照时间和功率的关系,并和CO2激光器在距离15km处辐照光导型长波红外HgCdTe探测器的实验结果进行对比分析。实验结果表明,2.5kW连续CO2激光经过大气衰减后在15km处激光功率密度可达0.161W/cm2,计算可知此时会聚到探测器靶面处的功率密度为140W/cm2;靶面处功率密度为20.5W/cm2时,对探测器产生干扰;靶面处功率密度为110W/cm2时,达到损伤,计算此时探测器表面温度已达到Hg析出温度,这一实验现象和理论计算预期结果相吻合。实验结论对研究探测器的激光防护和激光干扰星载探测器技术具有指导意义。 展开更多
关键词 CO2激光 长波红外探测器 hgcdte探测器 温升模型 干扰阈值 损伤阈值
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CO_2激光对长波红外HgCdTe探测器干扰的分析 被引量:20
7
作者 王思雯 李岩 +1 位作者 郭立红 郭汝海 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期102-104,共3页
激光干扰是对抗精确制导武器、保卫己方目标的重要方式.针对高功率CO2激光对某光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤进行了理论分析与实验研究.根据实验结果,利用激光辐照探测器的温升理论模型,计算了温升随辐照时间和功率的关系,并和... 激光干扰是对抗精确制导武器、保卫己方目标的重要方式.针对高功率CO2激光对某光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤进行了理论分析与实验研究.根据实验结果,利用激光辐照探测器的温升理论模型,计算了温升随辐照时间和功率的关系,并和CO2激光器辐照光导型长波红外HgCdTe探测器的实验结果进行了对比.理论和实验结果表明,此探测器的干扰阈值为16.5W/cm2,损伤阈值为126W/cm2.实验结论对研究激光干扰星载探测器技术具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 激光干扰 探测器 hgcdte 干扰阈值 损伤阈值
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新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展 被引量:22
8
作者 胡伟达 梁健 +2 位作者 越方禹 陈效双 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期25-36,51,共13页
综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构H... 综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构Hg Cd Te红外探测器的模拟和分析结果.理论分析和实验研制数据均显示这种新型亚波长人工微结构结构具有很好的陷光特性,在提高长波红外探测器性能方面具有潜在应用前景. 展开更多
关键词 hgcdte红外探测器 亚波长人工微结构 陷光效应 长波红外探测器 金属表面等离子激元
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10.6μm CO_2激光对HgCdTe探测器破坏阈值的实验研究 被引量:17
9
作者 张红 薛建国 +2 位作者 成斌 王非 王冰 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期41-43,56,共4页
用10.6μm脉冲CO2激光辐照PC型HgCdTe光电探测器进行破坏阈值实验研究,通过改变激光辐照到探测器上的能量密度直至探测器损伤、破坏,得出了HgCdTe探测器的破坏阈值;利用一维半无限大模型计算了激光损伤探测器的破坏阈值,并与实验值进行... 用10.6μm脉冲CO2激光辐照PC型HgCdTe光电探测器进行破坏阈值实验研究,通过改变激光辐照到探测器上的能量密度直至探测器损伤、破坏,得出了HgCdTe探测器的破坏阈值;利用一维半无限大模型计算了激光损伤探测器的破坏阈值,并与实验值进行了比较。分析表明,实验误差不仅来自于探测器不同的材料性质,而且与光斑的大小,探测器的制作工艺等多种因素有关;分析了不同脉宽的激光脉冲对破坏阈值的影响,得出了合理的破坏阈值。 展开更多
关键词 脉冲CO2激光 损伤阈值 PC型hgcdte探测器 光电探测器
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红外透射光谱在HgCdTe外延薄膜性能评价中的应用 被引量:13
10
作者 杨建荣 王善力 +1 位作者 郭世平 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期327-332,共6页
用最新发表的HgCdTe材料的光学常数对MBE工艺生长的HgCdTe/CdTe/GaAs材料的透射光谱进行了理论计算.对受生长工艺破坏的衬底背面再次进行抛光处理,消除因表面不平整引起的漫反射效应,使实验测量得到的光谱... 用最新发表的HgCdTe材料的光学常数对MBE工艺生长的HgCdTe/CdTe/GaAs材料的透射光谱进行了理论计算.对受生长工艺破坏的衬底背面再次进行抛光处理,消除因表面不平整引起的漫反射效应,使实验测量得到的光谱曲线与理论计算结果很好地吻合,由此得到的HgCdTe和CdTe外延层的厚度和解理面上用显微镜测量的数值相同,准确度优于±0.2μm.确定HgCdTe组分的准确度优于±0. 展开更多
关键词 hgcdte 外延层 红外透射光谱 薄膜
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PV型HgCdTe光电探测器中的混沌及其诊断 被引量:8
11
