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基于PS球自组装技术的GaN纳米柱阵列ICP刻蚀工艺研究
1
作者 谢婷 冯林 +2 位作者 杨丽艳 邹继军 邓文娟 《机电工程技术》 2024年第4期273-277,共5页
选用蓝宝石衬底上生长的P型氮化镓为材料,通过自组装技术制备的PS球为掩膜,采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀的方法来制备形状规则、周期均匀的纳米结构。在制备过程中,氮化镓纳米结构的形貌受诸多因素的影响,例如胶体球掩膜自组装的... 选用蓝宝石衬底上生长的P型氮化镓为材料,通过自组装技术制备的PS球为掩膜,采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀的方法来制备形状规则、周期均匀的纳米结构。在制备过程中,氮化镓纳米结构的形貌受诸多因素的影响,例如胶体球掩膜自组装的形貌,ICP刻蚀所通入的气体类型、气体比例、刻蚀功率源、刻蚀时间等。系统地研究了刻蚀过程中通入的气体类型、气体比例和刻蚀功率源、刻蚀时间对氮化镓纳米结构形貌的影响,并进行调整优化。利用扫描电子显微镜(SEM)对氮化镓进行的形貌分析表明:(1)随着刻蚀功率源和刻蚀时间的增大,掩膜层PS球的尺寸会随之减小使得刻蚀得到的纳米结构直径减小;(2)氮化镓纳米结构的形貌、刻蚀速率受到刻蚀通入的气体类型和比例影响,在Ar和CF_(4)或SF_(6)的组合气体作用下刻蚀速率相对非常缓慢,最高为15 nm/min,而Cl_(2)和BCl_(3)的组合气体作用速率可达到150 nm/min。 展开更多
关键词 PS球自组装 icp刻蚀 GaN纳米柱 刻蚀速率
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用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
2
作者 高阳 周燕萍 +3 位作者 王鹤鸣 左超 上村隆一郎 杨秉君 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期136-143,共8页
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti... GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对TiN材料进行了干法刻蚀工艺的研究。采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl_(2)和BCl_(3)混合气体作为工艺气体,通过调整工艺参数,研究了ICP源功率、射频(RF)偏压功率、腔体压力、气体体积流量以及载台温度对TiN刻蚀速率和侧壁角度的影响。最后通过优化工艺参数,得到了TiN刻蚀速率为333 nm/min,底部平整且侧壁角度为81°的栅极结构。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 TIN Cl2和BCl3混合气体 栅极结构 新能源汽车
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ICP刻蚀硅形貌控制研究 被引量：11
3
作者 刘欢 周震 +2 位作者 刘惠兰 冯丽爽 王坤博 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期200-203,共4页
硅的刻蚀形貌控制是MEMS器件加工中的关键技术之一,形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果,任何影响刻蚀和钝化反应的因素都会影响到刻蚀形貌。采用中科院微电子研发中心研制的基于化学平衡原理的ICP-98A等离子刻蚀机,对ICP刻... 硅的刻蚀形貌控制是MEMS器件加工中的关键技术之一,形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果,任何影响刻蚀和钝化反应的因素都会影响到刻蚀形貌。采用中科院微电子研发中心研制的基于化学平衡原理的ICP-98A等离子刻蚀机,对ICP刻蚀当中影响形貌的关键工艺参数进行了研究和分析,研究了源功率RF1、射频功率RF2及气体(SF6和C4F8)比例对刻蚀形貌的影响,分析了bow ing现象产生机制,并给出了降低这种现象的工艺方法。该研究对提高硅的ICP刻蚀形貌控制具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 icp刻蚀 硅 形貌控制 bowing效应 工艺参数
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用于微惯性器件的ICP刻蚀工艺技术 被引量：6
4
作者 卓敏 贾世星 +1 位作者 朱健 张龙 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1381-1383,共3页
在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应,本文介绍了一种实现... 在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应,本文介绍了一种实现微结构刻蚀的ICP分步工艺的新方法,采用不同的刻蚀工艺条件,初始阶段减小底切效应,减小线条损失,刻蚀的中间阶段保证刻蚀速度,刻蚀的最终阶段减小侧向刻蚀,提高结构释放的一致性.同时通过在刻蚀结构的背面生长200nm厚Al膜对等离子体的吸附作用减小了根切效应,提高了刻蚀的精度和结构释放的一致性. 展开更多
关键词 微惯性器件 icp刻蚀 底切 根切 分步工艺
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Pyrex玻璃的ICP刻蚀技术研究 被引量：4
5
作者 江平 侯占强 +2 位作者 彭智丹 肖定邦 吴学忠 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期556-558,共3页
