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LiNbO3负极薄膜电化学性能及全固态薄膜锂离子电池应用
1
作者 胡雪晨 夏求应 +5 位作者 岳钒 何欣怡 梅正浩 王金石 夏晖 黄晓东 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第2期89-95,共7页
全固态薄膜锂离子电池具有易微型化与集成化等优点,因此,非常适合为微系统供电。负极对全固态薄膜锂离子电池的性能有重要影响。现有电池通常采用金属锂作为负极,然而其枝晶生长问题及低的热稳定性限制了相应电池在工业、军事等高温、... 全固态薄膜锂离子电池具有易微型化与集成化等优点,因此,非常适合为微系统供电。负极对全固态薄膜锂离子电池的性能有重要影响。现有电池通常采用金属锂作为负极,然而其枝晶生长问题及低的热稳定性限制了相应电池在工业、军事等高温、高安全场合应用。为此,本文系统研究了LiNbO_(3)薄膜的电化学性能,结果表明:LiNbO_(3)薄膜呈现高比容量(410.2 mAh·g^(-1))、高倍率(30C时比容量80.9 mAh·g^(-1))和长循环性能(2000圈循环后的容量保持率为100%),以及高的室温离子电导率(4.5×10^(-8)S·cm-1)。在此基础上,基于LiNbO_(3)薄膜构建出全固态薄膜锂离子电池Pt|NCM523|LiPON|LiNbO_(3)|Pt,其展现出较高的面容量(16.3μAh·cm^(-2))、良好的倍率(30μA·cm^(-2)下比容量1.9μAh·cm^(-2))及长循环稳定性(300圈循环后的容量保持率为86.4%)。此外,该电池表现出优秀的高温性能,连续在100℃下工作近200 h的容量保持率高达95.6%。研究表明:LiPON|LiNbO_(3)界面不论在充放电循环还是高温下均非常稳定,这有助与提升全电池综合性能。 展开更多
关键词 全固态锂离子电池 linbo3薄膜 负极 界面 高温 稳定性
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不同Li／NbZr：Fe：LiNbO3晶体的生长及光折变效应的研究 被引量：2
2
作者 于晓艳 荣宪伟 +1 位作者 徐超 王旭宏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期839-843,848,共6页
采用Czochralski技术生长不同Li/Nb双掺杂Zr:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光学均匀性和抗光折变能力。Zr:Fe:LiNbO3晶体双折射梯度比Fe:LiNbO3晶体降低一个数量级,抗光折变能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,发现Zr4+在LiNbO3中具有抗... 采用Czochralski技术生长不同Li/Nb双掺杂Zr:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光学均匀性和抗光折变能力。Zr:Fe:LiNbO3晶体双折射梯度比Fe:LiNbO3晶体降低一个数量级,抗光折变能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,发现Zr4+在LiNbO3中具有抗光折变能力。采用二波耦合光路测试不同Li/Nb的Zr:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间并计算了动态范围和灵敏度,Zr:Fe:LiNbO3晶体的响应速度,灵敏度和动态范围都比Fe:LiNbO3晶体高,它的全息存储性能优于Fe:LiNbO3晶体。 展开更多
关键词 Zr:Fe:linbo3 晶体 光折变效应 双折射梯度
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Mg：Er：LiNbO3晶体的激光性能和550nm寿命特性研究 被引量：1
3
作者 王义杰 于海涛 +1 位作者 孙亮 徐玉恒 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期284-286,共3页
