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Hall测量中排除反常Hall效应影响的原理与方法
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作者 赵良兵 何雄 孙志刚 《科技创新导报》 2018年第9期114-115,118,共3页
本文通过分析Hall效应产生机制发现,对于磁性半导体或磁性掺杂半导体而言,测试获得的Hall电压中往往存在反常Hall效应的影响;通过对Hall测量系统误差分析及其消除方法的研究,本文发现在使磁性杂质达到饱和磁化的强磁场作用下,正常Hall... 本文通过分析Hall效应产生机制发现,对于磁性半导体或磁性掺杂半导体而言,测试获得的Hall电压中往往存在反常Hall效应的影响;通过对Hall测量系统误差分析及其消除方法的研究,本文发现在使磁性杂质达到饱和磁化的强磁场作用下,正常Hall电压与反常Hall电压之和与测量磁场之间是线性关系,因此,在一系列恒定强磁场下测出正、反向电流时的表观Hall电压,然后通过对表观Hall电压与磁场曲线的线性拟合得到斜率,确定正常Hall系数,最终排除了反常Hall效应的影响。本文研究有益于促进Hall测量在磁性半导体或磁性掺杂半导体中的更为广泛应用。 展开更多
关键词 hall效应 反常hall效应 hall测量
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半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题
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作者 李成基 李韫言 +1 位作者 王万年 何宏家 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期325-327,共3页
建立了绝缘电阻大于 1 0 13Ω和温度起伏小于 0 .1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响 ,并讨论了各种因素所引起的测量误差。
关键词 半绝缘砷化镓 hall测量 电阻率 迁移率 测量误差
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不同衬底温度下射频磁控溅射磷掺杂ZnO薄膜的性质 被引量:4
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作者 王金忠 李美成 +3 位作者 Vincent Sallet A.Rego R.Martins E.Fortunato 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第8期1490-1494,共5页
为研究在低温衬底上沉积磷掺杂ZnO薄膜的性质,从室温到350°C的范围内磷掺杂的ZnO被磁控溅射到蓝宝石衬底上。样品的XRD谱显示薄膜为<001>方向择优生长,ZnO(002)面的衍射峰在250°C时最低。原子力图像分析显示:薄膜的表... 为研究在低温衬底上沉积磷掺杂ZnO薄膜的性质,从室温到350°C的范围内磷掺杂的ZnO被磁控溅射到蓝宝石衬底上。样品的XRD谱显示薄膜为<001>方向择优生长,ZnO(002)面的衍射峰在250°C时最低。原子力图像分析显示:薄膜的表面形貌随沉积温度而变化,粗糙度随温度升高而增加。样品的XPS谱在134eV附近清晰地观测到了磷的P2p峰,且组分随衬底温度而变化。在400~600nm的范围内样品的平均光学透射率大于60%,所计算的光学带隙大约为3.2 eV。薄膜的Hall测量表明薄膜为n型电导,且薄膜中的载流子浓度随温度的升高而降低。该工作有助于对ZnO低温磷掺杂薄膜性质的了解,从而在低温下获得磷掺杂的ZnO p型导电薄膜。 展开更多
关键词 氧化锌 掺杂 光电子能谱 hall测量
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Uniformity of Electrical Parameters on MCT Epitaxy Film
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作者 NIELin-ru MENGQing-lan LINan 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2004年第2期93-96,共4页
For Hall measurement under different magnetic fields at LN2 temperature,Hg1-xCdxTe (MCT) film (radius 1 cm) grown on CdTe substrate by LPE is photoengraved into many small Van Der Pauw squares,then their Hall coef... For Hall measurement under different magnetic fields at LN2 temperature,Hg1-xCdxTe (MCT) film (radius 1 cm) grown on CdTe substrate by LPE is photoengraved into many small Van Der Pauw squares,then their Hall coefficients and mobilities are measured and analyzed,respectively.Two films were Hall-tested during the temperature range from LHe 4.2 K to about 200 K.An actual impression on the uniformity of electrical parameters for MCT film can obtained by means of the methods presented in this paper. 展开更多
关键词 MCT film hall measurement Electrical parameter UNIFORMITY
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Influence of O_2/Ar ratio on the properties of transparent conductive niobium-doped ZnO films 被引量:1
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作者 CAO Feng WANG YiDing LIU KuiXue YIN JingZhi LONG BeiHong LI Li ZHANG Yu CHEN XiaMei 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2009年第13期2217-2220,共4页
Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃.The influence of O2/Ar ratio on the structural,electrical and optical properties of the as-deposi... Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃.The influence of O2/Ar ratio on the structural,electrical and optical properties of the as-deposited films is investigated by X-ray diffraction,Hall measurement and optical transmission spectroscopy.The lowest resistivity of 4.0×10-4Ω·cm is obtained from the film deposited at the O2/Ar ratio of 1/12.The average optical transmittance of the films is over 90%. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 透明导电 光学性能 铌掺杂 hall测量 射频溅射 玻璃基板 薄膜沉积
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