以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响。采用正交实验方法找出优化的实验参数,得到Pyrex玻璃刻蚀速率为106.8nm/min,表面粗糙度为Ra=5.483nm,实验发现增... 以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响。采用正交实验方法找出优化的实验参数,得到Pyrex玻璃刻蚀速率为106.8nm/min,表面粗糙度为Ra=5.483nm,实验发现增加自偏压是提高刻蚀速率、减小刻蚀面粗糙度的有效方法。 展开更多
关键词 icp刻蚀 MEMS Pyrex玻璃 实验设计
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碳化硅ICP刻蚀速率及表面形貌研究 被引量：3
6
作者 崔海波 梁庭 +3 位作者 熊继军 喻兰芳 王心心 王涛龙 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第9期1-3,7,共4页
SiC材料由于其高的禁带宽度（2.3~3.4 eV）,10倍于Si的击穿电压而越来越受到重视,尤其是在高温环境中,是制作高温器件的理想材料。但同时由于SiC的高硬度,化学性质稳定,使得SiC的加工也变的较为困难。刻蚀作为加工SiC的理想手段运用也... SiC材料由于其高的禁带宽度（2.3~3.4 eV）,10倍于Si的击穿电压而越来越受到重视,尤其是在高温环境中,是制作高温器件的理想材料。但同时由于SiC的高硬度,化学性质稳定,使得SiC的加工也变的较为困难。刻蚀作为加工SiC的理想手段运用也越来越广泛,文中就此展开研究,详细研究ICP刻蚀过程中各参数对其刻蚀速率及表面形貌的影响,时加工SiC具有一定指导意义、 展开更多
关键词 icp刻蚀速率 刻蚀形貌 碳化硅
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ICP刻蚀技术与模型 被引量：8
7
作者 张鉴 黄庆安 《微纳电子技术》 CAS 2005年第6期288-296,共9页
从ICP刻蚀装置、ICP刻蚀技术及模拟模型以及可用于ICP刻蚀模拟的CAD工具研究现状等几方面,对ICP刻蚀过程中所涉及的原理和模型做了较为详细的介绍和比较,以使对ICP刻蚀技术及模型有一个较为全面的认识。
关键词 icp刻蚀 等离子体 模型
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InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀 被引量：5
8
作者 陈永远 邓军 +2 位作者 史衍丽 苗霈 杨利鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期433-437,共5页
分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 s... 分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。 展开更多
关键词 icp刻蚀 InAs GASB 二类超晶格 SiCl4 AR CL2 AR
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ICP刻蚀硅模板用于PDMS规则超疏水表面的制作 被引量：3
9
作者 张润香 张玉龙 林华水 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期264-268,共5页
在ICP(inductively coupled plasma)刻蚀后的硅模板上复制聚二甲基硅氧烷(PDMS),经剥离得到含有一定尺寸的规则微柱阵列疏水表面.实验表明,当微柱高度较小时,微柱高度和边长对接触角有正影响,而间距则呈负影响;但如微柱高度较大,则高度... 在ICP(inductively coupled plasma)刻蚀后的硅模板上复制聚二甲基硅氧烷(PDMS),经剥离得到含有一定尺寸的规则微柱阵列疏水表面.实验表明,当微柱高度较小时,微柱高度和边长对接触角有正影响,而间距则呈负影响;但如微柱高度较大,则高度对接触角的影响趋小,而边长呈负影响.间距对接触角的影响表现复杂.微柱间距6μm,边长14μm和高14μm微柱阵列的PDMS表面,静态接触角最大,约151°. 展开更多
关键词 icp刻蚀 硅模板 PDMS 超疏水
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基于磁控溅射和ICP刻蚀的RB-SiC表面平坦化工艺 被引量：1
10
作者 赵杨勇 刘卫国 惠迎雪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期1-7,共7页
采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层,通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌的影响规律,以获取最佳的薄膜沉积参数.射频功率120 W、工作气压1.2Pa和Ar流量40sccm条件下获得了最佳质... 采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层,通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌的影响规律,以获取最佳的薄膜沉积参数.射频功率120 W、工作气压1.2Pa和Ar流量40sccm条件下获得了最佳质量的平坦化样品,利用电感耦合等离子体对平坦化膜层进行刻蚀抛光,通过Lambda950分光光度计测试不同工艺阶段样品表面的反射率.结果表明,相比于未处理的RB-SiC初始样品,经过平坦化和等离子体刻蚀的样品表面粗糙度标准差值由1.819nm减小至0.919nm,样品表面反射率相应地提高了2%.由此说明射频磁控溅射平坦化沉积与电感耦合等离子体刻蚀的组合工艺可实现RB-SiC表面的高质量加工. 展开更多
关键词 光学制造 超光滑表面 射频磁控溅射 RB-SIC Si平坦化层 正交试验 icp刻蚀 表面粗糙度