为了测试Mg∶Er∶LiNbO3晶体的光损伤阈值和红外光谱,采用Czochralski技术生长出优质的Mgx∶Ery∶LiNbO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08,y=0.01(摩尔分数))晶体。通过实验得出Mg(0.06)∶Er∶LiNbO3和Mg(0.08)∶Er∶LiNbO3晶体抗光损伤阈值比LiN... 为了测试Mg∶Er∶LiNbO3晶体的光损伤阈值和红外光谱,采用Czochralski技术生长出优质的Mgx∶Ery∶LiNbO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08,y=0.01(摩尔分数))晶体。通过实验得出Mg(0.06)∶Er∶LiNbO3和Mg(0.08)∶Er∶LiNbO3晶体抗光损伤阈值比LiNbO3晶体提高2个数量级以上,且它们的红外光谱OH-吸收峰移到3535cm-1附近;在波长510nm^580nm范围内得到Mg∶Er∶LiNbO3晶体稳态发射谱。结果表明,Mg2+浓度增加抗光损伤能力增加,掺进摩尔分数为0.04的MgO是Mg∶Er∶LiNbO3晶体寿命最长的晶体。 展开更多
关键词 激光技术 Mg:Er:linbo3 晶体 激光性能 光损伤阈值 寿命特性
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Fe、La掺杂LiNbO3电子结构和光学性质的第一性原理 被引量：2
4
作者 林龙 陈瑞欣 +7 位作者 黄敬涛 余伟阳 祝令豪 王朋涛 徐永豪 李立新 郭艳 张战营 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期2369-2378,共10页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究本征LiNbO3晶体以及Fe、La掺杂LiNbO3的电子结构及光学性质。计算LiNbO3晶体在不同掺杂体系下的折射率、反射率、吸收函数、能量损失谱以及光电导率等光学性质。结果表明:本征LiNbO... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究本征LiNbO3晶体以及Fe、La掺杂LiNbO3的电子结构及光学性质。计算LiNbO3晶体在不同掺杂体系下的折射率、反射率、吸收函数、能量损失谱以及光电导率等光学性质。结果表明:本征LiNbO3晶体没有磁性,但可以通过Fe原子的诱导产生自旋极化。Fe掺杂LiNbO3体系产生的总磁矩为8.54μB,其主要是由Fe的3d轨道自旋极化引起的,而Fe原子提供的磁矩为3.40μB。掺杂原子可以有效调控LiNbO3晶体的电子结构和光学性质,为改善LiNbO3晶体的性能提供了可靠的理论依据。 展开更多
关键词 电子结构 光学性质 磁性 第一性原理 linbo3
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近化学计量比In:Fe:LiNbO3晶体光学性能的研究 被引量：1
5
作者 刘彩霞 刘欣荣 徐玉恒 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期198-200,共3页
采用助溶剂法以TSSG技术生长近化学计量比SIn:Fe:LiNbO3晶体.测试S In:Fe:LiNbO3晶体的晶格常数,SIn:Fe:LiNbO3晶体的晶格常数既小于LiNbO3晶体也小于In:Fe:LiNbO3晶体.晶格常数的变化是由于Li+取代反位铌NbLi4+和占据锂空位引起的.测试... 采用助溶剂法以TSSG技术生长近化学计量比SIn:Fe:LiNbO3晶体.测试S In:Fe:LiNbO3晶体的晶格常数,SIn:Fe:LiNbO3晶体的晶格常数既小于LiNbO3晶体也小于In:Fe:LiNbO3晶体.晶格常数的变化是由于Li+取代反位铌NbLi4+和占据锂空位引起的.测试SIn:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱,OH-吸收峰移到3503.cm-1,测试SIn:Fe:LiNbO3晶体的指数增益系数Γ,SIn:Fe:LiNbO3晶体的Γ值达到28cm-1,高于In:Fe:LiNbO3晶体. 展开更多
关键词 In:Fe:linbo3晶体 光学性能 晶格常数
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光纤耦合声光Ti∶LiNbO3波导器件的研究
6
作者 宁继平 汪欣 +3 位作者 高志伟 王俊涛 赵勇 韩群 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期30-33,37,共5页
波导型声光调制器作为高功率全光纤调Q激光器中的调制器件,光纤与器件对接耦合损耗大是影响其性能的主要因素。通过分析波导端面的Ti条半宽度与光波导模场分布的关系,计算出Ti∶LiNbO3锥形光波导与光纤耦合损耗最小时对应的最佳Ti条半... 波导型声光调制器作为高功率全光纤调Q激光器中的调制器件,光纤与器件对接耦合损耗大是影响其性能的主要因素。通过分析波导端面的Ti条半宽度与光波导模场分布的关系,计算出Ti∶LiNbO3锥形光波导与光纤耦合损耗最小时对应的最佳Ti条半宽度。分析得到Ti∶LiNbO3波导端面的Ti条半宽度对耦合损耗的影响,以及光波导的不同切型对最佳Ti条半宽度的影响。 展开更多
