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ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究
1
作者 杨涛 陈彩明 +4 位作者 黄瑜佳 吴少平 徐华蕊 汪坤喆 朱归胜 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1150-1159,共10页
随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)... 随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10^(-3)Ω^(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。 展开更多
关键词 ito薄膜 磁控溅射 AgNWs 导电网络 复合薄膜 光电性能 溅射温度
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退火处理对低阻LCD屏ITO薄膜光电性能的影响
2
作者 武洋 贾文友 +2 位作者 刘莉 郑建军 徐娇 《盐城工学院学报（自然科学版）》 CAS 2024年第1期75-78,共4页
采用磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,对制备好的ITO薄膜样品进行不同温度、不同时间的退火处理。用WGT-S透过率雾度仪、四探针测试仪测量退火后的电阻屏ITO薄膜光电性能参数,并采用扫描电子显微镜观测退火前后薄膜的表面状态,分析退... 采用磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,对制备好的ITO薄膜样品进行不同温度、不同时间的退火处理。用WGT-S透过率雾度仪、四探针测试仪测量退火后的电阻屏ITO薄膜光电性能参数,并采用扫描电子显微镜观测退火前后薄膜的表面状态,分析退火处理对电阻屏ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明:制备的ITO薄膜的最佳退火温度为400℃,退火时间约为70 min。 展开更多
关键词 ito薄膜 退火温度 退火时间 光电性能
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应用于LED的ITO薄膜光电性能研究 被引量：1
3
作者 高鹏飞 石磊 《光源与照明》 2024年第1期49-51,共3页
为提高出光效率,在出光面和电极之间需要一种导电性好、透光性高的薄膜材料。文章研究了直流磁控溅射法制备应用于LED的ITO薄膜时,O2流量、溅射功率、溅射气压等工艺参数对薄膜光电性能的影响,并通过实验得出结论。
关键词 LED ito薄膜 磁控溅射 光电性能
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ITO薄膜的制备及其光电性能研究
4
作者 黄惜惜 赵桂香 +3 位作者 扬川苏 张中建 高荣刚 黄国平 《太阳能》 2024年第4期94-100,共7页
随着HJT太阳电池的发展,对其氧化铟锡(ITO)薄膜的研究日益增多。通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了氧含量、溅射功率、沉积温度及溅射气压对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果显示:1)ITO薄膜的光电性能对氧含量较为敏感... 随着HJT太阳电池的发展,对其氧化铟锡(ITO)薄膜的研究日益增多。通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了氧含量、溅射功率、沉积温度及溅射气压对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果显示:1)ITO薄膜的光电性能对氧含量较为敏感,随着氧含量增加,ITO薄膜的电阻率也随之增加,而透过率则呈先上升后下降,然后基本保持不变的趋势;2)随着沉积温度升高,ITO薄膜的透过率也随之升高,而电阻率则呈先下降后上升的趋势;3)随着溅射气压的升高,ITO薄膜的电阻率呈上升趋势,而透过率则是先降低再略微升高;4)当氧含量在1.8%~2.0%,溅射功率在3000~4000 W,沉积温度在150~190℃,溅射气压在0.5~0.7 Pa时,ITO薄膜具有较优的光电性能。因此,在合理范围内提高沉积温度,其则会具有退火作用,有助于进一步改善ITO薄膜的光电性能。 展开更多
关键词 太阳电池 磁控溅射 氧含量 沉积温度 ito薄膜 光电性能
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基于Drude模型ITO薄膜性能及工艺控制分析
5
作者 王三昭 余刚 +3 位作者 石攀 孟政 刘启蒙 汪洪 《玻璃》 2024年第8期1-6,共6页
利用离子辅助电子束蒸发技术制备锡掺杂氧化铟薄膜,参考“第四范式”研究思路,根据薄膜光学性质特点建立以Drude振子为核心的光学模型,从模型参数入手,分析载流子浓度、迁移率对光学性能影响,得出提高载流子迁移率能够同步提升薄膜产品... 利用离子辅助电子束蒸发技术制备锡掺杂氧化铟薄膜,参考“第四范式”研究思路,根据薄膜光学性质特点建立以Drude振子为核心的光学模型,从模型参数入手,分析载流子浓度、迁移率对光学性能影响,得出提高载流子迁移率能够同步提升薄膜产品的光、电性能。总结分析文献报道中的主要成果,提出性能提升工艺方案,样品经验证载流子迁移率由6.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)提高到18.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),厚度由315.5 nm减薄到155.2 nm情况下,面电阻由50.1 Ω/□减小到26.2Ω/□。 展开更多
关键词 ito薄膜 载流子浓度 迁移率 光学常数 光学模型
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直流磁控溅射参数对ITO薄膜光电性能的影响
6
作者 曾墩风 王志强 +1 位作者 方月 曾探 《中国金属通报》 2024年第13期186-188,共3页
ITO薄膜作为当下应用范围最为广泛的透明导电薄膜,在众多领域发挥着关键作用.其中,磁控溅射法在制备ITO薄膜方面应用颇为广泛.通过精心优化制备工艺参数,能够进一步显著改善ITO薄膜的光学和电学性能.在本研究中,我们运用直流磁控溅射法... ITO薄膜作为当下应用范围最为广泛的透明导电薄膜,在众多领域发挥着关键作用.其中,磁控溅射法在制备ITO薄膜方面应用颇为广泛.通过精心优化制备工艺参数,能够进一步显著改善ITO薄膜的光学和电学性能.在本研究中,我们运用直流磁控溅射法成功制备了ITO薄膜,并深入探究了一系列制备工艺参数,如镀膜温度、氧气流量、靶基距以及溅射功率等,对ITO薄膜光学性能和电学性能产生的影响规律.经过大量的实验和细致的分析,最终确定:当镀膜温度为520℃、氧气流量为50/0.2 sccm、靶基距为16/20 cm以及溅射功率为33W时,能够形成最优的直流磁控溅射制备工艺参数组合,从而为制备出性能卓越的ITO薄膜提供了可靠的工艺条件. 展开更多
关键词 ito薄膜 直流磁控溅射 光电性能
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ITO薄膜和新型金属化对双面TOPCon电池电性能的影响研究
7
作者 陈丹 王冬冬 +2 位作者 倪玉凤 杨超 石惠君 《中国新技术新产品》 2023年第1期28-31,共4页
