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Thickness dependency of nonlinear optical properties in ITO/Sn composite films
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作者 南博洋 洪瑞金 +4 位作者 陶春先 王琦 林辉 韩朝霞 张大伟 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期65-70,共6页
In this study,a batch of indium tin oxide(ITO)/Sn composites with different ratios was obtained based on the principle of thermal evaporation by an electron beam.The crystalline structure,surface shape,and optical cha... In this study,a batch of indium tin oxide(ITO)/Sn composites with different ratios was obtained based on the principle of thermal evaporation by an electron beam.The crystalline structure,surface shape,and optical characterization of the films were researched using an X-ray diffractometer,an atomic force microscope,a UV-Vis-NIR dual-beam spectrophotometer,and an open-hole Z-scan system.By varying the relative thickness ratio of the ITO/Sn bilayer film,tunable nonlinear optical properties were achieved.The nonlinear saturation absorption coefficientβmaximum of the ITO/Sn composites is−10.5×10^(−7)cm/W,approximately 21 and 1.72 times more enhanced compared to monolayer ITO and Sn,respectively.Moreover,the improvement of the sample nonlinear performance was verified using finite-difference in temporal domain simulations. 展开更多
关键词 ito/sn composite film Z-SCAN nonlinear absorption characteristic synergistic effect electric field
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In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究 被引量:23
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作者 陈猛 白雪冬 +4 位作者 裴志亮 孙超 宫骏 黄荣芳 闻立时 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期934-938,共5页
对掺锡三氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜光学特性进行了研究结果表明,该薄膜在可见光区具有高的透射率;低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大,表现出类金属性质,ITO薄膜的电磁本构特性参数光学... 对掺锡三氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜光学特性进行了研究结果表明,该薄膜在可见光区具有高的透射率;低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大,表现出类金属性质,ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450-800nm区间的色散很弱,基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明,薄膜在K=0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。 展开更多
关键词 薄膜 红外反射率 ito 光学特性
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锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响 被引量:3
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作者 马颖 吕庆莉 +2 位作者 张方辉 袁桃利 张麦丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期460-464,共5页
以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11%~33%)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响。用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品... 以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11%~33%)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响。用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20%时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小。 展开更多
关键词 ito 溶胶-凝胶法 sn掺杂 X射线衍射分析
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用喷雾燃烧法制备ITO纳米级粉末的研究 被引量:40
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作者 陈世柱 尹忠民 +1 位作者 黄伯云 胡林轩 《有色金属》 CSCD 2000年第2期88-90,共3页
将金属钢和锡先配制成合金,然后使In-Sn合金熔体过热,通过气雾喷粉工艺,由高压预热氧气使熔体雾化成微细的金属雾滴,并随即在高温反应室中进行直接地氧化燃烧而生成 ITO纳米级复合的氧化物粉体,其粒度 ≤ 30mm,制备 ... 将金属钢和锡先配制成合金,然后使In-Sn合金熔体过热,通过气雾喷粉工艺,由高压预热氧气使熔体雾化成微细的金属雾滴,并随即在高温反应室中进行直接地氧化燃烧而生成 ITO纳米级复合的氧化物粉体,其粒度 ≤ 30mm,制备 1kg的纳米级金属氧化物粉末仅仅需要约50s,并且生产过程无任何污染。 展开更多