关键词 Ti∶linbo3波导 波导模场 Ti条半宽度 耦合损耗
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[Li]／[Nb]比变化对Ce：Mn：LiNbO3晶体光折变性能的影响：
7
作者 王义杰 于海涛 刘威 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期400-403,共4页
采用提拉法生长4种不同[Li]／[Nb]比（0．94，1．05，1．20，1．38）的Ce（0．1％（质量分数））：Mn（0．05％（质量分数））：LiNb03晶体和掺镁量为5％（摩尔分数）的Mg：Ce（0．1％）：Mn（0．015％）：LiNbO3晶体。测试晶体红外光谱... 采用提拉法生长4种不同[Li]／[Nb]比（0．94，1．05，1．20，1．38）的Ce（0．1％（质量分数））：Mn（0．05％（质量分数））：LiNb03晶体和掺镁量为5％（摩尔分数）的Mg：Ce（0．1％）：Mn（0．015％）：LiNbO3晶体。测试晶体红外光谱，[Li]／[Nb]为1．2和1．38的Ce：Mn：LiNb03晶体OH吸收峰移到3466cm^-1，这是化学计量比的标志吸收峰。Mg（5％（摩尔分数））Ce：Mn：LiNbO3晶体OH吸收峰移到3535cm^-1，这是Mg^2＋达到阈值浓度的标志吸收峰,以锂空位模型解释OH-吸收峰移动机理。采用光斑畸变法测试晶体抗光损伤能力，采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数、响应时间、计算载流子浓度。随着[Li]／[Nb]比增加，这些数据指标增加。[Li]／[Nb]为1．38，Ce：Mn：LiNbO3晶体是化学计量比，它的指数增益系数比Ce：Mn：LiNbO3晶体提高1倍，响应速度和抗光损伤能力提高1个数量级以上，是性能最为优良的光折变晶体材料之一。 展开更多
关键词 Mg CE MN linbo3晶体 光折变性能 红外光谱
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Mg：Zn：LiNbO3晶体光损伤和倍频性能的研究
8
作者 毕建聪 刘波 +2 位作者 李春亮 徐玉恒 尹红 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第3期408-410,413,共4页
以Czochralski技术生长Mg(3%)∶Zn∶(x%)∶LiNbO3(x=1,2,3)(摩尔分数)。测试晶体光损伤阈值,Mg(3%)∶Zn(3%)∶LiNbO3晶体光损伤阈值比LiNbO3晶体提高了2个数量级以上。测试晶体红外光谱Mg(3%)∶Zn(3%)∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位置由LiNbO3... 以Czochralski技术生长Mg(3%)∶Zn∶(x%)∶LiNbO3(x=1,2,3)(摩尔分数)。测试晶体光损伤阈值,Mg(3%)∶Zn(3%)∶LiNbO3晶体光损伤阈值比LiNbO3晶体提高了2个数量级以上。测试晶体红外光谱Mg(3%)∶Zn(3%)∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位置由LiNbO3的3 482 cm-1移到3 532 cm-1,即晶体掺杂达到阈值浓度。采用角度匹配,测试晶体的倍频转换效率。激光功率密度很高时,晶体出现暗迹,倍频转换效率下降,暗迹是由倍频光引起,与基频光无关。氧化的晶体可以减弱暗迹。对晶体光损伤阈值的增强,OH-吸收峰的移动,暗迹产生的机理进行阐述和研究。 展开更多
关键词 Mg:Zn:linbo3^-晶体 光损伤 倍频
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高掺镁LiNbO3晶体抗光折变性能研究
9
作者 夏宗仁 吴剑波 +1 位作者 郑威 徐玉恒 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3034-3036,共3页