使用磁控溅射设备制备ITO薄膜和全面积银电极,该文分析了ITO薄膜沉积速率、方块电阻、电阻率和透射率的变化情况,以确定最佳工艺,再对电池的发射极和n型多晶硅钝化性能进行测试分析。使用最佳工艺在TOPCon半成品电池正面和背面沉积ITO... 使用磁控溅射设备制备ITO薄膜和全面积银电极,该文分析了ITO薄膜沉积速率、方块电阻、电阻率和透射率的变化情况,以确定最佳工艺,再对电池的发射极和n型多晶硅钝化性能进行测试分析。使用最佳工艺在TOPCon半成品电池正面和背面沉积ITO薄膜和银电极,测试、分析其对电性能的影响。研究结果表明,当溅射时间为24 min时,电阻率相对较小,透过率对应值大约为88%和86%。当正面光照IV测试时,TOPCon电池背面沉积ITO薄膜和银电极比常规浆料印刷电极的短路电流、填充因子和转换效率分别高了61 mA、1.6%和0.28%,且全面积金属电极与氧化硅层、衬底及多晶硅层的接触电阻满足要求。 展开更多
关键词 TOPCon电池 新型金属化 发射极 n型多晶硅 ito薄膜
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基底温度对射频磁控溅射PI基ITO薄膜的影响 被引量：1
8
作者 刘祖一 徐文正 +5 位作者 杨旭 汪邓兵 丁正钰 张海峰 许召辉 凤权 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第6期965-970,共6页
采用射频(RF)磁控溅射法在柔性耐高温聚酰亚胺(PI)薄膜上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了基底温度对ITO薄膜性能的影响。运用四探针测试仪研究了基底温度对ITO薄膜方块电阻及电阻率的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)研... 采用射频(RF)磁控溅射法在柔性耐高温聚酰亚胺(PI)薄膜上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了基底温度对ITO薄膜性能的影响。运用四探针测试仪研究了基底温度对ITO薄膜方块电阻及电阻率的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)研究了基底温度对ITO薄膜表面形貌及结晶度的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)、附着力测试仪分析电学性能最优的样品化学组成与附着力。研究结果表明,ITO薄膜方块电阻及电阻率随基底温度上升先下降后上升,在基底温度为250℃时,ITO薄膜方块电阻为14.1Ω/□,电阻率为1.9×10^(-4)Ω·cm,基膜附着力好,薄膜结晶度高,(222)晶面存在择优取向。 展开更多
关键词 射频(RF)磁控溅射 柔性材料 基底温度 氧化铟锡(ito)薄膜 柔性导电
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ITO薄膜的微结构表征及其组分特性 被引量：23
9
作者 蔡琪 曹春斌 +2 位作者 江锡顺 宋学萍 孙兆奇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期195-199,共5页
用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱... 用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。 展开更多
关键词 ito薄膜 直流磁控溅射 微结构 组分
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两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析 被引量：14
10
作者 周平 黄昱勇 +3 位作者 林宇翔 李海峰 刘旭 顾培夫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期985-988,共4页
比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5... 比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5 0nm附近的透过率可达 86%以上 ,消光系数约为 0 0 4 ,方电阻最低为 1 0 0Ω/□ . 展开更多
关键词 红外特性 ito薄膜 光学特性 磁控溅射 电子束加热蒸发 氧化锡铟薄膜 制备方法
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ITO薄膜的光电子能谱分析 被引量：13
11
作者 陈猛 裴志亮 +2 位作者 白雪冬 黄荣芳 闻立时 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期188-192,共5页
运用ＸＰＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况．研究表明，低温直流磁控反应溅射ＩＴＯ薄膜退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以两种化合状态ＯＩ和ＯＩＩ存在，其结合能值分别为５２９．９０±... 运用ＸＰＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况．研究表明，低温直流磁控反应溅射ＩＴＯ薄膜退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以两种化合状态ＯＩ和ＯＩＩ存在，其结合能值分别为５２９．９０±０．３０ｅＶ和５３１．４０±０．２０ｅＶ，分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比ＲｏＩ／ｏＩＩ从薄膜表面到体内逐渐增大．退火后薄膜表面的ＲｏＩ／ｏＩＩ小于未退火薄膜表面的ＲｏＩ／ｏＩＩ;经Ａｒ＋刻蚀２０ｍｉｎ后，退火薄膜体内的ＲｏＩ／ｏＩＩ大于未退火薄膜体内的ＲｏＩ／ｏＩＩ．这些结果表明，ＩＴＯ薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层． 展开更多
关键词 化学状态 光电子能谱 拟合 ito薄膜 半导体薄膜
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磁控溅射制备增透ITO薄膜及其性能研究 被引量：10
12
作者 李世涛 乔学亮 +2 位作者 陈建国 王洪水 贾芳 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期20-24,共5页
用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO(In2O3:SnO2=1:1)薄膜。质量流量计调节氩气压强PAr为0.2～3.0Pa,氧流量fO2为0～10sccm,并详细探讨了溅射时PAr和fO2变化对ITO薄膜光学性能的影响。结果表明:fO2的改变引起薄膜中氧空... 用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO(In2O3:SnO2=1:1)薄膜。质量流量计调节氩气压强PAr为0.2～3.0Pa,氧流量fO2为0～10sccm,并详细探讨了溅射时PAr和fO2变化对ITO薄膜光学性能的影响。结果表明:fO2的改变引起薄膜中氧空位浓度变化而影响ITO薄膜折射率n;fO2对ITO靶材表面的溅射阀值和对Ar+散射而改变溅射速率。衬底表面粗糙度对ITO薄膜的折射率测量准确性有较大影响。PAr为0.8Pa,fO2为2.4sccm,薄膜厚度为241.5nm时,nmin=1.97,最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9?/□,电阻率为8.8×10-4?·cm。AFM分析表明薄膜表面针刺很少,表面平整(RMS=3.04nm)。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧流量 ito薄膜 室温 增透
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ITO薄膜的XPS和AES研究 被引量：17
