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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
1
作者 陈晓丽 陈佩丽 +3 位作者 卢思 朱艳青 徐雪青 苏秋成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期69-77,共9页
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量... 采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。 展开更多
关键词 HF inp/GaP/zns量子点 光学性能 发光二极管
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基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作 被引量：2
2
作者 王家先 陶金 +8 位作者 吕金光 李阳 赵永周 李盼园 秦余欣 张宇 郝振东 王维彪 梁静秋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期592-602,共11页
提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而... 提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。 展开更多
关键词 Micro-LED inp/zns量子点材料 色转换层 全彩显示器件
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水溶性InP/ZnS量子点的合成及其在指纹显现中的应用 被引量：7
3
作者 熊海 王珂 +3 位作者 于迎春 刘建军 左胜利 杨瑞琴 《化学研究》 CAS 2011年第3期11-16,共6页
以磷化锌、氯化铟为原料,以十二烷胺为溶剂,在150-200℃下合成了InP量子点,通过相转移和紫外光照得到了巯基乙酸修饰的水溶性InP/ZnS量子点.利用X射线衍射仪、透射电镜、高分辨透射电镜、荧光光谱仪等分析了不同温度下合成的量子点的粒... 以磷化锌、氯化铟为原料,以十二烷胺为溶剂,在150-200℃下合成了InP量子点,通过相转移和紫外光照得到了巯基乙酸修饰的水溶性InP/ZnS量子点.利用X射线衍射仪、透射电镜、高分辨透射电镜、荧光光谱仪等分析了不同温度下合成的量子点的粒径、形貌、荧光性能及指纹显现效果.结果表明,合成的InP和InP/ZnS量子点为球形颗粒,粒径在3-5 nm之间,在水溶液中的分散性较好.不同温度下合成的InP复合ZnS后,得到的InP/ZnS量子点的荧光发射波长由438 nm红移至575 nm;利用该量子点在紫外光照下可以显示出较清晰的多色荧光指纹图像,可用于具有不同客体背景颜色指纹的鉴别. 展开更多
关键词 inp/zns量子点 合成 荧光性能 指纹显现 应用
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荧光波长可调的InP/ZnS量子点的制备及其色彩转换研究 被引量：2
4
作者 陈诗瑶 陈培崎 +5 位作者 翁雅恋 吴艳 吴朝兴 周雄图 张永爱 郭太良 《光电子技术》 CAS 2021年第1期27-33,共7页
以三(二甲胺基)膦为膦源,氯化铟为铟源,采用热注射法制备波长可调的无毒InP/ZnS量子点,研究了反应物P与In的摩尔比、ZnI2和ZnCl2的摩尔比以及ZnS的反应时间对合成的InP/ZnS量子点微观结构和光学性能的影响。实验结果表明,在反应物摩尔比... 以三(二甲胺基)膦为膦源,氯化铟为铟源,采用热注射法制备波长可调的无毒InP/ZnS量子点,研究了反应物P与In的摩尔比、ZnI2和ZnCl2的摩尔比以及ZnS的反应时间对合成的InP/ZnS量子点微观结构和光学性能的影响。实验结果表明,在反应物摩尔比为nP^(3-)∶nIn^(3+)=5∶1、ZnS反应时间为60 min时,合成的InP/ZnS量子点近似球形,属于闪锌矿结构,其荧光光谱在460 nm~620 nm范围内可调。蓝色、绿色、红色波段的InP/ZnS量子点的半高宽分别约为52、52、59 nm,平均粒径分别为3.05、3.32、3.44 nm,荧光寿命分别为59.41、61.44和68.08 ns。利用激光辅助制备绿色图形化InP/ZnS薄膜,以蓝光OLED作为激发光源,结合DBR微结构,薄膜的色彩转换效率可达到20.9%,色坐标从(0.22,0.30)变化到(0.29,0.63)。这些InP/ZnS量子点发光器件在照明和显示方面具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 inp/zns量子点 图形化量子点薄膜 激光辅助 色彩转化
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半导体量子点材料在Nd∶YAG激光辐照下的非线性光学效应(英文) 被引量：7
5
作者 KUMBHAKAR P 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期228-236,共9页
使用10 ns脉冲调QNd∶YAG激光器Z-scan技术测量了化学合成的无掺杂硫化锌量子点(QDs)以及掺Mn2+硫化锌量子点(QDs)的非线性光学特性,并使用透射电镜技术(TEM)以及X射线衍射法(XRD)表征合成材料的纳米结构。在室温下,分别利用UV-VIS分光... 使用10 ns脉冲调QNd∶YAG激光器Z-scan技术测量了化学合成的无掺杂硫化锌量子点(QDs)以及掺Mn2+硫化锌量子点(QDs)的非线性光学特性,并使用透射电镜技术(TEM)以及X射线衍射法(XRD)表征合成材料的纳米结构。在室温下,分别利用UV-VIS分光光度计和分光荧光计测量了人工合成QDs胶体溶液的线性光学吸收特性以及光致发光的发射特性。样品的吸收特性表明,由于量子限制效应的影响,样品的截止吸收低于硫化锌的截止吸收。样品的光致发光特性显示,掺Mn2+的硫化锌样品显示出明显的光致发光现象,发射峰大约在580 nm;而无掺杂的硫化锌样品在紫外区辐射,发射峰大约在365 nm。对样品的UV-VIS吸收特性分析和TEMXRD分析表明,硫化锌样品的平均粒度(半径)大约为1.2 nm。分析开放光圈(OA)Z-scan技术得到的实验数据,发现在1 064 nm处两种试验样品都会发生四光子吸收(FPA)现象。拟合实验数据得到了两种试验样品的FPA系数以及FPA横截面,结果表明,ZnS QD的FPA横截面的计算值是4.9×10-106cm8.s3.photon-3,比硫化锌的FPA横截面大了5个数量级,而且人工合成的ZnS QD也有光学限制的性质。掺Mn2+离子的样品具有大的FPA横截面和在可见光区有高的发光效率这两个特点,使得该材料适合用于多光子荧光成像。 展开更多