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ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED 被引量：4
11
作者 张贤鹏 韩彦军 +3 位作者 罗毅 薛小琳 汪莱 江洋 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期6-9,15,共5页
采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,... 采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,与传统平面结构相比,其PL增强了42.8%;而采用ITO作为透明电极的LED,在20 mA注入电流下,正面出光增强了38%、背面出光增强了10.6%,同时前向电压降低了0.6 V,反向漏电流基本不变。 展开更多
关键词 氮化镓基发光二极管 表面微结构 icp干法刻蚀 湿法腐蚀
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碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料 被引量：6
12
作者 孙亚楠 石云波 +2 位作者 王华 任建军 杨阳 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期499-504,共6页
SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的... SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的选择比。实验证明,光刻胶作为掩膜,与SiC的选择比约为1.67,并且得到的台阶垂直度较差。Al与SiC的选择比约为7,但是致密性差,并且有微掩膜效应。金属Ni与SiC的选择比约为20,并且得到的台阶比较垂直且刻蚀形貌良好。最后,使用Ni作为掩膜材料对SiC压阻式加速度传感器的背腔和压敏电阻进行了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 掩膜图形化 选择比 刻蚀形貌
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究
13
作者 王海澎 木迎春 +8 位作者 彭秋思 黄佑文 李俊斌 龚晓丹 刘玥 敖雨 周旭昌 李东升 孔金丞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第10期1027-1032,共6页
本文采用SiO_(2)/SiN作为掩膜对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外材料进行感应耦合等离子体(ICP)刻蚀条件研究,得到InAs/GaSbⅡ类超晶格较好的刻蚀条件以提升红外探测器性能。对ICP刻蚀过程中容易出现台面侧向钻蚀以及台面底部钻蚀两种现象进行... 本文采用SiO_(2)/SiN作为掩膜对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外材料进行感应耦合等离子体(ICP)刻蚀条件研究,得到InAs/GaSbⅡ类超晶格较好的刻蚀条件以提升红外探测器性能。对ICP刻蚀过程中容易出现台面侧向钻蚀以及台面底部钻蚀两种现象进行了详细研究,通过增加SiO_(2)膜层厚度以及减小Ar气流量,可有效减少台面侧向钻蚀;通过减小下电极射频功率(RF),可有效消除台面底部钻蚀。采用适当厚度的SiO_(2)/SiN掩膜以及优化后的ICP刻蚀参数可获得光亮平整的刻蚀表面,表面粗糙度达到0.193 nm;刻蚀台面角度大于80°,刻蚀选择比大于8.5:1;采用优化后的ICP刻蚀条件制备的长波640×512焦平面器件暗电流密度降低约1个数量级,达到3×10^(-4)A/cm2,响应非均匀性、信噪比以及有效像元率等相关指标均有所提高,并获得了清晰的焦平面成像图。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 SiO2/SiN掩膜 icp刻蚀
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ICP刻蚀中的二级台阶刻蚀研究
14
作者 张宏坤 谭晓兰 乔宁 《科技信息》 2010年第15X期35-36,共2页
主要研究了硬盘磁头滑块二级台阶的刻蚀实验。首先研究了ICP刻蚀的刻蚀原理,然后根据二级台阶掩模版的设计要求,设计出掩膜版的图形,并通过ICP刻蚀机加工出磁头滑块。结果表明所提出的二级台阶的刻蚀工艺是合理的,且具有普遍性。
关键词 icp刻蚀 二级台阶 掩膜版 磁头滑块
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电子束光刻技术与ICP刻蚀技术的研究
15
作者 王迪 王国政 《电子技术与软件工程》 2015年第24期126-126,共1页
在微电子集成领域当中,电子束光刻技术和ICP刻蚀技术是十分重要的技术,能够通过一系列的生产步骤,去除晶圆表面薄膜的特定部分,并在晶圆表面留下微圆形结构的薄膜。光刻与刻蚀技术的应用,对于微电子集成的生产和优化具有重要的作用,因... 在微电子集成领域当中,电子束光刻技术和ICP刻蚀技术是十分重要的技术,能够通过一系列的生产步骤,去除晶圆表面薄膜的特定部分,并在晶圆表面留下微圆形结构的薄膜。光刻与刻蚀技术的应用,对于微电子集成的生产和优化具有重要的作用,因而得到了十分广泛的应用。基于此,本文对电子束光刻技术和ICP刻蚀技术进行了研究,以期能够为这一领域的发展做出贡献。 展开更多
关键词 电子束光刻技术 icp刻蚀技术 研究
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ICP刻蚀技术在MEMS中的应用
16
作者 贾萌 杨银 +1 位作者 吴圣楠 刘汉伟 《化工设计通讯》 CAS 2019年第1期53-54,共2页