13
作者 陈猛 裴志亮 +2 位作者 白雪冬 黄荣芳 闻立时 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期173-178,共6页
分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明，退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在，其结合能值分别为（５２９．９０±０．... 分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明，退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在，其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ． 展开更多
关键词 化学状态 光电子能谱 俄歇电子能谱 ito薄膜
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ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响 被引量：15
14
作者 李林娜 薛俊明 +3 位作者 赵亚洲 李养贤 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期147-150,共4页
氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载... 氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。 展开更多
关键词 ito薄膜 电阻蒸发法 载流子浓度 霍尔迁移率
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ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法 被引量：38
15
作者 张树高 黄伯云 方勋华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期11-14,共4页
综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。ITO薄膜的半导化机制是高价Sn^(4+)替代部分In^(3+)和氧缺位。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示。综述了磁控溅射、CVD、喷雾热分解和溶胶-凝胶四种制膜工艺。
关键词 ito薄膜 半导体 制备 铟锡氧化物 半导体
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直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究 被引量：18
16
作者 夏冬林 杨晟 +1 位作者 王树林 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期272-275,232,共5页
以10%质量分数SnO2和90%质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底... 以10%质量分数SnO2和90%质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底温度的升高而下降,而可见光透过率增大;ITO薄膜可见光透过率和方块电阻随氧分压的增加而增大。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ito薄膜 衬底温度 透过率
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退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响 被引量：20
17
作者 江锡顺 万东升 +1 位作者 宋学萍 孙兆奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1536-1540,1556,共6页
用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪... 用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析。分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体。退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率。退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3Ω-1。 展开更多
关键词 ito薄膜 磁控溅射 光电特性
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ITO薄膜微结构对其光电性质的影响 被引量：8
18
作者 曾明刚 陈松岩 +3 位作者 陈谋智 王水菊 林爱清 邓彩玲 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考. 展开更多
关键词 ito薄膜 微结构 光电性质 磁控溅射 掺锡氧化铟薄膜 电导率 透射率
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氨气和氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响 被引量：9
19
作者 杨盟 刁训刚 +1 位作者 刘海鹰 王天民 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1637-1641,共5页
利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气、氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜... 利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气、氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜光电特性的影响。结果发现在不同气氛下热处理均能明显提高ITO薄膜在可见光区的透过率,氨气气氛下更有利于薄膜导电特性的改善。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氨气和氮气气氛 热处理 ito薄膜
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工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响 被引量：7
20
作者 任丙彦 刘晓平 +3 位作者 李彦林 王敏花 羊建坤 许颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期798-801,共4页
工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微... 工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响。在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04×10^-4Ω.cm、可见光波段（400-800 nm）透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜。 展开更多
关键词 磁控溅射 ito薄膜 溅射气压 低温
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