在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%):LN,Mg(3mol%):LN,Mg(5mol%):LN,Mg(7mol%):LN,和Mg(9mol%):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试Mg:LiNbO3晶体... 在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%):LN,Mg(3mol%):LN,Mg(5mol%):LN,Mg(7mol%):LN,和Mg(9mol%):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试Mg:LiNbO3晶体的红外光谱,当Mg2+的浓度达到或超过阈值浓度的Mg:LiNbO3晶体,OH-吸收峰移到3535cm-1,晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高两个数量级以上.测试Mg:LiNbO3晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)Mg:LiNbO3晶体的相位匹配温度随Mg2+浓度的增加而改变,Mg(5mol%):LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol%):LN晶体在室温附近. 展开更多
关键词 linbo3晶体 抗光折变性能 红外光谱
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Ce:Fe:LiNbO3晶体光栅热固定的研究
10
作者 刘波 毕建聪 +1 位作者 郑威 徐玉恒 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期209-211,共3页
在LiNbO3晶体中掺进CeO2和Fe2O3,以Czchralski法生长Ce:Fe:LiNbO3晶体,对晶体进行氧化还原处理.测试Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收光谱,发现Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.氧化态的Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对还原态的Ce:... 在LiNbO3晶体中掺进CeO2和Fe2O3,以Czchralski法生长Ce:Fe:LiNbO3晶体,对晶体进行氧化还原处理.测试Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收光谱,发现Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.氧化态的Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对还原态的Ce:Fe:LiNbO3晶体发生紫移.采用热固定法测试Ce:Fe:LiNbO3晶体(氧化,生长,还原)的显影效率.Ce:Fe:LiNbO3晶体(还原)的显影效率低于Ce:Fe:LiNbO3晶体(氧化)的显影效率.测算并推导出热固定光栅在常温下的寿命. 展开更多
关键词 CE:FE:linbo3晶体 热固定 吸收光谱
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利用二维周期性极化的LiNbO3实现波长1.064μm的二倍频
11
作者 倪培根 程丙英 等 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期561-561,共1页
关键词 二维周期性极化 linbo3 波长 1.064μm 二倍频 铌酸锂 光学倍频
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Fe：Mn：LiNbO3晶体的生长及光学性能研究
12
作者 王金浩 张约品 +1 位作者 夏海平 盛嘉伟 《中国材料科技与设备》 2008年第5期56-58,共3页
采用坩埚下降法生长了掺杂Fe^3＋和Mn^2＋的LiNbO3单晶。晶体经极化处理后，用X-射线衍射仪测试了晶体的晶格常数，讨论了掺杂离子对晶格常数的影响。利用二渡耦合实验测试了晶体的指数增益系数、衍射效率和响应时间，结果表明：Fe：Mn... 采用坩埚下降法生长了掺杂Fe^3＋和Mn^2＋的LiNbO3单晶。晶体经极化处理后，用X-射线衍射仪测试了晶体的晶格常数，讨论了掺杂离子对晶格常数的影响。利用二渡耦合实验测试了晶体的指数增益系数、衍射效率和响应时间，结果表明：Fe：Mn：LiNbO3晶体的最大指数增益系数达到40cm^-1，Fe：Mn：LiNbO3的最大衍射效率分别为76％，二波耦合响应时间为2．5min。Fe：Mn：LiNbO3是一种性能优良的光折变晶体。 展开更多
关键词 Fe:Mn:linbo3 光折变 二波耦合 坩埚下降法
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交变极化改善重掺Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体光折变性能及体全息存储特性研究
13
作者 赵业权 孟凡伟 张学锋 《中国材料科技与设备》 2007年第1期100-102,共3页