作者 马丽芹 程湘爱 +2 位作者 许晓军 李文煜 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期37-39,共3页
 对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进...  对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。 展开更多
关键词 PV型hgcdte光电探测器 诊断 混沌 功率谱 LYAPUNOV指数 激光辐照 半导体光电探测器
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不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制 被引量:8
12
作者 孙涛 陈文桥 +3 位作者 梁晋穗 陈兴国 胡晓宁 李言谨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期143-147,共5页
在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe +ZnS)钝化的两种光伏探测器 ,对器件的性能进行了测试 ,发现双层钝化的器件具有较好的性能 .通过理论计算 ,分析了器件的暗电流机制 ,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流 .通过高分辨... 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe +ZnS)钝化的两种光伏探测器 ,对器件的性能进行了测试 ,发现双层钝化的器件具有较好的性能 .通过理论计算 ,分析了器件的暗电流机制 ,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流 .通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响 ,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷 。 展开更多
关键词 hgcdte 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流
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高重频CO_2激光损伤HgCdTe晶体的数值分析 被引量:10
13
作者 汤伟 吉桐伯 +2 位作者 郭劲 邵俊峰 王挺峰 《中国光学》 EI CAS 2013年第5期736-742,共7页
针对CO2激光作用下HgCdTe晶体的损伤问题进行了数值分析。首先,建立了高重频CO2激光损伤Hg0.784Cd0.216Te晶体的三维热传导物理模型;然后,利用有限元方法计算了单脉冲和高重频CO2激光作用下,Hg0.784Cd0.216Te晶体的损伤阈值;最后,分析... 针对CO2激光作用下HgCdTe晶体的损伤问题进行了数值分析。首先,建立了高重频CO2激光损伤Hg0.784Cd0.216Te晶体的三维热传导物理模型;然后,利用有限元方法计算了单脉冲和高重频CO2激光作用下,Hg0.784Cd0.216Te晶体的损伤阈值;最后,分析了激光重频以及辐照时间对晶体损伤阈值的影响。研究结果表明:单脉冲激光辐照下,晶体的损伤阈值为64.5 J/cm2;高重频(f>1 kHz)激光辐照下,激光重频的改变对晶体损伤阈值的影响较小,损伤阈值应由平均功率密度表征,且与辐照时间密切相关;辐照时间的增加,可以有效地减小晶体的损伤阈值,当激光辐照功率密度<1.95 kW/cm2时,不会发生晶体损伤。研究结果对高重频CO2激光在激光加工以及激光防护的应用方面具有指导意义。 展开更多
关键词 激光损伤 损伤阈值 重复频率 hgcdte晶体
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光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究 被引量:10
14
作者 徐向晏 陆卫 +1 位作者 陈效双 徐文兰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期251-256,共6页
报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,... 报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点. 展开更多
关键词 hgcdte 长波红外探测器 R0A积 量子效率 少子寿命
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PV型HgCdTe线阵探测器的光学串扰 被引量:9
15
作者 邱伟成 王睿 +2 位作者 许中杰 江天 程湘爱 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期2325-2330,共6页
针对MCT红外焦平面阵列器件普遍存在的光串扰问题进行研究,从器件内部结构上,建立了线阵器件理论计算模型,并基于载流子连续性方程,利用Comsol软件对光串扰的大小进行了数值定量计算,研究了不同探测器结构尺寸、温度和材料等参数对光串... 针对MCT红外焦平面阵列器件普遍存在的光串扰问题进行研究,从器件内部结构上,建立了线阵器件理论计算模型,并基于载流子连续性方程,利用Comsol软件对光串扰的大小进行了数值定量计算,研究了不同探测器结构尺寸、温度和材料等参数对光串扰的影响;从器件外部结构上,利用几何光学,研究了外部光学结构对光串扰的影响。研究结果表明,器件内部的衬底外延层厚度与器件外部的真空层对光串扰的影响最大,为今后红外焦平面器件结构的改进提供了一定的理论指导。 展开更多
关键词 hgcdte 阵列探测器 Comsol软件 光串扰