关键词 半导体材料 zns量子点 非线性光学特性 多光子吸收 zns掺杂 MN掺杂
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AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点的制备及表征
6
作者 卜承飞 刘丽炜 +5 位作者 王玥 胡思怡 任玉 王倩 张家琪 冯悦姝 《纳米科技》 2014年第5期54-58,共5页
采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点，物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm，Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm，即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移，AgInS2和Ag—Zn—In—S量子... 采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点，物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm，Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm，即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移，AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命，分别为169ns和162ns，结合生物组织光学窗口范围限制，相对Ag—Z—In—S，AgInS2量子点更适用于生物标记。 展开更多
关键词 AgInS2 Ag—zn—In—S 量子点 纳米材料 荧光
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利用热致延迟荧光材料提高InP/ZnS无镉量子点发光二极管的性能 被引量：1
7
作者 林旺 陈历相 +3 位作者 唐宇 戈伟杰 周林箭 雷衍连 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2019年第6期80-87,共8页
充分利用三重态激子是提高发光器件效率的重要途径.磷光材料和热致延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence, TADF)均可以实现对三重态激子的利用.然而,目前在量子点发光二极管中,采用TADF材料来实现对三重态激子的利用... 充分利用三重态激子是提高发光器件效率的重要途径.磷光材料和热致延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence, TADF)均可以实现对三重态激子的利用.然而,目前在量子点发光二极管中,采用TADF材料来实现对三重态激子的利用进而提高发光效率的工作还很少.本文采用了TADF材料4,5-二(9-咔唑基)-邻苯二腈(2CzPN)掺杂聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)(1:5)作为空穴传输层(hole transporting layer, HTL),制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:2CzPN/InP/ZnS QDs/ZnO/Al的量子点发光器件.结果表明, 2CzPN的引入可以提升器件的空穴传输效率,使注入的电子和空穴趋于平衡;同时,通过2CzPN中的反系间窜越过程实现了对三重态激子的利用,并通过HTL和量子点InP/ZnS之间的F?rster能量转移过程提高了InP/ZnS无镉量子点发光二极管的效率,使其最大发光亮度达到513 cd/m2.相比未掺杂控制器件的最大发光亮度(407 cd/m2),实现了26%的增长.同时,使得最大电流效率较未掺杂控制器件提高了4倍,增加到1.6 cd/A. 展开更多
关键词 无镉量子点发光二极管 inp/zns量子点 热致延迟荧光
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Zn_(0.15)Cd_(0.85)S量子点复合材料的合成及其对Cu^(2+)的超灵敏测定 被引量：4
8
作者 王光丽 董玉明 +1 位作者 徐静娟 陈洪渊 《中国科学：化学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1114-1120,共7页
合成了高质量的半胱氨酸修饰Zn0.15Cd0.85S量子点复合材料.利用Cu2+对量子点荧光的猝灭作用,实现了Cu2+的定量检测.所合成的Zn0.15Cd0.85S量子点对其他常见的金属离子几乎没有响应,表明该方法具有较好的选择性.在优化条件下,Zn0.15Cd0.... 合成了高质量的半胱氨酸修饰Zn0.15Cd0.85S量子点复合材料.利用Cu2+对量子点荧光的猝灭作用,实现了Cu2+的定量检测.所合成的Zn0.15Cd0.85S量子点对其他常见的金属离子几乎没有响应,表明该方法具有较好的选择性.在优化条件下,Zn0.15Cd0.85S量子点荧光的猝灭程度与Cu2+浓度呈良好的线性关系,线性范围为6.0nM～1.0μM,检出限为1.0nM.对0.5μM标准溶液平行测定11次,相对标准偏差为2.0%.利用标准加入法对水样中Cu2+含量进行了测定,结果令人满意. 展开更多
关键词 zn0.15Cd0.85S 量子点 复合材料 CU^2+
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