生长了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体，对晶体进行了多次交变极化，有效的提高了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的光折变性能，使得Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的响应速度大大加快，散射噪声减小，体全息存储图像质量得到较大改善。
关键词 Zn:Cu:Fe:linbo3晶体 光折变性能 交变极化工艺技术 体全息存储
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LiNbO3电光调制器及其设计 被引量：1
14
作者 张瑞君 《飞通光电子技术》 2003年第2期76-81,共6页
电光调制器是高速光通信的关键器件，受到国内外极大关注。本文叙述了LiNbO3电光调制器的基本原理与参数，并介绍了LiNbO3调制器设计与结构性能。
关键词 linbo3 电光调制器 光通信 电极 波导 结构性能 铌酸锂
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LiNbO3不同晶面的光催化产氢性能 被引量：1
15
作者 宋琰 李朝升 邹志刚 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2484-2488,共5页
研究了LiNbO3(001)、(100)和(110)晶面的光催化产氢性能。(001)、(100)和(110)3个晶面光催化产氢性能之比为7.8∶1.3∶1.0。LiNbO3[001]晶向存在电偶极矩和自发极化,有利于增加光生电子和空穴的分离效率,减少光生电子和空穴的复合,提高L... 研究了LiNbO3(001)、(100)和(110)晶面的光催化产氢性能。(001)、(100)和(110)3个晶面光催化产氢性能之比为7.8∶1.3∶1.0。LiNbO3[001]晶向存在电偶极矩和自发极化,有利于增加光生电子和空穴的分离效率,减少光生电子和空穴的复合,提高LiNbO3(001)面的光催化活性。LiNbO3(001)面的空穴有效质量最小,有利于光生空穴的迁移,从而减少光生电子和空穴的复合,也有利于光催化性能的提高。 展开更多
关键词 催化 光催化产氢 linbo3 晶面
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近化学计量比LiNbO3晶体各向畴形态的研究 被引量：1
16
作者 陈辉 郑燕青 +3 位作者 路治平 崔素贤 王绍华 施尔畏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期246-249,共4页
本文对采用双坩埚提拉法生长的近化学计量比LiNbO3 晶体沿其各向切块腐蚀后通过直接观察和在金相显微镜下观察,对其各个面的畴结构进行了分析。我们发现晶体a面上由于镜相对称不反映畴结构,b面和c面上的腐蚀形貌则完全显露而且按一定的... 本文对采用双坩埚提拉法生长的近化学计量比LiNbO3 晶体沿其各向切块腐蚀后通过直接观察和在金相显微镜下观察,对其各个面的畴结构进行了分析。我们发现晶体a面上由于镜相对称不反映畴结构,b面和c面上的腐蚀形貌则完全显露而且按一定的方向整齐地排列,证明我们生长的SLN晶体是完全单畴结构的晶体。 展开更多
关键词 近化学计量比 linbo3晶体 各向畴形态 光学特性
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横向电场激励的LiNbO3压电谐振器的仿真分析 被引量：1
17
作者 鄢良 马廷锋 +2 位作者 王明飞 王骥 杜建科 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第3期373-377,共5页
该文对横向电场激励下的(yxl)-58°LiNbO3压电谐振器的高频振动进行了研究。首先,基于Mindlin一阶板理论,计算了压电谐振器的模态频谱关系,得到晶体基板长厚比;然后,利用有限元分析软件COMSOL Multiphysics建立了谐振器的三维有限... 该文对横向电场激励下的(yxl)-58°LiNbO3压电谐振器的高频振动进行了研究。首先,基于Mindlin一阶板理论,计算了压电谐振器的模态频谱关系,得到晶体基板长厚比;然后,利用有限元分析软件COMSOL Multiphysics建立了谐振器的三维有限元模型,通过增加厚度方向网格扫掠层数的方法,验证了仿真模型的网格无关性;其次,通过特征频率计算与频域计算得到了谐振器一阶厚度剪切模态频率值;最后,通过改变电极与晶体板质量比以及电极间距的大小,获得了不同尺寸参数对谐振器高频振动特性的影响规律。仿真分析结果表明,电极与晶体板的质量比同谐振器谐振频率成负相关,质量比越大,谐振频率越小;电极间距值与谐振频率成负相关,间距值越大,谐振频率越小。 展开更多