关键词 雾化 氧化燃烧 金属氧化物 ito纳米粉
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锡掺杂量对胶体法制备ITO薄膜光电性能的影响 被引量:3
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作者 张楠 刘家祥 曾胜男 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期164-168,共5页
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5%~20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四... 以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5%~20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析。结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%。基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制。结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子。通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65eV。 展开更多
关键词 ito薄膜 胶体法 掺杂 导电机制 光学能隙
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In_2O_3-10SnO_2陶瓷中In_4Sn_3O_(12)与富Sn析出相特征 被引量:1
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作者 侯俊峰 周科朝 +2 位作者 李志友 王科 甘雪萍 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1494-1499,共6页
以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体... 以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体心立方结构的富Sn相,晶粒边缘内侧出现低Sn浓度的无析出带,其三晶交界处生成In_4Sn_3O_(12)晶粒;In_2O_3:Sn晶内富Sn析出相按照从晶粒中部到晶界边缘尺寸逐渐减小、排布由疏到密的的规律分布;随着保温时间的延长,In_4Sn_3O_(12)晶粒尺寸、In_2O_3:Sn晶内的富Sn析出相尺寸和无析出带宽度增大。 展开更多
关键词 ito陶瓷 In4sn3O12晶粒 sn析出相 微观结构
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In2O3:Sn中间层改善B掺杂ZnO薄膜的性能及其应用研究 被引量:1
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作者 赵慧旭 陈新亮 +5 位作者 杨旭 杜建 白立沙 陈泽 赵颖 张晓丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期310-317,共8页
金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的掺硼氧化锌(BZO)薄膜,具有天然的"类金字塔"绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的陷光效果.但直接获得的BZO薄膜表面形貌过于尖锐,影响后续硅基薄膜材料生长质量及太阳电池... 金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的掺硼氧化锌(BZO)薄膜,具有天然的"类金字塔"绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的陷光效果.但直接获得的BZO薄膜表面形貌过于尖锐,影响后续硅基薄膜材料生长质量及太阳电池的光电转换效率.本文设计了以一层超薄In2O3:Sn(ITO)薄膜(~4 nm厚度)作为中间层的多层膜,并通过对顶层BZO薄膜的厚度调制,改善BZO薄膜的表面特性,薄膜结构为:glass/底层BZO/ITO/顶层BZO.合适厚度的顶层BZO薄膜有助于获得类似"菜花状"形貌特征,尖锐的表面趋于"柔和",而较厚的顶层BZO薄膜仍然保持"类金字塔状"结构."柔和"的BZO薄膜表面结构有助于提高后续生长薄膜电池的结晶质量.将获得的新型"三明治"结构多层膜应用于p-i-n型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池,相比传统的BZO薄膜,电池的量子效率QE在500—800 nm波长范围提高了~10%,并且电池的Jsc和Voc均有所提高. 展开更多
关键词 掺硼氧化锌(BZO)薄膜 In2O3sn(ito)中间层 表面形貌 太阳电池
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低温生长ITO薄膜及其在太阳电池中的应用 被引量:3
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作者 杜建 陈新亮 +4 位作者 刘彩池 倪牮 侯国付 赵颖 张晓丹 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期286-292,共7页
氧化铟锡(ITO)同时结合 了可见光范围内高透过率和高电导率等特性,被广泛应 用于Si基薄膜太阳电池中。本文侧重研究了采用反应热蒸发(RTE)技术低温(约160 ℃)生长ITO透明导电薄膜过程中 不同Sn掺杂含量对薄膜微观结构以及光电性... 氧化铟锡(ITO)同时结合 了可见光范围内高透过率和高电导率等特性,被广泛应 用于Si基薄膜太阳电池中。本文侧重研究了采用反应热蒸发(RTE)技术低温(约160 ℃)生长ITO透明导电薄膜过程中 不同Sn掺杂含量对薄膜微观结构以及光电性能的影响。实验结果表明,随着Sn掺杂含量的增 加,ITO薄 膜微观结构稍有变化,薄膜的电子迁移率呈现先增大后减小的趋势,薄膜的光学带隙一定程 度上呈现展宽 趋势;对于较高的Sn掺杂含量,在低温条件下电离杂质散射和中性杂质散射成为影响电子迁 移率降低的重 要因素。经过薄膜生长优化,较佳的Sn掺杂含量为6.0wt.%,ITO 薄膜电阻率为3.74×10^-4 Ω·cm,电子迁移 率为47cm2/Vs,载流子浓度为3.71×10^20 cm^-3,且在380~900nm波长范围内的平均透过率约87%。将其应用于结构为SS/Ag/ZnO/nip a-S iGe:H/nip a-Si:H/ITO/Al的n-i-p型a-Si:H/a-SiGe:H叠层太阳电池, 取得的光电转化效率达10.51%(开路电压V oc=1.66V,短路电流密度Jsc =9.31mA /cm2,填充因子FF=0.68) 。 展开更多
关键词 氧化铟锡(ito)薄膜 反应热蒸发(RTE)技术 低温生长 sn掺杂含量 薄膜太阳电池
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