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分子束外延HgCdTe表面缺陷研究 被引量:4
16
作者 陈路 巫艳 +3 位作者 于梅芳 王善力 乔怡敏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期406-410,共5页
采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面... 采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面缺陷 (尺寸大于 2 μm)平均密度为 30 0 cm- 2 ,筛选合格率为 6 5 % . 展开更多
关键词 分子束外延 hgcdte 表面缺陷 薄膜
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激光束诱导电流在HgCdTe双色探测器工艺检测中的应用 被引量:6
17
作者 叶振华 胡晓宁 +4 位作者 蔡炜颖 陈贵宾 廖清君 张海燕 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期459-462,共4页
报道了激光束诱导电流(LB IC)在碲镉汞(HgCdTe)红外双色探测器工艺检测中的应用.通过LB IC测试,发现p型HgCdTe材料由B+离子注入损伤形成的n区面积大于其注入面积,并获得n区横向的精确分布.同时,运用LB IC,获得了p型HgCdTe材料因不同能... 报道了激光束诱导电流(LB IC)在碲镉汞(HgCdTe)红外双色探测器工艺检测中的应用.通过LB IC测试,发现p型HgCdTe材料由B+离子注入损伤形成的n区面积大于其注入面积,并获得n区横向的精确分布.同时,运用LB IC,获得了p型HgCdTe材料因不同能量的等离子体干法刻蚀诱导的刻蚀台面侧壁工艺损伤形成的n区横向分布,并得到了n区横向宽度与等离子体能量的关系. 展开更多
关键词 激光束诱导电流 hgcdte 干法刻蚀 双色探测器
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HgCdTe分子束外延In掺杂研究 被引量:4
18
作者 巫艳 王善力 +3 位作者 陈路 于梅芳 乔怡敏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期174-178,共5页
报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在~ 3× 10 1 5 ... 报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在~ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 . 展开更多
关键词 分子束外延 hgcdte 掺杂 红外焦平面阵列探测器 材料
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室温中红外HgCdTe光导探测器响应率的温度特性 被引量:5
19
作者 冯国斌 张检民 +2 位作者 杨鹏翎 王群书 安毓英 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期787-791,共5页
为了评定基于室温中红外HgCdTe光导探测器的氟化氘激光阵列靶斑仪系统的测量不确定度,需要对HgCdTe光导探测器响应率的温度特性进行定量分析.理论分析了室温中波红外HgCdTe光导探测器响应率与温度和波长的关系,得出了在一定范围内探测... 为了评定基于室温中红外HgCdTe光导探测器的氟化氘激光阵列靶斑仪系统的测量不确定度,需要对HgCdTe光导探测器响应率的温度特性进行定量分析.理论分析了室温中波红外HgCdTe光导探测器响应率与温度和波长的关系,得出了在一定范围内探测器响应率可以近似表示为温度和波长变量分离函数形式的假设.采用波长为3.8μm和1.31μm激光光源,分别测量了在-40℃~+30℃温度范围内室温中波红外HgCdTe探测器响应率变温特性,实验结果验证了在测量不确定度范围内假设的正确性.基于此结论,提出了一种高效标定HgCdTe光导探测器在氟化氘激光波长处响应率温度特性的实用方法. 展开更多
关键词 中红外探测器 光导探测器 hgcdte 响应率 温度特性
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HgCdTe探测列阵干法技术的刻蚀形貌研究 被引量:5
20
作者 叶振华 胡晓宁 +2 位作者 全知觉 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期325-328,共4页
首次报道了HgCdTe微台面焦平面探测列阵成形工艺的干法刻蚀技术有关刻蚀形貌的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(reactive ion etching)设备和刻蚀原理.采用高等离子体密度、低腔体工作压力、高... 首次报道了HgCdTe微台面焦平面探测列阵成形工艺的干法刻蚀技术有关刻蚀形貌的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(reactive ion etching)设备和刻蚀原理.采用高等离子体密度、低腔体工作压力、高均匀性和低刻蚀能量的ICP(inductively coupled plasma)增强型RIE技术,研究了不同的工艺气体配比、腔体工作压力、ICP源功率和RF源功率对HgCdTe材料刻蚀形貌的影响,并初步得到了一种稳定的、刻蚀表面清洁、光滑、图形轮廓良好、均匀性较好和刻蚀速率较高的干法刻蚀工艺. 展开更多
关键词 hgcdte 微台面列阵 干法刻蚀 反应离子刻蚀 刻蚀形貌
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