关键词 横向电场 linbo3谐振器 能陷效应 厚度剪切模态 COMSOL MULTIPHYSICS
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基于LiNbO3的长周期波导光栅可调谐耦合器的设计 被引量：1
18
作者 李青青 张爱玲 +1 位作者 田红苗 王钊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期8-14,共7页
设计了一种基于LiNbO_3的长周期波导光栅可调谐耦合器.该耦合器利用长周期光栅的独有特性将输入波导的导模经包层模耦合至输出波导导模.由于LiNbO_3的电光效应,波导光栅芯层与包层的有效折射率随外加电压变化,从而耦合器的谐振波长及耦... 设计了一种基于LiNbO_3的长周期波导光栅可调谐耦合器.该耦合器利用长周期光栅的独有特性将输入波导的导模经包层模耦合至输出波导导模.由于LiNbO_3的电光效应,波导光栅芯层与包层的有效折射率随外加电压变化,从而耦合器的谐振波长及耦合效率可由外加电压调谐.分析了光栅周期与耦合器的长度对耦合器带宽和耦合效率调谐范围的影响,以及波导尺寸对谐振波长调谐灵敏度的影响.结果表明光栅周期越短,耦合器长度越长,则耦合器的带宽越窄,耦合效率调谐范围也越大.此外,谐振波长调谐灵敏度随波导宽度的增加而减小,而波导厚度对谐振波长调谐灵敏度的影响可以忽略.对光栅周期为94μm、长度为3.52cm的耦合器进行仿真,结果表明,谐振波长灵敏度为26.2pm/V,3dB带宽可达4.5nm,当外加电压从0变化到200V时,谐振波长变化5.24nm,耦合效率可在1到0.15之间进行调谐. 展开更多
关键词 波导光栅 可调谐 耦合器 linbo3 电光效应
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脉冲激光沉积金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜 被引量：1
19
作者 田四方 梅欣丽 +2 位作者 赵明岗 王前进 王新昌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期372-375,共4页
采用等化学计量比的LiNbO3多晶陶瓷为靶材,利用脉冲激光沉积技术在以非晶SiO2为缓冲层的金刚石/Si衬底上制备c轴取向LiNbO3薄膜。研究了靶材与衬底之间的距离对LiNbO3薄膜的结晶质量和c轴取向性的影响,发现在靶材与衬底之间的距离为4.0c... 采用等化学计量比的LiNbO3多晶陶瓷为靶材,利用脉冲激光沉积技术在以非晶SiO2为缓冲层的金刚石/Si衬底上制备c轴取向LiNbO3薄膜。研究了靶材与衬底之间的距离对LiNbO3薄膜的结晶质量和c轴取向性的影响,发现在靶材与衬底之间的距离为4.0cm时获得了具有优异结晶质量的完全c轴取向LiNbO3压电薄膜。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对最佳条件下制备的薄膜进行了分析,结果表明制得的薄膜呈与衬底垂直的柱状结构,且薄膜表面光滑,晶粒均匀致密,表面平均粗糙度约为9.5 nm。 展开更多
关键词 linbo3压电薄膜金刚石/Si缓冲层脉冲激光沉积
原文传递
LiNbO3单晶薄膜体声波谐振器的研制
20
作者 彭霄 田本朗 +5 位作者 毛世平 杜波 蒋欣 徐阳 马晋毅 蒋平英 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第3期330-334,共5页
该文介绍了一种采用智能截割(Smart CutTM)技术制备的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜体声波谐振器。采用COMSOL有限元仿真软件从材料和结构两方面对LiNbO3薄膜体声波谐振器进行优化设计,以实现高机电耦合系数,并通过Smart CutTM工艺方法制备了... 该文介绍了一种采用智能截割(Smart CutTM)技术制备的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜体声波谐振器。采用COMSOL有限元仿真软件从材料和结构两方面对LiNbO3薄膜体声波谐振器进行优化设计,以实现高机电耦合系数,并通过Smart CutTM工艺方法制备了高性能Z切-LiNbO3单晶薄膜作为谐振器的压电层,最终得到LiNbO3薄膜体声波谐振器的谐振频率为3847.5MHz,反谐振频率为3986.25MHz,插入损耗为1.81dB,谐振器有效机电耦合系数达到8.3%。 展开更多
关键词 机电耦合 智能截割 铌酸锂(linbo3)单晶薄膜 薄膜体声波谐振器
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