MEMS系统和器件作为半导体行业中的尖端产品,在制造过程中,其刻蚀工艺成为MEMS器件制作中一个重要的环节,因此对其刻蚀过程中的参数选择变得越来越重要。应用ICP刻蚀机制备一个U型槽的刻蚀,研究上电级功率和压力对刻蚀效果的影响,进而影... MEMS系统和器件作为半导体行业中的尖端产品,在制造过程中,其刻蚀工艺成为MEMS器件制作中一个重要的环节,因此对其刻蚀过程中的参数选择变得越来越重要。应用ICP刻蚀机制备一个U型槽的刻蚀,研究上电级功率和压力对刻蚀效果的影响,进而影响MEMS器件的质量。做好实验记录,观察实验结果并分析,通过图片和其他数据参数反映MEMS器件的刻蚀效果与质量。 展开更多
关键词 icp刻蚀 U型槽 MEMS传感器
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p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀 被引量：1
17
作者 钱茹 程新红 +4 位作者 郑理 沈玲燕 张栋梁 顾子悦 俞跃辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期449-455,共7页
p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原... p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原子力显微镜（AFM）对刻蚀沟槽的表面形貌进行表征,并通过I-V测试其电学性能。结果显示,以Cl2/N2/O2为刻蚀气体,且体积流量为18,10和2 cm^3/min时,p-GaN刻蚀速率稳定且与AlGaN的刻蚀选择比较高（约30）,并且可使p-GaN刻蚀自动停止在AlGaN界面处。此外,以Si3N4作为刻蚀掩膜,可以获得表面光滑、无微沟槽且侧壁垂直度较好的沟槽结构。采用上述刻蚀工艺制备的GIT结构器件的漏端关态电流相比肖特基栅降低约2个量级,阈值电压约为0.61 V,峰值跨导为36 m S/mm。 展开更多
关键词 GAN 选择性刻蚀 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 ALGAN/GAN HEMT 刻蚀形貌
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国内首台大产能高端LED芯片制造用ICP刻蚀机交付使用
18
《新材料产业》 2010年第7期84-84,共1页
近日，北京电子控股公司所属北方微电子公司开发生产的ELEDETM330高密度等离子ICPN蚀机完成组装调试，正式交付客户使用。ELEDETM330是北方微电子半导体刻蚀技术在LED领域的成功扩展，该设备的成功上线，标志着国产LED刻蚀设备已得到主... 近日，北京电子控股公司所属北方微电子公司开发生产的ELEDETM330高密度等离子ICPN蚀机完成组装调试，正式交付客户使用。ELEDETM330是北方微电子半导体刻蚀技术在LED领域的成功扩展，该设备的成功上线，标志着国产LED刻蚀设备已得到主流生产线的认可，使我国高端LED设备的国产化水平得到了新的提升。 展开更多
关键词 LED 芯片制造 icp刻蚀机 产能设计
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ICP刻蚀工艺在SiC器件上的应用 被引量：3
19
作者 周燕萍 朱帅帅 +2 位作者 李茂林 左超 杨秉君 《传感器与微系统》 CSCD 2020年第11期152-154,157,共4页
Si C作为第三代半导体材料的代表性材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性,使其在电力电子器件领域得到广泛关注。通过采用电感耦合等离子体(ICP)设备对4H-SiC材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用... Si C作为第三代半导体材料的代表性材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性,使其在电力电子器件领域得到广泛关注。通过采用电感耦合等离子体(ICP)设备对4H-SiC材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用Si O2膜作为刻蚀掩模,SFx/O2作为刻蚀工艺气体,通过一系列工艺参数调整及刻蚀结果分析,得出了ICP源功率、RF偏压功率、氧气流量和腔体压强对Si C材料刻蚀速率、刻蚀选择比以及刻蚀形貌的影响,并得到最优工艺参数。对刻蚀样片进行后处理工艺,获得了底部圆滑、侧壁垂直的沟槽结构,该沟槽结构对4H-SiC功率UMOSFET性能优化起到关键性作用。 展开更多
关键词 碳化硅功率器件 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 沟槽结构 沟槽型功率场效应管
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GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响 被引量：7
20
作者 孙丽媛 高志远 +3 位作者 张露 马莉 吴文蓉 邹德恕 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期283-290,共8页
使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻... 使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角变化明显的现象。在研究光刻胶厚度对侧壁倾角影响的基础上,研究了不同ICP刻蚀选择比对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响,并从GaAs干法刻蚀机理及刻蚀条件对ICP刻蚀过程中的化学、物理反应的影响来解释这一现象。 展开更多
关键词 icp刻蚀 光刻胶 侧壁倾角 刻蚀选择比
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